Зображення обкладинки

Silicon carbide phase transition in as-grown 3C-6H polytypes junction

Perfect pure (concentration of donors ~ 10¹⁶cm⁻³ ) single crystals with joint polytypes (hexagonal-cubic) or heterojunction investigated using low temperature (4.2 K and 77 K) photoluminescence. Phase transformation started exactly from lamella between polytypes. β → α ( 3C 6H ) SiC transformati...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :	Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Дата:	2013
Автори:	Vlaskina, S.I., Mishinova, G.N., Vlaskin, V.I., Svechnikov, G.S., Rodionov, V.E., Lee, S.W.
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2013
Онлайн доступ:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/117681
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Silicon carbide phase transition in as-grown 3C-6H polytypes junction / S.I. Vlaskina, G.N. Mishinova, V.I. Vlaskin, G.S. Svechnikov, V.E. Rodionov, S.W. Lee // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2013. — Т. 16, № 2. — С. 132-135. — Бібліогр.: 12 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Silicon carbide phase transition in as-grown 3C-6H polytypes junction
за авторством: S. I. Vlaskina, та інші
Опубліковано: (2013)

Nanostructures in lightly doped silicon carbide crystals with polytypic defects
за авторством: Vlaskina, S.I., та інші
Опубліковано: (2014)

Nanostructures in lightly doped silicon carbide crystals with polytypic defects
за авторством: S. I. Vlaskina, та інші
Опубліковано: (2014)

Nanograin boundaries and silicon carbide photoluminescence
за авторством: Vlaskina, S.I., та інші
Опубліковано: (2017)

8H-, 10H-, 14H-SiC formation in 6H-3C silicon carbide phase transitions
за авторством: Vlaskina, S.I., та інші
Опубліковано: (2013)

3C-6H transformation in heated cubic silicon carbide 3C-SiC
за авторством: Vlaskina, S.I., та інші
Опубліковано: (2011)

Nanocrystalline silicon carbide films for solar cells
за авторством: Vlaskina, S.I., та інші
Опубліковано: (2016)

Silicon carbide defects and luminescence centers in current heated 6H-SiC
за авторством: Lee, S.W., та інші
Опубліковано: (2010)

Peculiarities of phase transformations in SiC crystals and thin films with in-grown original defects
за авторством: Vlaskina, S.I., та інші
Опубліковано: (2014)

Boron, aluminum, nitrogen, oxygen impurities in silicon carbide
за авторством: Vlaskina, S.I., та інші
Опубліковано: (2007)

Nanograin boundaries and silicon carbide photoluminescence
за авторством: S. I. Vlaskina, та інші
Опубліковано: (2017)

Nanocrystalline silicon carbide films for solar cells
за авторством: S. I. Vlaskina, та інші
Опубліковано: (2016)

8H-, 10H-, 14H-SiC formation in 6H-3C silicon carbide phase transitions
за авторством: S. I. Vlaskina, та інші
Опубліковано: (2013)

External impacts on SiC nanostructures in pure and lightly doped silicon carbide crystals
за авторством: S. I. Vlaskina, та інші
Опубліковано: (2015)

3C-6H transformation in heated cubic silicon carbide 3C-SiC
за авторством: S. I. Vlaskina, та інші
Опубліковано: (2011)

Silicon carbide defects and luminescence centers in current heated 6H-SiC
за авторством: S. W. Lee, та інші
Опубліковано: (2010)

Structure of photoluminescence DL-spectra and phase transformation in lightly doped SiC crystals and films
за авторством: Vlaskina, S.I., та інші
Опубліковано: (2015)

Structure of photoluminescence DL-spectra and phase transformation in lightly doped SiC crystals and films
за авторством: Vlaskina, S.I., та інші
Опубліковано: (2015)

Silicon carbide LED
за авторством: Vlaskina, S.I.
Опубліковано: (2002)

Peculiarities of phase transformations of SiC crystals and thin films with in-grown original defects
за авторством: S. I. Vlaskina, та інші
Опубліковано: (2014)

Ab initio DFT study of ideal shear strength of polytypes of silicon carbide
за авторством: Umeno, Y., та інші
Опубліковано: (2008)

Flexible electroluminescent panels
за авторством: Vlaskin, V.I., та інші
Опубліковано: (2007)

Calculation of spin-Hamiltonian constants for extended defects (Vsᵢ-Vc)⁰ (Ky5) in silicon carbide polytype 3C-SiC
за авторством: Shanina, B.D., та інші
Опубліковано: (2018)

Peculiarities of photoluminescence spectra behavior in SiC crystals and films during phase transformations
за авторством: S. I. Vlaskina, та інші
Опубліковано: (2016)

Structure of photoluminescence DL-spectra and phase transformation in lightly doped SiC crystals and films
за авторством: S. I. Vlaskina, та інші
Опубліковано: (2015)

Calculation of spin-Hamiltonian constants for extended defects (VSi-VC)0 (Ky5) in silicon carbide polytype 3C-SiC
за авторством: B. D. Shanina, та інші
Опубліковано: (2018)

Influence of boron doping on the photosensitivity of cubic silicon carbide
за авторством: V. N. Rodionov, та інші
Опубліковано: (2019)

Influence of boron doping on the photosensitivity of cubic silicon carbide
за авторством: Rodionov, V.N., та інші
Опубліковано: (2019)

Ordering and polytypism in A₃ᴵᴵB₂ⱽ crystals
за авторством: Chuiko, G.P., та інші
Опубліковано: (2005)

A silicon carbide thermistor
за авторством: Boltovets, N.S., та інші
Опубліковано: (2006)

Mechanical strain in the structure of array of silicon nanowires grown on a silicon substrate
за авторством: A. I. Klimovskaya, та інші
Опубліковано: (2019)

Mechanical strain in the structure of an array of silicon nanowires grown on a silicon substrate
за авторством: Klimovskaya, A.I., та інші
Опубліковано: (2019)

Reliability of AC thick-film electroluminescent lamps
за авторством: Vlaskin, V., та інші
Опубліковано: (2009)

Manufacturing technology for contacts to silicon carbide
за авторством: Ja. Ja. Kudrik, та інші
Опубліковано: (2013)

On melting of silicon carbide under pressure
за авторством: P. S. Sokolov, та інші
Опубліковано: (2012)

Multiphoton transitions in Josephson-junction qubits
за авторством: S. N. Shevchenko, та інші
Опубліковано: (2012)

Grain Boundary Junctions in Polycrystalline Silicon Films
за авторством: O. T. Bohorosh, та інші
Опубліковано: (2013)

Research of the influence of silicon impregnation on the structure and properties of hot-pressed silicon carbide
за авторством: V. V. Ivzhenko, та інші
Опубліковано: (2017)

Production and properties of hot-pressed materials based on silicon carbide with additions of boron and titanium carbides
за авторством: V. V. Ivzhenko, та інші
Опубліковано: (2016)

Light scattering in silicon carbide nanocrystalline films
за авторством: Lopin, A.V.
Опубліковано: (2008)