Buchumschlag

Silicon carbide phase transition in as-grown 3C-6H polytypes junction

Perfect pure (concentration of donors ~ 10¹⁶cm⁻³ ) single crystals with joint polytypes (hexagonal-cubic) or heterojunction investigated using low temperature (4.2 K and 77 K) photoluminescence. Phase transformation started exactly from lamella between polytypes. β → α ( 3C 6H ) SiC transformati...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Datum:	2013
Hauptverfasser:	Vlaskina, S.I., Mishinova, G.N., Vlaskin, V.I., Svechnikov, G.S., Rodionov, V.E., Lee, S.W.
Format:	Artikel
Sprache:	Englisch
Veröffentlicht:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2013
Online Zugang:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/117681
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Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:	Silicon carbide phase transition in as-grown 3C-6H polytypes junction / S.I. Vlaskina, G.N. Mishinova, V.I. Vlaskin, G.S. Svechnikov, V.E. Rodionov, S.W. Lee // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2013. — Т. 16, № 2. — С. 132-135. — Бібліогр.: 12 назв. — англ.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

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