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Low-temperature deposition of silicon dioxide films in high-density plasma

One of the basic operations in the LED (light-emitting diode) chip fabrication technique is formation of dielectric coatings for the purpose of insulation and surface passivation of the LED structure. Oxides and nitrides of silicon obtained by physical or chemical vapor de...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Datum:	2013
Hauptverfasser:	Yasunas, A., Kotov, D., Shiripov, V., Radzionay, U.
Format:	Artikel
Sprache:	Englisch
Veröffentlicht:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2013
Online Zugang:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/117696
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Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:	Low-temperature deposition of silicon dioxide films in high-density plasma / A. Yasunas, D. Kotov, V. Shiripov, U. Radzionay // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2013. — Т. 16, № 2. — С. 216-219. — Бібліогр.: 2 назв. — англ.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

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