Buchumschlag

X-ray diffraction study of deformation state in InGaN/GaN multilayered structures

High resolution X-ray diffractometry (HRXRD) was used to investigate InxGa₁₋xN/GaN multilayered structures grown by the metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD) method. Deformation conditions in the superlattice (SL) and its separate layers, degree of relaxation in the struc...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Datum:	2010
Hauptverfasser:	Kladko, V.P., Kuchuk, A.V., Safryuk, N.V., Machulin, V.F., Belyaev, A.E., Konakova, R.V., Yavich, B.S.
Format:	Artikel
Sprache:	Englisch
Veröffentlicht:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2010
Online Zugang:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/117701
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:	X-ray diffraction study of deformation state in InGaN/GaN multilayered structures / V.P. Kladko, A.V. Kuchuk, N.V. Safryuk, V.F. Machulin, A.E. Belyaev, R.V. Konakova, B.S. Yavich // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2010. — Т. 13, № 1. — С. 1-7. — Бібліогр.: 21 назв. — англ.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Ähnliche Einträge

X-ray diffraction study of deformation state in InGaN/GaN multilayered structures
von: V. P. Kladko, et al.
Veröffentlicht: (2010)

X-ray diffraction investigation of GaN layers on Si(111) and Al₂O₃ (0001) substrates
von: Safriuk, N.V., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Оже-рекомбінація в полярних InGaN/GaN квантових ямах
von: Zinovchuk, A.V., et al.
Veröffentlicht: (2025)

Effect of neutron irradiation on characteristics of power InGaN/GaN light-emitting diodes
von: O. I. Vlasenko, et al.
Veröffentlicht: (2015)

X-ray diffraction investigation of GaN layers on Si(111) and Al2O3(0001) substrates
von: N. V. Safriuk, et al.
Veröffentlicht: (2013)

Deformation state of short-period AlGaN/GaN superlattices at different well-barrier thickness ratios
von: Kladko, V.P., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Effect of the sapphire substrate on spectral emission features of LEDs based on InGaN/AlGaN/GaN heterostructures
von: Bletskan, D.I., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Дослідження пасток в гетероструктурах AlGaN/GaN ультразвуковими коливаннями
von: Kaliuzhnyi, V.V., et al.
Veröffentlicht: (2021)

Investigation of traps in AlGaN/GaN heterostructures by ultrasonic vibrations
von: V. V. Kaliuzhnyi, et al.
Veröffentlicht: (2021)

Investigation of traps in AlGaN/GaN heterostructures by ultrasonic vibrations
von: V. V. Kaliuzhnyi, et al.
Veröffentlicht: (2021)

Influence of electron irradiation with E = 2 MeV on electrophysical and optical characteristics of green InGaN/GaN LEDs
von: T. I. Mosiuk, et al.
Veröffentlicht: (2023)

Deformation state of short-period AlGaN/GaN superlattices at different well-barrier thickness ratios
von: V. P. Kladko, et al.
Veröffentlicht: (2014)

Investigation of resistance formation mechanisms for contacts to n-AlN and n-GaN with a high dislocation density
von: Sachenko, A.V., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Optical properties of irradiated epitaxial GaN films
von: A. E. Belyaev, et al.
Veröffentlicht: (2014)

Electron transport in AlGaN/GaN HEMT-like nanowires: Effect of depletion and UV excitation
von: Naumov, A.V., et al.
Veröffentlicht: (2021)

Reduction of reverse leakage current at the TiO₂/GaN interface in field plate Ni/Au/-GaN Schottky diodes
von: Shashikala, B.N., et al.
Veröffentlicht: (2021)

On the current flow mechanism in the Au-TiBx-n-GaN-i-Al₂O₃ Schottky barrier diodes
von: Belyaev, A.E., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Self-heating effects in AlGaN/GaN HEMT heterostructures: Electrical and optical characterization
von: Naumov, A.V., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Effect of microwave radiation on I-V curves and contact resistivity of ohmic contacts to n-GaN and n-AlN
von: Belyaev, A.E., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Resistance formation mechanisms for contacts and to n-AlN and n-GaN with a high dislocation density
von: A. V. Sachenko, et al.
Veröffentlicht: (2012)

Фононні та поляронні стани циліндричних дротів ZnO/GaN та GaN/AlN
von: Boichuk, V.I., et al.
Veröffentlicht: (2022)

The composition effect on the bowing parameter in the cubic InGaN, AlGaN and AlInN alloys
von: Berrah, S., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Significance of DX-centers for acoustic induced reconstruction processes of defects in GaN/AlGaN
von: Ya. M. Olikh, et al.
Veröffentlicht: (2021)

Simulation of X-Ray Diffraction Spectra for AlN/GaN Multiple Quantum Well Structures on AlN(0001) with Interface Roughness and Variation of Vertical Layers Thickness
von: Liubchenko, O.I., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Optical properties of irradiated epitaxial GaN films
von: Ye. Bieliaiev, et al.
Veröffentlicht: (2014)

Self-heating effects in AlGaN/GaN HEMT heterostructures: Electrical and optical characterization
von: A. V. Naumov, et al.
Veröffentlicht: (2015)

Ultra-high field transport in GaN-based heterostructures
von: Vitusevich, S.A., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Sub-THz nonresonant detection in AlGaN/GaN heterojunction FETs
von: A. G. Golenkov, et al.
Veröffentlicht: (2015)

Sub-THz nonresonant detection in AlGaN/GaN heterojunction FETs
von: Golenkov, A.G., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Mechanism of current flow and temperature dependence of contact resistivity in Au-Pd-Ti-Pd-n⁺ -GaN ohmic contacts
von: Sachenko, A.V., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Current instabilities in resonant tunnelling diodes based on GaN/AlN heterojunctions
von: Belyaev, A.E., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Effect of microwave radiation on I V curves and contact resistivity of ohmic contacts to n-GaN and n-AlN
von: A. E. Belyaev, et al.
Veröffentlicht: (2013)

Impact of proton irradiation on AlGaN/GaN transistors with high electron mobility
von: M. Bataev, et al.
Veröffentlicht: (2011)

Mechanism of current flow and temperature dependence of contact resistivity in Au-Pd-Ti-Pd-n+-GaN ohmic contacts
von: A. V. Sachenko, et al.
Veröffentlicht: (2013)

Epitaxial InGaN nanostructures grown in pores of anodic aluminium oxide on Si
von: G. G. Gorokh, et al.
Veröffentlicht: (2011)

The temperature dependence of the inelastic scattering time in InGaN grown by MOVPE
von: Yildiz, A., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Influence of atomic disorder on the auger recombination rate in p-InGaN alloys
von: A. V. Zinovchuk, et al.
Veröffentlicht: (2020)

Influence of atomic disorder on the auger recombination rate in p-InGaN alloys
von: A. V. Zinovchuk, et al.
Veröffentlicht: (2020)

Electro-optic effect in GaN/Al₀.₁₅Ga₀.₈₅N single quantum wells for optical switch
von: Elkadadra, A., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Schottky-barrier Au–TiBx–n-GaN contacts
von: Ya. Kudryk
Veröffentlicht: (2015)