Lee, S., Vlaskina, S., Vlaskin, V., Zaharchenko, I., Gubanov, V., Mishinova, G., . . . Podlasov, S. (2010). Silicon carbide defects and luminescence centers in current heated 6H-SiC. Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics.
Чикаго стиль цитування (17-те видання)Lee, S.W, S.I Vlaskina, V.I Vlaskin, I.V Zaharchenko, V.A Gubanov, G.N Mishinova, G.S Svechnikov, V.E Rodionov, та S.A Podlasov. "Silicon Carbide Defects and Luminescence Centers in Current Heated 6H-SiC." Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics 2010.
Стиль цитування MLA (8-ме видання)Lee, S.W, et al. "Silicon Carbide Defects and Luminescence Centers in Current Heated 6H-SiC." Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2010.
Попередження: стилі цитування не завжди правильні на всі 100%.