Role of Sb additive in the dielectric properties of f Se₉₀In₁₀ and Se₇₅In₂₅ glassy alloys
In this paper, we report the effect of Sb additive on dielectric properties of two binary − InSe glassy systems, comparing the properties of a- Se₉₀In₁₀ a- Se₇₅In₂₅ and a Se₇₅In₂₅Sb₁₅ glassy alloys. The temperature and frequency dependence of ε′ and ε′′ in glassy Se₉₀In₁₀ , Se₇₅In₂₅, and Se₇₅In₂...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
|---|---|
| Дата: | 2011 |
| Автори: | Sharma, J., Kumar, S. |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2011
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/117703 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Role of Sb additive in the dielectric properties of Se₉₀In₁₀ and Se₇₅In₂₅ glassy alloys / J. Sharma, S. Kumar // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2011. — Т. 14, № 2. — С. 152-156. — Бібліогр.: 17 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
-
Role of Sb additive in the dielectric properties of Se90In10 and Se75In25 glassy alloys
за авторством: J. Sharma, та інші
Опубліковано: (2011) -
Relaxation and thermoinduced processes in glassy HgSe(x)-GeSe₂(₁-x) alloys
за авторством: Halyan, V.V., та інші
Опубліковано: (2003) -
Urbach’s edge of glassy HgSe-GeSe₂ alloys: static disorder and temperature dependence of optical absorption
за авторством: Bozhko, V.V., та інші
Опубліковано: (2002) -
Glass formation region and X-ray analysis of the glassy alloys in AgGaSe₂+GeS₂<=>AgGaS₂+GeSe₂ system
за авторством: Halyan, V.V., та інші
Опубліковано: (2009) -
Dielectric relaxation in Se₈₀Ge₂₀ and Se₇₅Ge₂₀Ag₅ chalcogenide glasses
за авторством: Dwivedi, A., та інші
Опубліковано: (2005)