The electric field gradient asymmetry parameter in InSe
The complex NQR spectra of ¹¹⁵In caused by presence of structural defects called polytypes are observed in a monocrystalline InSe sample. Multiple ratio of average frequencies of NQR spectra that correspond to four resonance transitions of quadrupole nuclii with spins I = 9/2 testifies to existen...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
|---|---|
| Дата: | 2011 |
| Автори: | , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2011
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/117706 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | The electric field gradient asymmetry parameter in InSe / Z.D. Kovalyuk, A.G. Khandozhko, G.I. Lastivka, A.P. Samila // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2011. — Т. 14, № 2. — С. 164-166. — Бібліогр.: 8 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
The electric field gradient asymmetry parameter in InSe
за авторством: Z. D. Kovalyuk, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Z. D. Kovalyuk, та інші
Опубліковано: (2011)
Fine structure of NQR spectra in GaSe
за авторством: Kovalyuk, Z.D., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Kovalyuk, Z.D., та інші
Опубліковано: (2009)
Investigation of InS-InSe heterojunctions prepared using sulphurization of p-InSe
за авторством: Kovalyuk, Z.D., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Kovalyuk, Z.D., та інші
Опубліковано: (2012)
Electrical and photoelectrical properties of n-InSe/p-CuInSe₂ optical contact
за авторством: Kovalyuk, Z.D., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Kovalyuk, Z.D., та інші
Опубліковано: (2004)
Electrical properties of photosensitive heterostructures n-FeS₂/p-InSe
за авторством: Tkachuk, I.G., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Tkachuk, I.G., та інші
Опубліковано: (2018)
Electrical properties of fast cooled InSe single crystals
за авторством: Zaslonkin, A.V., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Zaslonkin, A.V., та інші
Опубліковано: (2008)
Mechanisms of forward current transport in p-GaSe-n-InSe heterojunctions
за авторством: Kovalyuk, Z.D., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Kovalyuk, Z.D., та інші
Опубліковано: (2003)
Optical and electrical properties of InSe and GaSe layered crystals intercalated with ethanol
за авторством: V. B. Boledzyuk, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: V. B. Boledzyuk, та інші
Опубліковано: (2013)
Sheet resistance and surface topology time dynamics of intrinsic oxide film on InSe crystals
за авторством: Katerynchuk, V.M., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Katerynchuk, V.M., та інші
Опубліковано: (2011)
Investigation of InS-InSe heterojunctions prepared using sulphurization of p-InSe
за авторством: Z. D. Kovalyuk, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Z. D. Kovalyuk, та інші
Опубліковано: (2012)
On Wannier exciton 2D localization in hydrogen intercalated InSe and GaSe layered semiconductor crystals
за авторством: Zhirko, Yu.I., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Zhirko, Yu.I., та інші
Опубліковано: (2004)
Гетеропереходы, сформированные отжигом слоистых кристаллов GaSe и InSe в парах цинка
за авторством: Kudrynskyi, Z. R., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Kudrynskyi, Z. R., та інші
Опубліковано: (2012)
Optical and electrical properties of InSe and GaSe layered crystals intercalated with ethanol
за авторством: V. B. Boledziuk, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: V. B. Boledziuk, та інші
Опубліковано: (2013)
Effect of the electron irradiation on electrical properties of n-InSe and their anisotropy
за авторством: I. V. Mintianskyi, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: I. V. Mintianskyi, та інші
Опубліковано: (2018)
Sheet resistance and surface topology time dynamics of intrinsic oxide film on InSe crystals
за авторством: V. M. Katerynchuk, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: V. M. Katerynchuk, та інші
Опубліковано: (2011)
Diluted magnetic layered semiconductor InSe:Mn with high Curie temperature
за авторством: Lashkarev, G.V., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Lashkarev, G.V., та інші
Опубліковано: (2011)
Гетероструктуры, полученные методом отжига монокристаллов InSe в парах серы
за авторством: Kovalyuk, Z. D., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Kovalyuk, Z. D., та інші
Опубліковано: (2009)
Structure similarity and lattice dynamics of InSe and In₄Se₃ crystals
за авторством: Bercha, D.M., та інші
Опубліковано: (2000)
за авторством: Bercha, D.M., та інші
Опубліковано: (2000)
Характеристики фотодиодов со структурой «собственный оксид – InSe», облученных высокоэнергетическими электронами
за авторством: Sydor, O. N., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Sydor, O. N., та інші
Опубліковано: (2012)
Перенос заряда по локализованным состояниям в монокристаллах InSe и InSe<Sn>
за авторством: Мустафаева, С.Н., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Мустафаева, С.Н., та інші
Опубліковано: (2010)
Особливості магнітоопору монокристалів InSe І GaSe
за авторством: Pokladok, N. T., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Pokladok, N. T., та інші
Опубліковано: (2013)
Photoelectrical parameters of SnS2-khSekh-InSe heterojunctions (0≤kh≤1)
за авторством: V. N. Katerinchuk, та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: V. N. Katerinchuk, та інші
Опубліковано: (2006)
Влияние отжига на ВАХ гетероперехода n-ZnO – p-InSe
за авторством: Kovalyuk, Z. D., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Kovalyuk, Z. D., та інші
Опубліковано: (2015)
Immersion zone irradiated with n-InSe electrons
за авторством: I. V. Mintianskyi, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: I. V. Mintianskyi, та інші
Опубліковано: (2013)
Diluted magnetic layered semiconductor InSe:Mn with high Curie temperature
за авторством: G. V. Lashkarev, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: G. V. Lashkarev, та інші
Опубліковано: (2011)
Створення гетероструктури n-InSe-графіт
за авторством: Ковалюк, З.Д., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Ковалюк, З.Д., та інші
Опубліковано: (2016)
Photoelectric properties of In₂O₃-InSe heterostructure with nanostructured oxide
за авторством: Katerynchuk, V.M., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Katerynchuk, V.M., та інші
Опубліковано: (2012)
Влияние γ-облучения на параметры локализованных состояний в монокристаллах p-InSe и n-InSe<Sn>
за авторством: Мустафаева, С.Н., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Мустафаева, С.Н., та інші
Опубліковано: (2010)
High-gradient fields in magnets with giant anisotropy
за авторством: Samofalov, V.N., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Samofalov, V.N., та інші
Опубліковано: (2008)
The effect of thermal treatment on the properties of the InSe and GaSe, doped by cobalt and vanadium selenidem
за авторством: Z. D. Kovaliuk, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Z. D. Kovaliuk, та інші
Опубліковано: (2014)
Layered crystals FeIn₂Se₄, In₄Se₃ and heterojunctions on their basis
за авторством: Kushnir, B.V., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Kushnir, B.V., та інші
Опубліковано: (2017)
The effect of the introduction of NI2+ ions on the properties of InSe layered crystals
за авторством: V. B. Boledziuk, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: V. B. Boledziuk, та інші
Опубліковано: (2014)
Photoelectric properties of In2O3-InSe heterostructure with nanostructured oxide
за авторством: V. M. Katerynchuk, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: V. M. Katerynchuk, та інші
Опубліковано: (2012)
Фотоконденсатор на основе нанокомпозита n-InSe<RbNO₃>
за авторством: Нетяга, В.В., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Нетяга, В.В., та інші
Опубліковано: (2018)
Полупроводниковые гетеропереходы оксид-InSe(GaSe) для фотоэлектрических анализаторов поляризованного излучения
за авторством: Ковалюк, З.Д., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Ковалюк, З.Д., та інші
Опубліковано: (2004)
Автодинный спектрометр ядерного квадрупольного резонанса с равномерной частотной шкалой
за авторством: Samila, A. P., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Samila, A. P., та інші
Опубліковано: (2010)
Photocapacitor based on nanocomposite n-InSe &lt; RbNO3&gt;
за авторством: V. V. Netjaga, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: V. V. Netjaga, та інші
Опубліковано: (2018)
Вплив інтеркалювання нікелем на властивості шаруватих кристалів InSe
за авторством: Боледзюк, В.Б., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Боледзюк, В.Б., та інші
Опубліковано: (2014)
Light absorption by excited exciton states in layered InSe crystals
за авторством: Zhirko, Yu.I., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Zhirko, Yu.I., та інші
Опубліковано: (2002)
Impedance Anisotropy and Quantum Photocapacity of Bio/Inorganic Clathrates InSe<HISTIDINE> and GaSe<HISTIDINE>
за авторством: Ivashchyshyn, F.O., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Ivashchyshyn, F.O., та інші
Опубліковано: (2015)