Gaidar, G., Dolgolenko, A., & Litovchenko, P. (2011). The kinetic of point defect transformation during the annealing process in electron-irradiated silicon. Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics.
Чикаго стиль цитування (17-те видання)Gaidar, G.P, A.P Dolgolenko, та P.G Litovchenko. "The Kinetic of Point Defect Transformation During the Annealing Process in Electron-irradiated Silicon." Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics 2011.
Стиль цитування MLA (8-ме видання)Gaidar, G.P, et al. "The Kinetic of Point Defect Transformation During the Annealing Process in Electron-irradiated Silicon." Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2011.
Попередження: стилі цитування не завжди правильні на всі 100%.