The kinetic of point defect transformation during the annealing process in electron-irradiated silicon
The A-centers (VO) annealing and transformation of precursors to form stable СiОi defects during these processes are described. It was found the necessity to take into account annihilation of vacancy type defects with the interstitial type mobile defects to describe the annealing of defects. I...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
|---|---|
| Дата: | 2011 |
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2011
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/117707 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | The kinetic of point defect transformation during the annealing process in electron-irradiated silicon / G.P. Gaidar, A.P. Dolgolenko, P.G. Litovchenko // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2011. — Т. 14, № 2. — С. 213-221. — Бібліогр.: 32 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
The kinetic of point defect transformation during the annealing process in electron-irradiated silicon
за авторством: G. P. Gaidar, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: G. P. Gaidar, та інші
Опубліковано: (2011)
Dependence of the defect introduction rate on the dose of irradiation of p-Si by fast-pile neutrons
за авторством: Dolgolenko, A.P., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Dolgolenko, A.P., та інші
Опубліковано: (2007)
Influence of the annealing of silicon crystals at 1200 °C on the Hall effect and magnetoresistance
за авторством: Baranskyy, P.I., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Baranskyy, P.I., та інші
Опубліковано: (2002)
Physical kinetics of redistribution of point defects in irradiated crystals
за авторством: O. V. Oliinyk, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: O. V. Oliinyk, та інші
Опубліковано: (2012)
Influence of growing and doping methods on radiation hardness of n-Si irradiated by fast-pile neutrons
за авторством: Dolgolenko, A.P., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Dolgolenko, A.P., та інші
Опубліковано: (2004)
Investigation of the influence of isovalent impurity of silicon and y-irradiation (⁶⁰Co) on electrophysical parameters of n-Ge <Sb>
за авторством: Gaidar, G.P.
Опубліковано: (2014)
за авторством: Gaidar, G.P.
Опубліковано: (2014)
The annealing of high - level doped materials on the base of the n – and p – Si₀.₇ Ge₀.₃ solid solution under reactor irradiation
за авторством: Dolgolenko, A.P.
Опубліковано: (2006)
за авторством: Dolgolenko, A.P.
Опубліковано: (2006)
Evolution of defective structure of the irradiated silicon during natural ageing
за авторством: Fodchuk, I.M., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Fodchuk, I.M., та інші
Опубліковано: (2003)
Pressure-induced transformations during annealing of silicon implanted with oxygen
за авторством: Misiuk, A., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Misiuk, A., та інші
Опубліковано: (2006)
Influence of preliminary irradiation on radiation hardness of silicon and indium antimonide
за авторством: Litovchenko, P.G., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Litovchenko, P.G., та інші
Опубліковано: (2001)
Influence of neutron irradiation on elctrooptical and structural properties of silicon
за авторством: Groza, A.A., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Groza, A.A., та інші
Опубліковано: (2001)
Features of radiation-defect annealing in n-Ge single crystals irradiated with high-energy electrons
за авторством: S. V. Luniov, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: S. V. Luniov, та інші
Опубліковано: (2019)
Features of piezoresistance in heavily doped n-silicon crystals
за авторством: Gaidar, G.P.
Опубліковано: (2013)
за авторством: Gaidar, G.P.
Опубліковано: (2013)
Changes in Hall parameters after γ-irradiation (⁶⁰Со) of n-Ge
за авторством: Gaidar, G.P.
Опубліковано: (2011)
за авторством: Gaidar, G.P.
Опубліковано: (2011)
Thermal annealing and evolution of defects in neutron-irradiated cubic SiC
за авторством: Bratus, V.Ya., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Bratus, V.Ya., та інші
Опубліковано: (2015)
Thermal annealing and evolution of defects in neutron-irradiated cubic SiC
за авторством: Ya. Bratus, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Ya. Bratus, та інші
Опубліковано: (2015)
On methodology of measuring parameters with the increased sensitivity to residual or irradiation induced inhomogeneities in semiconductors
за авторством: Gaidar, G.P.
Опубліковано: (2009)
за авторством: Gaidar, G.P.
Опубліковано: (2009)
Investigation of the influence of isovalent impurity of silicon and -irradiation (60Co) on electrophysical parameters of n-Ge Sb
за авторством: G. P. Gaidar
Опубліковано: (2014)
за авторством: G. P. Gaidar
Опубліковано: (2014)
Features of radiation-defect annealing in n-Ge single crystals irradiated with high-energy electrons
за авторством: S. V. Lunov, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: S. V. Lunov, та інші
Опубліковано: (2019)
Influence of γ-irradiation (⁶⁰Со) on the concentration and mobility of carriers in Ge and Si single crystals of n-type
за авторством: Gaidar, G.P.
Опубліковано: (2012)
за авторством: Gaidar, G.P.
Опубліковано: (2012)
Influence of divacancy-oxygen defects on recombination properties of n-Si subjected to irradiation and subsequent annealing
за авторством: M. M. Krasko, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: M. M. Krasko, та інші
Опубліковано: (2018)
Nature and kinetics of paramagnetic defects in chitosan induced by beta-irradiation
за авторством: A. A. Konchits, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: A. A. Konchits, та інші
Опубліковано: (2018)
Dose dependence of tensoresistance for the symmetrical orientation of the deformation axis relatively to all isoenergetic ellipsoids in γ-irradiated (⁶⁰Co) n-Si crystals
за авторством: Gaidar, G.P.
Опубліковано: (2018)
за авторством: Gaidar, G.P.
Опубліковано: (2018)
Nature and kinetics of paramagnetic defects in chitosan induced by beta-irradiation of chitosan
за авторством: Konchits, A.A., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Konchits, A.A., та інші
Опубліковано: (2018)
Influence of pulse thermal annealing on photoelectrical properties of locally grown polycrystalline silicon films
за авторством: Mamikonova, V.M., та інші
Опубліковано: (1999)
за авторством: Mamikonova, V.M., та інші
Опубліковано: (1999)
Simulation of a spatial organization of point defects in irradiated systems
за авторством: D. O. Kharchenko, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: D. O. Kharchenko, та інші
Опубліковано: (2013)
Simulation of a spatial organization of point defects in irradiated systems
за авторством: D. O. Kharchenko, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: D. O. Kharchenko, та інші
Опубліковано: (2013)
Features of tensoresistance in single crystals of germanium and silicon with different dopants
за авторством: Baranskii, P.I., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Baranskii, P.I., та інші
Опубліковано: (2016)
Influence of divacancy-oxygen defects on recombination properties of n-Si subjected to irradiation and subsequent annealing
за авторством: M. M. Krasko, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: M. M. Krasko, та інші
Опубліковано: (2018)
Thermodynamics and crystal chemistry of point defects in PpbTe crystals at two-temperature annealing
за авторством: D. M. Freik, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: D. M. Freik, та інші
Опубліковано: (2011)
Optimization of technology for fabrication of sectional nuclear radiation detectors based on high-resistance silicon
за авторством: Gaidar, G.P., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Gaidar, G.P., та інші
Опубліковано: (2017)
Amorphization kinetics under electron irradiation
за авторством: Bakai, A.S., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Bakai, A.S., та інші
Опубліковано: (2005)
Dependence of the anisotropy parameter of drag thermo-emf on the impurity concentration in the n-type germanium and silicon crystals
за авторством: Gaidar, G.P., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Gaidar, G.P., та інші
Опубліковано: (2017)
Kinetics of Mechanically Induced Separation of Chromium-Nickel Steels with Regard for Generation of Point Defects by Glide Dislocations during SPD
за авторством: V. N. Varjukhin, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: V. N. Varjukhin, та інші
Опубліковано: (2013)
Recombination parameters of point defects in dislocation-free silicon single crystals
за авторством: Talanin, V.I., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Talanin, V.I., та інші
Опубліковано: (2006)
Radiation-induced effects in silicon
за авторством: Gaidar, G.P., та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Gaidar, G.P., та інші
Опубліковано: (2019)
Influence of structural defects on photoconductivity of zinc diphosphide
за авторством: Kudin, A.P., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Kudin, A.P., та інші
Опубліковано: (2001)
Kinetics disintegration of chromoium nanofilms deposited onto oxide materials during annealing in vacuum
за авторством: Yu. V. Naidich, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Yu. V. Naidich, та інші
Опубліковано: (2018)
The growth of Sb₂S₃ crystals with bend lattice during amorphous films annealing and condensation
за авторством: Bagmut, A.G., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Bagmut, A.G., та інші
Опубліковано: (2005)
Configuration transitions of divacancies in silicon and germanium
за авторством: A. P. Dolgolenko
Опубліковано: (2013)
за авторством: A. P. Dolgolenko
Опубліковано: (2013)