Charge transport in bismuth orthogermanate crystals
Current-voltage relations in bismuth orthogermanate crystals with Ag, Pt, InGa
 electrodes have been measured in the modes of double and unipolar injection of
 charge carriers. It has been shown that Bi₄Ge₃O₁₂ is relaxation type semiconductor. The
 appearance of the regions w...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
|---|---|
| Datum: | 2011 |
| Hauptverfasser: | , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Englisch |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2011
|
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/117709 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Charge transport in bismuth orthogermanate crystals / T.M. Bochkova, S.N. Plyaka // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2011. — Т. 14, № 2. — С. 170-174. — Бібліогр.: 17 назв. — англ. |