Стиль цитування APA (7-ме видання)

Tripathy, P., Mukherjee, M., & Pati, S. (2011). Dynamic properties and avalanche noise analysis of 4H-SiC over wz-GaN based IMPATTs at mm-wave window frequency. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України.

Чикаго стиль цитування (17-те видання)

Tripathy, P.R, M. Mukherjee, та S.P Pati. Dynamic Properties and Avalanche Noise Analysis of 4H-SiC over Wz-GaN Based IMPATTs at Mm-wave Window Frequency. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, 2011.

Стиль цитування MLA (8-ме видання)

Tripathy, P.R, et al. Dynamic Properties and Avalanche Noise Analysis of 4H-SiC over Wz-GaN Based IMPATTs at Mm-wave Window Frequency. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, 2011.