Зображення обкладинки

Dynamic properties and avalanche noise analysis of 4H-SiC over wz-GaN based IMPATTs at mm-wave window frequency

The mm-wave as well as noise properties of IMPATT diodes for the D-band are efficiently determined, with 4H-SiC and wurtzite type GaN as base materials, using advanced computer simulation techniques developed by the authors. The breakdown voltage (180 V) and efficiency (14.7%) is higher in case of 4...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :	Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Дата:	2011
Автори:	Tripathy, P.R., Mukherjee, M., Pati, S.P.
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2011
Онлайн доступ:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/117715
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Dynamic properties and avalanche noise analysis of 4H-SiC over wz-GaN based IMPATTs at mm-wave window frequency / P.R. Tripathy, M. Mukherjee, S.P. Pati // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2011. — Т. 14, № 2. — С. 137-144. — Бібліогр.: 26 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Dynamic properties and avalanche noise analysis of 4H-SiC over wz-GaN based IMPATTs at mm-wave window frequency
за авторством: P. R. Tripathy, та інші
Опубліковано: (2011)

Investigation of traps in AlGaN/GaN heterostructures by ultrasonic vibrations
за авторством: V. V. Kaliuzhnyi, та інші
Опубліковано: (2021)

Investigation of traps in AlGaN/GaN heterostructures by ultrasonic vibrations
за авторством: V. V. Kaliuzhnyi, та інші
Опубліковано: (2021)

Calculation of electron mobility and effect of dislocation scattering in GaN
за авторством: Kundu, J., та інші
Опубліковано: (2007)

Optical properties of irradiated epitaxial GaN films
за авторством: Ye. Bieliaiev, та інші
Опубліковано: (2014)

Optical properties of irradiated epitaxial GaN films
за авторством: A. E. Belyaev, та інші
Опубліковано: (2014)

Contacts for silicon IMPATT and pick-off diodes
за авторством: Boltovets, N.S., та інші
Опубліковано: (2000)

Effect of neutron irradiation on characteristics of power InGaN/GaN light-emitting diodes
за авторством: O. I. Vlasenko, та інші
Опубліковано: (2015)

Electrophysical сharacteristics of LEDs based on GaN epitaxial films
за авторством: Oleksenko, P.Ph., та інші
Опубліковано: (1998)

Sub-THz nonresonant detection in AlGaN/GaN heterojunction FETs
за авторством: A. G. Golenkov, та інші
Опубліковано: (2015)

Reflection coefficient and optical conductivity of gallium nitride GaN
за авторством: J. O. Akinlami, та інші
Опубліковано: (2012)

Reflection coefficient and optical conductivity of gallium nitride GaN
за авторством: Akinlami, J.O., та інші
Опубліковано: (2012)

Ultra-high field transport in GaN-based heterostructures
за авторством: Vitusevich, S.A., та інші
Опубліковано: (2006)

MODELLING OF OPERATION MODES AND ELECTROMAGNETIC INTERFERENCES OF GaN-TRANSISTOR CONVERTERS
за авторством: Onikienko, Y. O., та інші
Опубліковано: (2020)

Significance of DX-centers for acoustic induced reconstruction processes of defects in GaN/AlGaN
за авторством: Ya. M. Olikh, та інші
Опубліковано: (2021)

X-ray diffraction study of deformation state in InGaN/GaN multilayered structures
за авторством: V. P. Kladko, та інші
Опубліковано: (2010)

X-ray diffraction study of deformation state in InGaN/GaN multilayered structures
за авторством: Kladko, V.P., та інші
Опубліковано: (2010)

Self-heating effects in AlGaN/GaN HEMT heterostructures: Electrical and optical characterization
за авторством: A. V. Naumov, та інші
Опубліковано: (2015)

Self-heating effects in AlGaN/GaN HEMT heterostructures: Electrical and optical characterization
за авторством: Naumov, A.V., та інші
Опубліковано: (2015)

Impact of proton irradiation on AlGaN/GaN transistors with high electron mobility
за авторством: M. Bataev, та інші
Опубліковано: (2011)

Construction of mm-band and cm-band radiometers based on satellite low noise blocks
за авторством: I. M. Mytsenko, та інші
Опубліковано: (2016)

Influence of treatment in weak magnetic fields on photoluminescence of GaN:Si
за авторством: Red’ko, S.M.
Опубліковано: (2015)

Influence of weak magnetic fields treatment on photoluminescence of GaN:Si
за авторством: S. M. Redko
Опубліковано: (2015)

Schottky-barrier Au–TiBx–n-GaN contacts
за авторством: Ya. Kudryk
Опубліковано: (2015)

Thermal conductivity of donor-doped GaN measured with 3ω and stationary methods
за авторством: O. Churiukova, та інші
Опубліковано: (2015)

Thermal conductivity of donor-doped GaN measured with 3ω and stationary methods
за авторством: Churiukova, O., та інші
Опубліковано: (2015)

Electro-optic effect in GaN/Al₀.₁₅Ga₀.₈₅N single quantum wells for optical switch
за авторством: Elkadadra, A., та інші
Опубліковано: (2010)

Deformation state of short-period AlGaN/GaN superlattices at different well-barrier thickness ratios
за авторством: V. P. Kladko, та інші
Опубліковано: (2014)

Deformation state of short-period AlGaN/GaN superlattices at different well-barrier thickness ratios
за авторством: Kladko, V.P., та інші
Опубліковано: (2014)

Non-destructive control and diagnostics of led GaN structures by using microplasmas (Review)
за авторством: V. P. Veleshchuk, та інші
Опубліковано: (2016)

Влияние протонного облучения на AlGaN/GaN транзисторы c высокой подвижностью электронов
за авторством: Батаев, М., та інші
Опубліковано: (2011)

Формирование прозрачных омических контактов к р-GaN для светоизлучающих диодов
за авторством: Bosiy, V. I., та інші
Опубліковано: (2007)

Effect of microwave treatment on current flow mechanism in ohmic contacts to GaN
за авторством: Sheremet, V.N.
Опубліковано: (2013)

Diffusion properties of electrons in GaN crystals subjected to electric and magnetic fields
за авторством: G. I. Syngaivska, та інші
Опубліковано: (2018)

Effect of microwave treatment on current flow mechanism ohmic contacts to GaN
за авторством: V. N. Sheremet
Опубліковано: (2013)

Hartree−Fock problem of electron-hole pair in quantum well GaN
за авторством: L. O. Lokot
Опубліковано: (2013)

Hartree−Fock problem of electron-hole pair in quantum well GaN
за авторством: L. O. Lokot
Опубліковано: (2013)

Extreme HT-HP conditions for activation of noticeable oxygen diffusion in GaN
за авторством: B. Sadovyi, та інші
Опубліковано: (2017)

Diffusion properties of electrons in GaN crystals subjected to electric and magnetic fields
за авторством: Syngaivska, G.I., та інші
Опубліковано: (2018)

Influence of electron irradiation with E = 2 MeV on electrophysical and optical characteristics of green InGaN/GaN LEDs
за авторством: T. I. Mosiuk, та інші
Опубліковано: (2023)