Rana, A., Chand, N., & Kapoor, V. (2011). Impact of sidewall spacer on gate leakage behavior of nano-scale MOSFETs. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України.
Chicago-Zitierstil (17. Ausg.)Rana, A.K, N. Chand, und V. Kapoor. Impact of Sidewall Spacer on Gate Leakage Behavior of Nano-scale MOSFETs. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, 2011.
MLA-Zitierstil (8. Ausg.)Rana, A.K, et al. Impact of Sidewall Spacer on Gate Leakage Behavior of Nano-scale MOSFETs. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, 2011.
Achtung: Diese Zitate sind unter Umständen nicht zu 100% korrekt.