Impact of sidewall spacer on gate leakage behavior of nano-scale MOSFETs
Semiconductor devices with a low gate leakage current are preferred for low
 power application. As the devices are scaled down, sidewall spacer for CMOS transistor
 in nano-domain becomes increasingly critical and plays an important role in device
 performance evaluation. In...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
|---|---|
| Дата: | 2011 |
| Автори: | Rana, A.K., Chand, N., Kapoor, V. |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2011
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/117721 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Impact of sidewall spacer on gate leakage behavior of nano-scale MOSFETs / Ashwani K. Rana, Narottam Chand, Vinod Kapoor // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2011. — Т. 14, № 2. — С. 203-208. — Бібліогр.: 15 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
Impact of sidewall spacer on gate leakage behavior of nano-scale MOSFETs
за авторством: A. K. Rana, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: A. K. Rana, та інші
Опубліковано: (2011)
Influence of traps in gate oxide-Si film transition layers on FD MOSFET's characteristics at cryogenic emperatures
за авторством: Lysenko, V.S., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Lysenko, V.S., та інші
Опубліковано: (2007)
A neural computation to study the scaling capability of the undoped DG MOSFET
за авторством: Djeffal, F., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Djeffal, F., та інші
Опубліковано: (2008)
Cascade of Axial-Symmetric Inhomogeneous Resonators with Impedance Sidewalls
за авторством: Kazanskiy, V. B., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Kazanskiy, V. B., та інші
Опубліковано: (2013)
ПОРІВНЯЛЬНИЙ АНАЛІЗ ДИНАМІЧНИХ ХАРАКТЕРИСТИК SI-MOSFET, SIC-MOSFET ТА SI-IGBT ТРАНЗИСТОРІВ
за авторством: Ковбаса, С.М., та інші
Опубліковано: (2025)
за авторством: Ковбаса, С.М., та інші
Опубліковано: (2025)
Surface mounting of unpackaged power MOSFET
за авторством: D. L. Anufriev, та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: D. L. Anufriev, та інші
Опубліковано: (2006)
USING MOSFET-TRANSISTORS IN SOLAR PANELS
за авторством: Bondarenko, D.
Опубліковано: (2022)
за авторством: Bondarenko, D.
Опубліковано: (2022)
Some approuch to the fluorophore-tagging and barcoding of nano-scale objects
за авторством: Lebed, A.S., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Lebed, A.S., та інші
Опубліковано: (2011)
Possibilities of friction force and sidewall sticking reduction on directional and horizontal parts of deep well hole
за авторством: Ye. Chernova, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Ye. Chernova, та інші
Опубліковано: (2017)
Поверхностный монтаж мощных бескорпусных MOSFET-транзисторов
за авторством: Anufriev, D. L., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Anufriev, D. L., та інші
Опубліковано: (2006)
Improvement of alkyd coatings protective properties by nano-scale phosphate pigment
за авторством: V. I. Pokhmurskyi, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: V. I. Pokhmurskyi, та інші
Опубліковано: (2014)
Modified optical OR and AND gates
за авторством: Srinivasulu, Avireni
Опубліковано: (2002)
за авторством: Srinivasulu, Avireni
Опубліковано: (2002)
Surface plasmon resonance in "Monolayer of Ni nanoparticles/dielectric spacer/Au (Ni) film" nanostructure: Tuning by variation of spacer thickness
за авторством: O. A. Yeshchenko, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: O. A. Yeshchenko, та інші
Опубліковано: (2018)
Surface plasmon resonance in "Monolayer of Ni nanoparticles/dielectric spacer/Au (Ni) film" nanostructure: Tuning by variation of spacer thickness
за авторством: O. A. Yeshchenko, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: O. A. Yeshchenko, та інші
Опубліковано: (2018)
Semi-quantitative model of the gating of KcsA ion channel. 1. Geometry and energetics of the gating
за авторством: Kharkyanen, V.N., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Kharkyanen, V.N., та інші
Опубліковано: (2009)
Orgfanization and variability of the 5S rDNA intergenic spacer of Lathyrus venetus
за авторством: Yu. O. Tynkevych, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Yu. O. Tynkevych, та інші
Опубліковано: (2015)
Polymorphism of 5S rDNA intergenic spacer in some Gentiana species
за авторством: I. O. Andrieiev, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: I. O. Andrieiev, та інші
Опубліковано: (2017)
Nano-scale liposomal container with a «signal system» for substances delivering in living cells
за авторством: Yefimova, S.L., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Yefimova, S.L., та інші
Опубліковано: (2011)
Electro-optical hybrid logic gates
за авторством: Ekkurthi Sreenivasa Rao, та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Ekkurthi Sreenivasa Rao, та інші
Опубліковано: (2007)
How rib-side track rigidity impacts on the gate contour convergence and eclosing rock state
за авторством: S. A. Kurnosov, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: S. A. Kurnosov, та інші
Опубліковано: (2015)
High-temperature characteristics of zone-melting recrystallized silicon-on-insulator MOSFETs
за авторством: Lysenko, V.S., та інші
Опубліковано: (1998)
за авторством: Lysenko, V.S., та інші
Опубліковано: (1998)
Pecularities of filling a mold for large steel casting in a storied gating system with a direct gate
за авторством: A. V. Dudchenko, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: A. V. Dudchenko, та інші
Опубліковано: (2013)
Giant resistance switching effect in nano-scale twinned La₀.₆₅Ca₀.₃₅MnO₃ film
за авторством: Prokhorov, V.G., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Prokhorov, V.G., та інші
Опубліковано: (2002)
Effect of oxide-semiconductor interface traps on low-temperature operation of MOSFETs
за авторством: Lysenko, V.S., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Lysenko, V.S., та інші
Опубліковано: (2001)
Enhancement of the Josephson current by magnetic field in superconducting tunnel structures with a paramagnetic spacer
за авторством: Krivoruchko, V.N., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Krivoruchko, V.N., та інші
Опубліковано: (2005)
Semi-quantitative model of the gating of KcsA ion channel. 2. Dynamic self-organization model of the gating
за авторством: Kharkyanen, V.N., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Kharkyanen, V.N., та інші
Опубліковано: (2009)
Universal Electro-Optical Hybrid Logic Gates
за авторством: Ekkurthi Sreenivasa Rao, та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Ekkurthi Sreenivasa Rao, та інші
Опубліковано: (2008)
Methodological Problems of Collection and Analysis of Confidential Information Leakage
за авторством: O. Y. Zhabynets
Опубліковано: (2014)
за авторством: O. Y. Zhabynets
Опубліковано: (2014)
Estimation of methane leakages in gas-distribution networks of Ukraine
за авторством: Kostyukovskyi B.A., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Kostyukovskyi B.A., та інші
Опубліковано: (2012)
Investigating the effects of smoothness of interfaces on stability of probing nano-scale thin films by Neutron Reflectometry
за авторством: Jahromi, S.S., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Jahromi, S.S., та інші
Опубліковано: (2012)
Peculiarities of flux-gate magnetometers development
за авторством: B. L. Bondaruk, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: B. L. Bondaruk, та інші
Опубліковано: (2014)
Revision of interface coupling in ultra-thin body silicon-on-insulator MOSFETs
за авторством: T. Rudenko, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: T. Rudenko, та інші
Опубліковано: (2013)
Revision of interface coupling in ultra-thin body silicon-on-insulator MOSFETs
за авторством: Rudenko, T., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Rudenko, T., та інші
Опубліковано: (2013)
Organization and polymorphysm of 5S rDNA intergenic spacer of blackthorn (Prunus spinosa L.)
за авторством: Yu. O. Tynkevych, та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: Yu. O. Tynkevych, та інші
Опубліковано: (2021)
Magnetization of a nonferromagnetic metal spacer sandwiched between two magnetically ordered layers
за авторством: Gorobets, V.Yu.
Опубліковано: (2004)
за авторством: Gorobets, V.Yu.
Опубліковано: (2004)
Temperature dependence of the energy resolution and leakage current of the planar silicone detectors
за авторством: Deiev, O.S., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Deiev, O.S., та інші
Опубліковано: (2013)
Formation of hybrid meso//nano scale structures with lateral semiconductive and magnetoactive layers and its magneto-impedance response
за авторством: N. T. Pokladok, та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: N. T. Pokladok, та інші
Опубліковано: (2009)
Исследование MOSFET-транзисторов в различных герметичных корпусах для поверхностного монтажа
за авторством: Рубцевич, И.И., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Рубцевич, И.И., та інші
Опубліковано: (2004)
Исследование MOSFET-транзисторов в различных герметичных корпусах для поверхностного монтажа
за авторством: Rubtsevitch, I. I., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Rubtsevitch, I. I., та інші
Опубліковано: (2004)
Analysis and improvement of methods and facilities for supporting the gate roads
за авторством: S. I. Skipochka, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: S. I. Skipochka, та інші
Опубліковано: (2014)
Схожі ресурси
-
Impact of sidewall spacer on gate leakage behavior of nano-scale MOSFETs
за авторством: A. K. Rana, та інші
Опубліковано: (2011) -
Influence of traps in gate oxide-Si film transition layers on FD MOSFET's characteristics at cryogenic emperatures
за авторством: Lysenko, V.S., та інші
Опубліковано: (2007) -
A neural computation to study the scaling capability of the undoped DG MOSFET
за авторством: Djeffal, F., та інші
Опубліковано: (2008) -
Cascade of Axial-Symmetric Inhomogeneous Resonators with Impedance Sidewalls
за авторством: Kazanskiy, V. B., та інші
Опубліковано: (2013) -
ПОРІВНЯЛЬНИЙ АНАЛІЗ ДИНАМІЧНИХ ХАРАКТЕРИСТИК SI-MOSFET, SIC-MOSFET ТА SI-IGBT ТРАНЗИСТОРІВ
за авторством: Ковбаса, С.М., та інші
Опубліковано: (2025)