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8H-, 10H-, 14H-SiC formation in 6H-3C silicon carbide phase transitions

In this paper the results of photoluminescence researches devoted to phase transitions in 6H-3C-SiC have been presented. High pure 6H-SiC crystals grown by Tairov’s method with and without polytype joint before and after plastic deformation at high temperature annealing we...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Datum:	2013
Hauptverfasser:	Vlaskina, S.I., Mishinova, G.N., Vlaskin, V.I., Rodionov, V.E., Svechnikov, G.S.
Format:	Artikel
Sprache:	Englisch
Veröffentlicht:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2013
Online Zugang:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/117728
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Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:	8H-, 10H-, 14H-SiC formation in 6H-3C silicon carbide phase transitions / S.I. Vlaskina, G.N. Mishinova, V.I. Vlaskin, V.E. Rodionov, G.S. Svechnikov // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2013. — Т. 16, № 3. — С. 273-279. — Бібліогр.: 26 назв. — англ.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

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