8H-, 10H-, 14H-SiC formation in 6H-3C silicon carbide phase transitions
In this paper the results of photoluminescence researches devoted to phase
 transitions in 6H-3C-SiC have been presented. High pure 6H-SiC crystals grown by
 Tairov’s method with and without polytype joint before and after plastic deformation at
 high temperature annealing we...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
|---|---|
| Дата: | 2013 |
| Автори: | Vlaskina, S.I., Mishinova, G.N., Vlaskin, V.I., Rodionov, V.E., Svechnikov, G.S. |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2013
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/117728 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | 8H-, 10H-, 14H-SiC formation
 in 6H-3C silicon carbide phase transitions / S.I. Vlaskina, G.N. Mishinova, V.I. Vlaskin, V.E. Rodionov, G.S. Svechnikov // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2013. — Т. 16, № 3. — С. 273-279. — Бібліогр.: 26 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
8H-, 10H-, 14H-SiC formation in 6H-3C silicon carbide phase transitions
за авторством: S. I. Vlaskina, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: S. I. Vlaskina, та інші
Опубліковано: (2013)
3C-6H transformation in heated cubic silicon carbide 3C-SiC
за авторством: Vlaskina, S.I., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Vlaskina, S.I., та інші
Опубліковано: (2011)
3C-6H transformation in heated cubic silicon carbide 3C-SiC
за авторством: S. I. Vlaskina, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: S. I. Vlaskina, та інші
Опубліковано: (2011)
Silicon carbide defects and luminescence centers in current heated 6H-SiC
за авторством: Lee, S.W., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Lee, S.W., та інші
Опубліковано: (2010)
Silicon carbide phase transition in as-grown 3C-6H polytypes junction
за авторством: Vlaskina, S.I., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Vlaskina, S.I., та інші
Опубліковано: (2013)
Silicon carbide defects and luminescence centers in current heated 6H-SiC
за авторством: S. W. Lee, та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: S. W. Lee, та інші
Опубліковано: (2010)
External impacts on SiC nanostructures in pure and lightly doped silicon carbide crystals
за авторством: Vlaskina, S.I., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Vlaskina, S.I., та інші
Опубліковано: (2015)
Silicon carbide phase transition in as-grown 3C-6H polytypes junction
за авторством: S. I. Vlaskina, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: S. I. Vlaskina, та інші
Опубліковано: (2013)
Mechanism of 6H-3C transformation in SiC
за авторством: Vlaskina, S.I.
Опубліковано: (2002)
за авторством: Vlaskina, S.I.
Опубліковано: (2002)
External impacts on SiC nanostructures in pure and lightly doped silicon carbide crystals
за авторством: S. I. Vlaskina, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: S. I. Vlaskina, та інші
Опубліковано: (2015)
Nanograin boundaries and silicon carbide photoluminescence
за авторством: Vlaskina, S.I., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Vlaskina, S.I., та інші
Опубліковано: (2017)
Peculiarities of photoluminescence spectra behavior in SiC crystals and films during phase transformations
за авторством: Vlaskina, S.I., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Vlaskina, S.I., та інші
Опубліковано: (2016)
Nanostructures in lightly doped silicon carbide crystals with polytypic defects
за авторством: Vlaskina, S.I., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Vlaskina, S.I., та інші
Опубліковано: (2014)
Peculiarities of phase transformations in SiC crystals and thin films with in-grown original defects
за авторством: Vlaskina, S.I., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Vlaskina, S.I., та інші
Опубліковано: (2014)
Structure of photoluminescence DL-spectra and phase transformation in lightly doped SiC crystals and films
за авторством: Vlaskina, S.I., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Vlaskina, S.I., та інші
Опубліковано: (2015)
Structure of photoluminescence DL-spectra and phase transformation in lightly doped SiC crystals and films
за авторством: Vlaskina, S.I., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Vlaskina, S.I., та інші
Опубліковано: (2015)
Nanocrystalline silicon carbide films for solar cells
за авторством: Vlaskina, S.I., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Vlaskina, S.I., та інші
Опубліковано: (2016)
Photoelectric memory in 6H-SiC
за авторством: Duisenbaev, M.
Опубліковано: (2004)
за авторством: Duisenbaev, M.
Опубліковано: (2004)
Simulation of incoherent radiation absorption in 3C-, 6H- and 4H-SiC at rapid thermal processing
за авторством: Agueev, O.A., та інші
Опубліковано: (2000)
за авторством: Agueev, O.A., та інші
Опубліковано: (2000)
Characterization of nano-bio silicon carbide
за авторством: Vlaskina, S.I., та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: Vlaskina, S.I., та інші
Опубліковано: (2020)
Boron, aluminum, nitrogen, oxygen impurities in silicon carbide
за авторством: Vlaskina, S.I., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Vlaskina, S.I., та інші
Опубліковано: (2007)
Nanograin boundaries and silicon carbide photoluminescence
за авторством: S. I. Vlaskina, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: S. I. Vlaskina, та інші
Опубліковано: (2017)
Nanocrystalline silicon carbide films for solar cells
за авторством: S. I. Vlaskina, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: S. I. Vlaskina, та інші
Опубліковано: (2016)
Growth of graphene on 6H-SiC by molecular dynamics simulation
за авторством: Jakse, N., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Jakse, N., та інші
Опубліковано: (2011)
Peculiarities of photoluminescence spectra behavior in SiC crystals and films during phase transformations
за авторством: S. I. Vlaskina, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: S. I. Vlaskina, та інші
Опубліковано: (2016)
Determination of the temperature dependence of electron effective mass in 4H-SiC from reverse current-voltage characteristics of 4H-SiC Schottky barrier diodes
за авторством: Latreche, A.
Опубліковано: (2020)
за авторством: Latreche, A.
Опубліковано: (2020)
Nanostructures in lightly doped silicon carbide crystals with polytypic defects
за авторством: S. I. Vlaskina, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: S. I. Vlaskina, та інші
Опубліковано: (2014)
Structure of photoluminescence DL-spectra and phase transformation in lightly doped SiC crystals and films
за авторством: S. I. Vlaskina, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: S. I. Vlaskina, та інші
Опубліковано: (2015)
Peculiarities of phase transformations of SiC crystals and thin films with in-grown original defects
за авторством: S. I. Vlaskina, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: S. I. Vlaskina, та інші
Опубліковано: (2014)
Phonon-polariton excitations in MgZnO/6H-SiC structures
за авторством: O. V. Melnichuk, та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: O. V. Melnichuk, та інші
Опубліковано: (2020)
Phonon-polariton excitations in MgZnO/6H-SiC structures
за авторством: O. V. Melnychuk, та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: O. V. Melnychuk, та інші
Опубліковано: (2020)
Фонон-поляритонні збудження в структурах MgZnO/6H-SiC
за авторством: Melnichuk, O. V., та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: Melnichuk, O. V., та інші
Опубліковано: (2020)
Isochoric thermal conductivity of solid n-alkanes: hexane C6H14
за авторством: V. A. Konstantinov, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: V. A. Konstantinov, та інші
Опубліковано: (2011)
Магниторезонансные свойства низкоразмерного антиферромагнетика Mn[C₁₀H₆(OH)(COO⁻)]₂×2H₂O
за авторством: Дергачев, К.Г., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Дергачев, К.Г., та інші
Опубліковано: (2006)
H. H. Makhov - resurection
за авторством: V. Vlasov
Опубліковано: (2005)
за авторством: V. Vlasov
Опубліковано: (2005)
Magnetoresistance oscillations up to 32 K in the organic metal β″-(ET)₄(H₃O)[Fe(C₂O₄)₃]⋅C₆H₄Cl₂
за авторством: Laukhin, V.N., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Laukhin, V.N., та інші
Опубліковано: (2011)
An intrinsic physical content of “single photon power” − (hν∙Δν)
за авторством: Salkov, E.A., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Salkov, E.A., та інші
Опубліковано: (2011)
Низкотемпературный спектр ЭПР в порошковом образце Cu(C₁₀H₈N₂)(H₂O)₂SO₄
за авторством: Кравчина, О.В., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Кравчина, О.В., та інші
Опубліковано: (2004)
Theoretical studies of the optical and EPR spectra for VO²⁺ in Na₃C₆H₅O₇·2H₂O single crystal
за авторством: Li, Ch.-Y., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Li, Ch.-Y., та інші
Опубліковано: (2015)
Diffusion of hydrogen in rare gas solids: neutral H atoms and H⁺ protons
за авторством: Beyer, M., та інші
Опубліковано: (1999)
за авторством: Beyer, M., та інші
Опубліковано: (1999)
Схожі ресурси
-
8H-, 10H-, 14H-SiC formation in 6H-3C silicon carbide phase transitions
за авторством: S. I. Vlaskina, та інші
Опубліковано: (2013) -
3C-6H transformation in heated cubic silicon carbide 3C-SiC
за авторством: Vlaskina, S.I., та інші
Опубліковано: (2011) -
3C-6H transformation in heated cubic silicon carbide 3C-SiC
за авторством: S. I. Vlaskina, та інші
Опубліковано: (2011) -
Silicon carbide defects and luminescence centers in current heated 6H-SiC
за авторством: Lee, S.W., та інші
Опубліковано: (2010) -
Silicon carbide phase transition in as-grown 3C-6H polytypes junction
за авторством: Vlaskina, S.I., та інші
Опубліковано: (2013)