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On features of crystal structure of semiconductor-ferroelectric Ag₃AsS₃

The temperature dependences of the unit cell parameters a(T) and c(T) of Ag₃AsS₃ were measured by the X-ray dilatometry method with high precision within the temperature range 100 to 300 K in the dark mode and under laser irradiation (λ = 532 nm). It was found that the parameter c increases al...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Datum:	2013
Hauptverfasser:	Borovoy, N., Gololobov, Yu., Isaienko, G., Salnik, A.
Format:	Artikel
Sprache:	Englisch
Veröffentlicht:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2013
Online Zugang:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/117735
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Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:	On features of crystal structure of semiconductor-ferroelectric Ag₃AsS₃ / N. Borovoy, Yu. Gololobov, G. Isaienko, A. Salnik // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2013. — Т. 16, № 3. — С. 293-296. — Бібліогр.: 12 назв. — англ.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

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