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Intrinsic defects in nonstoichiometric B-SiC nanoparticles studied by pulsed magnetic resonance methods

Nonstoichiometric B-SiC nanoparticles (np-SiC) have been studied by electron paramagnetic resonance (EPR) and pulsed magnetic resonance methods including field swept electron spin echo (FS ESE), pulsed electron nuclear double resonance (ENDOR) and hyperfine sublevel correl...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Datum:	2010
Hauptverfasser:	Savchenko, D.V., Pöppl, A., Kalabukhova, E.N., Venger, E.F., Gadzira, M.P., Gnesin, G.G.
Format:	Artikel
Sprache:	Englisch
Veröffentlicht:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2010
Online Zugang:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/117738
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Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:	Intrinsic defects in nonstoichiometric B-SiC nanoparticles studied by pulsed magnetic resonance methods/ D.V. Savchenko, A. Pöppl, E.N. Kalabukhova, E.F. Venger, M.P. Gadzira, G.G. Gnesin // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2010. — Т. 13, № 1. — С. 43-50. — Бібліогр.: 25 назв. — англ.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

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