Зображення обкладинки

Genesis of initial defects in the process of monocrystalline silicon oxidation with subsequent scribing

The type, density, and distribution of defects in initial and oxidated monocrystalline silicon wafers were studied by modern methods. It was established that disordered silicon and stacking faults are basic defects in near-surface layers of oxidated monocrystalline silicon...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Опубліковано в:	Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Дата:	2010
ISSN:	1560-8034
Автори:	Smyntyna, V.A., Sviridova, O.V.
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2010
Онлайн доступ:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/117746
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Genesis of initial defects in the process of monocrystalline silicon oxidation with subsequent scribing/ V.A. Smyntyna and O.V. Sviridova // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2010. — Т. 13, № 1. — С. 74-78. — Бібліогр.: 17 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Genesis of initial defects in the process of monocrystalline silicon oxidation with subsequent scribing
за авторством: V. A. Smyntyna, та інші
Опубліковано: (2010)

Influence of initial defects on defect formation process in ion doped silicon
за авторством: Smyntyna, V.A., та інші
Опубліковано: (2009)

The Initial Part of the Vilna Chronograph: Scribes and Readers
за авторством: T. Vilkul
Опубліковано: (2014)

Radiative processes of amorphization and hydrogenation in monocrystalline silicon
за авторством: Dovbnya, A.N., та інші
Опубліковано: (2001)

Character of elastic energy absorption in well developed genetic-impurity defect structure in monocrystalline silicon
за авторством: Gutsulyak, B.I., та інші
Опубліковано: (2005)

Monocrystalline structure formation of doped perfect silicon crystals
за авторством: Azarenkov, N.А., та інші
Опубліковано: (2016)

A mechanism of diamond-abrasive finishing of monocrystalline silicon carbide
за авторством: Ju. D. Filatov, та інші
Опубліковано: (2013)

Role of silicon oxide defects in emission process of Si-SiO₂ systems
за авторством: Baran, M., та інші
Опубліковано: (2003)

Creation of spatial quantum filaments in the volume of monocrystalline silicon by the coulomb explosion
за авторством: V. P. Efimov
Опубліковано: (2010)

Influence of deep-level impurities on the strain electric properties of monocrystalline silicon
за авторством: S. Zainabidinov, та інші
Опубліковано: (2017)

Influence of deep-level impurities on the strain electric properties of monocrystalline silicon
за авторством: S. Zainabidinov, та інші
Опубліковано: (2017)

New possibilities for phase-variation structural diagnostics of multiparametrical monocrystalline systems with defects
за авторством: Molodkin, V.B., та інші
Опубліковано: (2021)

Specificity of high-pure monocrystalline silicon production for various registering and converting devices
за авторством: Trubitsyn, Yu.V., та інші
Опубліковано: (2000)

Numerical simulation of dynamic processes de-scribed by a pseudohyperbolic equation with conjugation conditions
за авторством: I. V. Sergienko, та інші
Опубліковано: (2004)

Influence of divacancy-oxygen defects on recombination properties of n-Si subjected to irradiation and subsequent annealing
за авторством: M. M. Krasko, та інші
Опубліковано: (2018)

Influence of divacancy-oxygen defects on recombination properties of n-Si subjected to irradiation and subsequent annealing
за авторством: M. M. Krasko, та інші
Опубліковано: (2018)

The court case of the scribe of the Hrun hundred of the Gadyach regiment Yakov Chemkalskyi
за авторством: I. Petrenko, та інші
Опубліковано: (2024)

Ramseyan variations on symmetric subsequences
за авторством: Verbitsky, O.
Опубліковано: (2003)

Life of deposited repair welds on monocrystalline heat-resistant nickel alloy under conditions of cyclic oxidation
за авторством: A. F. Beljavin, та інші
Опубліковано: (2014)

Ramseyan variations on symmetric subsequences
за авторством: Verbitsky, Oleg
Опубліковано: (2018)

Theoretical Construction of Initial and Subsequent Yield Surfaces for Isotropic Strain-Hardening Elastoplastic Materials of the Differential Type
за авторством: Lepikhin, P.P.
Опубліковано: (2010)

Domain structure regularization in monocrystalline barium hexaferrite
за авторством: A. L. Nikytenko, та інші
Опубліковано: (2018)

Domain structure regularization in monocrystalline barium hexaferrite
за авторством: Nikytenko, A.L., та інші
Опубліковано: (2018)

Luminescent and radiation characteristics of monocrystalline diamond powders
за авторством: O. G. Lysenko, та інші
Опубліковано: (2019)

The kinetic of point defect transformation during the annealing process in electron-irradiated silicon
за авторством: G. P. Gaidar, та інші
Опубліковано: (2011)

The kinetic of point defect transformation during the annealing process in electron-irradiated silicon
за авторством: Gaidar, G.P., та інші
Опубліковано: (2011)

Diffusion model of defect formation in silicon under light ion implantation
за авторством: Voznyy, M.V., та інші
Опубліковано: (2000)

AFM Study of Surface of the Metallic Condensates on the Monocrystalline Silicon and Energy Parameters of Interface Interactions in the ‘Metallic Condensate—Semiconductor&#039; System
за авторством: B. P. Koman, та інші
Опубліковано: (2015)

Optical properties of submicron silicon oxide films after high-temperature processing
за авторством: V. V. Litvinenko, та інші
Опубліковано: (2011)

Polished surface roughness of optoelectronic components made of monocrystalline materials
за авторством: Ju. Filatov, та інші
Опубліковано: (2016)

Electrical properties of silicon-oxide heterostructures on the basis of porous silicon
за авторством: I. B. Olenych, та інші
Опубліковано: (2017)

Electrical properties of silicon-oxide heterostructures on the basis of porous silicon
за авторством: I. B. Olenych, та інші
Опубліковано: (2017)

The structure of oxide film on the porous silicon surface
за авторством: O. I. Zavalistyi, та інші
Опубліковано: (2020)

The structure of oxide film on the porous silicon surface
за авторством: O. I. Zavalistyi, та інші
Опубліковано: (2020)

Electronic properties of silicon surface at different oxide film conditions
за авторством: Kirillova, S.I., та інші
Опубліковано: (2001)

Monopolar photoconductivity of the inversion layer and &quot;slow&quot;-surface levels in the structures of macroporous and monocrystalline silicon in condition of strong surface lighting
за авторством: N. I. Karas, та інші
Опубліковано: (2018)

Formation of silicon nanoclusters in buried ultra-thin oxide layers
за авторством: Oberemok, O.S., та інші
Опубліковано: (2011)

Microhardness of helium-ion implanted iron-yttrium granate monocrystalline films
за авторством: V. V. Kurovets, та інші
Опубліковано: (2012)

Thermoelectric property features of PbTe monocrystalline and polycrystalline films
за авторством: Freik, D.M., та інші
Опубліковано: (1999)

Evolution of defective structure of the irradiated silicon during natural ageing
за авторством: Fodchuk, I.M., та інші
Опубліковано: (2003)