Optical absorption edge and luminescence in phosphorous-implanted Cu₆PS₅X (X = I, Br) single crystals

• Опубліковано в: : Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
• Дата: 2011
• Автори: Studenyak, I.P., Izai, V.Yu., Stephanovich, V.О., Panko, V.V., Kúš, P., Plecenik, A., Zahoran, M., Greguš, J., Roch, T.
• Формат: Стаття
• Мова: English
• Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2011
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/117751
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Optical absorption edge and luminescence in phosphorous-implanted Cu₆PS₅X (X = I, Br) single crystals / .P. Studenyak, V.Yu. Izai, V.О. Stephanovich, V.V. Panko, P. Kus, A. Plecenik, M. Zahoran, J. Gregus, T. Roch // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2011. — Т. 14, № 3. — С. 287-293. — Бібліогр.: 15 назв. — англ.

Implantation of Cu6PS5X (X = I, Br) single crystals was carried out for different values of fluence with using P⁺ ions; the energy of ions was 150 keV. For the implanted Cu₆PS₅X crystals, the structural studies were performed using the scanning electron microscopy technique and energy-dispersive X-...