Зображення обкладинки

Photoconductivity and photoluminescence features of γ-irradiated GaS₀.₇₅Se₀.₂₅‹Er› single crystals

The effect of γ-radiation with Е = 1.3 MeV energy and Dγ = 10…200 krad
 dose on photoconductivity and photoluminescence features of GaS₀.₇₅Se₀.₂₅‹Er› single
 crystals was studied. When analyzing the experimental data it was established that after
 doping with the rare-eart...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Дата:2011
Автор: Taghiyev, T.B.
Формат: Стаття
Мова:Англійська
Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2011
Онлайн доступ:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/117763
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Photoconductivity and photoluminescence features of γ-irradiated GaS₀.₇₅Se₀.₂₅‹Er› single crystals single crystals / T.B. Taghiyev // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2011. — Т. 14, № 3. — С. 362-364. — Бібліогр.: 10 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Схожі ресурси