Buchumschlag

Lateral drift of photo-generated charge carriers in the p-SiGe/Si heterostructures with quantum wells

The drift of charge carriers in the p-Si₀.₈₈Ge₀.₁₂/Si heterostructures under strong lateral electric fields and conditions of carrier generation by the band-to-band light absorption has been investigated experimentally. The data of the drift length, drift mobility, and lif...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Datum:	2011
Hauptverfasser:	Gudenko1, Yu.M., Vainberg, V.V., Poroshin, V.M., Tulupenko, V.M.
Format:	Artikel
Sprache:	Englisch
Veröffentlicht:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2011
Online Zugang:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/117768
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:	Lateral drift of photo-generated charge carriers in the p-SiGe/Si heterostructures with quantum wells/ Yu.M. Gudenko, V.V. Vainberg, V.M. Poroshin, V.M. Tulupenko // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2011. — Т. 14, № 3. — С. 375-379. — Бібліогр.: 16 назв. — англ.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Ähnliche Einträge

Lateral drift of photo-generated charge carriers in the p-SiGe/Si heterostructures with quantum wells
von: Yu. M. Gudenko, et al.
Veröffentlicht: (2011)

Effect of dislocations in relaxed MBE SiGe layers on the electrical behavior of Si/SiGe heterostructures
von: Horvath, Zs.J., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Properties of SiGe/Si heterostructures fabricated by ion implantation technique
von: Gomeniuk, Y.V., et al.
Veröffentlicht: (1999)

Piezoelectric effect in p -Si/SiGe/(001)Si modulation doped heterostructures
von: Dugaev, V.K., et al.
Veröffentlicht: (2000)

Overheating effect and hole-phonon interaction in SiGe heterostructures
von: Berkutov, I.B., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Elastic strains in SiGe heterostructures with non-uniform quantum dots
von: V. V. Kuryliuk
Veröffentlicht: (2013)

Elastic strains in SiGe heterostructures with non-uniform quantum dots
von: V. V. Kuryliuk
Veröffentlicht: (2013)

Magnetotransport studies of SiGe-based p-type heterostructures: problems of the effective mass determination
von: I. B. Berkutov, et al.
Veröffentlicht: (2012)

Magnetotransport studies of SiGe-based p-type heterostructures: problems of the effective mass determination
von: Berkutov, I.B., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Recombination of charge carriers in heterostructures with Ge nanoislands grown on Si(100)
von: S. V. Kondratenko
Veröffentlicht: (2015)

Recombination of charge carriers in heterostructures with Ge nanoislands grown on Si(100)
von: Kondratenko, S.V.
Veröffentlicht: (2015)

Квантовые эффекты в дырочных Si/SiGe гетеропереходах
von: Комник, Ю.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2000)

Электроакустическая конверсия в модуляционно-легированных гетероструктурах SiGe/Si
von: Хижный, В.И.
Veröffentlicht: (2008)

Seebeck’s effect in p-SiGe whisker samples
von: Dolgolenko, A.P., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Эффекты слабой локализации и взаимодействия носителей заряда в двумерном дырочном газе в германиевой квантовой яме в гетероструктуре SiGe/Ge/SiGe
von: Беркутов, И.Б., et al.
Veröffentlicht: (2006)

SiGe HBT low noise amplifiers for ultra-wideband systems
von: V. P. Popov, et al.
Veröffentlicht: (2013)

Seebeck&#039;s effect in p-SiGe whisker samples
von: A. P. Dolgolenko, et al.
Veröffentlicht: (2011)

Малошумящие усилители на основе SiGe-HBT для сверхширокополосных систем
von: Popov, V. P., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Photoelectric properties of SiGe films covered with amorphous- and polycrystalline-silicon layers
von: V. Shmid, et al.
Veröffentlicht: (2019)

Photoelectric properties of SiGe films covered with amorphous- and polycrystalline-silicon layers
von: V. Shmid, et al.
Veröffentlicht: (2019)

Малошумящие усилители на основе SiGe-НВТ для сверхширокополосных систем
von: Попов, В.П., et al.
Veröffentlicht: (2013)

The spatial separation of electron-hole pairs in Si/Ge heterostructures
von: V. S. Lysenko, et al.
Veröffentlicht: (2015)

The spatial separation of electron-hole pairs in Si/Ge heterostructures
von: Lysenko, V.S., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Температурная зависимость времени электрон-фононного рассеяния носителей заряда в p-Si/SiGe гетеропереходах
von: Беркутов, И.Б., et al.
Veröffentlicht: (2000)

Радиационная стойкость нитевидных кристаллов SiGe, используемых для сенсоров физических величин
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Двухкаскадные модули на основе Bi₂Te₃ и SiGe для термоэлектрических генераторов
von: Михайловский, В.Я., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Two-stage cascaded modules based on Bi2Te3 and SiGe for thermoelectric generators
von: Ja. Mikhajlovskij, et al.
Veröffentlicht: (2013)

The injection photo diode on the basis of nSi-nCdS-n+CdS heterostructures
von: I. B. Sapaev
Veröffentlicht: (2013)

Interference effects in the Si–Ge heterostructures with quantum wells of different width
von: I. B. Berkutov, et al.
Veröffentlicht: (2016)

Peculiarities of charge carriers transport in submicron Si-Ge whiskers
von: Druzhinin, A.A., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Радиационная стойкость нитевидных кристаллов SiGe, используемых для сенсоров физических величин
von: Druzhinin, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Двухкаскадные модули на основе Bi2Te3 и SiGe для термоэлектрических генераторов
von: Mikhailovsky, V. Ya., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Lateral photo-emf in Schottky contact
von: E. F. Venger, et al.
Veröffentlicht: (2010)

Effects of the real-space transfer of charge carriers in the n-AlGaAs/GaAs heterostructures with the delta-layers of impurity in the barriers
von: V. V. Vainberg, et al.
Veröffentlicht: (2014)

Effects of the real-space transfer of charge carriers in the n-AlGaAs/GaAs heterostructures with the delta-layers of impurity in the barriers
von: V. V. Vainberg, et al.
Veröffentlicht: (2014)

Charge transition phenomena in the heterostructure crystalline Si-Bi-amorphous film Ge₃₃As₁₂Se₅₅
von: Kondrat, O., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Nickel-induced enhancement of photo-luminescence in nc-Si-SiOx nanostructures
von: K. V. Michailovska, et al.
Veröffentlicht: (2014)

Lateral photo-emf in a nonuniform Schottky contact
von: E. F. Venger, et al.
Veröffentlicht: (2011)

Obtaining and examination of heterostructure ZnO:Al/por-Si/Si
von: A. F. Diadenchuk, et al.
Veröffentlicht: (2020)

Relaxation of photovoltage in ITO-Ge-Si heterojunction with Ge nanostructured thin films
von: Iliash, S.A., et al.
Veröffentlicht: (2017)