Зображення обкладинки

The formation mechanism of modified thin-film structures based on Ge-Se(S) systems and its influence on physical properties

The mechanisms of formation of modified thin-film structures based on GeSe(S) systems with different Al, Bi, Pb, Te, In modifiers evaporated in vacuum have been determined. The process of their growth and the structure is greatly influenced by the vapor composition, energetic state of its particl...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :	Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Дата:	2007
Автори:	Horvat, G.T., Kondratenko, O.S., Loja, V.Ju., Myholynets, I.M., Rosola, I.J., Jurkovуch, N.V.
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2007
Онлайн доступ:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/117775
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	The formation mechanism of modified thin-film structures based on Ge-Se(S) systems and its influence on physical properties / G.T. Horvat, O.S. Kondratenko, V.Ju. Loja, I.M. Myholynets, I.J. Rosola, N.V. Jurkovуch // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2007. — Т. 10, № 1. — С. 45-48. — Бібліогр.: 6 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Optical properties and structure of As-Ge-Se thin films
за авторством: Tolmachov, I.D., та інші
Опубліковано: (2010)

Optical properties and structure of As-Ge-Se thin films
за авторством: I. D. Tolmachov, та інші
Опубліковано: (2010)

Relaxation of photovoltage in ITO-Ge-Si heterojunction with Ge nanostructured thin films
за авторством: S. A. Iliash, та інші
Опубліковано: (2017)

Relaxation of photovoltage in ITO-Ge-Si heterojunction with Ge nanostructured thin films
за авторством: Iliash, S.A., та інші
Опубліковано: (2017)

Depth Profiling of the Near-Surface Layer for Ge33as12se55 Thin Films
за авторством: Shchurova, T.N., та інші
Опубліковано: (2010)

Optical properties of Ge-As-S thin films
за авторством: Tolmachov, I.D., та інші
Опубліковано: (2009)

Interaction influence in systems M2Se3—Ge (M – In,Sb) on properties of thin-film coatings
за авторством: V. F. Zinchenko, та інші
Опубліковано: (2014)

Photo- and thermally-induced changes in the optical properties of Ge-S-Se amorphous films
за авторством: Rubish, V.M., та інші
Опубліковано: (2013)

Size effects in thin PbSe films
за авторством: E. I. Rogacheva, та інші
Опубліковано: (2012)

Characterization of quaternary chalcogenide As-Ge-Te-Si thin films
за авторством: Amer, H.H., та інші
Опубліковано: (2011)

Crystallization process in thin stoichiometric GeSbTe films
за авторством: Claudio, D., та інші
Опубліковано: (2005)

Characterization of quaternary chalcogenide As-Ge-Te-Si thin films
за авторством: H. H. Amer, та інші
Опубліковано: (2011)

Fabrication, properties and application of Ge-on-GaAs thin nanoheterogeneous films
за авторством: E. F. Venger, та інші
Опубліковано: (2014)

Structure of Cu-In-Se thin films of variable composition
за авторством: Grigorov, S.N., та інші
Опубліковано: (2009)

Tem investigation of CuInSe₂-ZnSe heterostructures for thin film solar cells
за авторством: Grigorov, S.N., та інші
Опубліковано: (2008)

Laser-induced changes in optical properties of amorphous films of the system Ge-Se
за авторством: Рубіш, В. М., та інші
Опубліковано: (2024)

Photo- and thermally-induced changes in the optical properties of Ge-S-Se amorphous films
за авторством: V. M. Rubish, та інші
Опубліковано: (2013)

Photostimulated reversible changes in the Ge-Se films as a base of resistive process
за авторством: I. V. Babiichuk, та інші
Опубліковано: (2014)

Quantitative parameters of stochastically inhomogeneous structure of amorphous films of Ge–Se system
за авторством: Yu. Bobyk, та інші
Опубліковано: (2013)

Optical studies of as-deposited and annealed Cu₇GeS₅I thin films
за авторством: Studenyak, I.P., та інші
Опубліковано: (2016)

Dependence of electrical conductivity on Bi₂Se₃ thin film thickness
за авторством: Menshikova, S.I., та інші
Опубліковано: (2017)

Size effects in chlorine doped PbSe thin films
за авторством: S. I. Menshikova, та інші
Опубліковано: (2015)

Система Tl₂GeSe₃—Tl₄GeₓSn₁₋ₓSe₄ —Tl₂SnSe₃
за авторством: Барчій, І.Є., та інші
Опубліковано: (2006)

Structure and physical characteristics of ohmic contacts based on Fe and Ge films
за авторством: Vlasenko, О.V., та інші
Опубліковано: (2014)

Thin niobium superconducting film prepared by modified cylindrical magnetron
за авторством: Langner, J., та інші
Опубліковано: (2000)

Structure and surface morphology of mercury modified selenium thin films
за авторством: Рубіш, В. М., та інші
Опубліковано: (2023)

The effect of strain on the thermodynamic properties of Ge-Si, Ge-Sn, Si-Sn, Si-C thin solid films
за авторством: Deibuk, V.G., та інші
Опубліковано: (2002)

Charge transition phenomena in the heterostructure crystalline Si-Bi-amorphous film Ge₃₃As₁₂Se₅₅
за авторством: Kondrat, O., та інші
Опубліковано: (2004)

Electrical transport in thin films of glassy Ge₄₀Te₆₀-xSbx alloys
за авторством: Shukla, S., та інші
Опубліковано: (2010)

Glass formation region and X-ray analysis of the glassy alloys in AgGaSe₂+GeS₂<=>AgGaS₂+GeSe₂ system
за авторством: Halyan, V.V., та інші
Опубліковано: (2009)

Relaxation and thermoinduced processes in glassy HgSe(x)-GeSe₂(₁-x) alloys
за авторством: Halyan, V.V., та інші
Опубліковано: (2003)

Optical studies of as-deposited and annealed Cu7GeS5I thin films
за авторством: I. P. Studenyak, та інші
Опубліковано: (2016)

Li-Bi-Se semiconductor thin films: technology, structure and electrophysical properties
за авторством: Bilozertseva, V.I., та інші
Опубліковано: (2010)

Li-Bi-Se semiconductor thin films: technology, structure and electrophysical properties
за авторством: V. I. Bilozertseva, та інші
Опубліковано: (2010)

Peculiarities of valence band formation in As-Ge-Se semiconductor glasses
за авторством: Vakiv, M., та інші
Опубліковано: (2012)

Peculiarities of valence band formation in As-Ge-Se semiconductor glasses
за авторством: M. Vakiv, та інші
Опубліковано: (2012)

Crystallization kinetics of Ge₂₂Sb₂₂Tе₅₆ doped with Se and Ni
за авторством: Garsia-Garsia, E., та інші
Опубліковано: (1998)

Polarization properties and a local structure of (GeSe₂)x(Sb2Se₃)₁-x glasses
за авторством: Malesh, V.I., та інші
Опубліковано: (2002)

Electrical transport in thin films of glassy Ge40Te60-xSbx alloys
за авторством: S. Shukla, та інші
Опубліковано: (2010)

Morphology and optical constants of ge nanocrystalline films deposited on Si(001)
за авторством: Yu. M. Kozyriev, та інші
Опубліковано: (2016)