Optimized calibration of cryogenic silicon thermodiodes
Shown in this paper is the efficiency of smoothing cubic spline approximation aimed at optimization of calibration of cryogenic silicon diode thermometers (SDTs). The proposed algorithm allows to significantly reduce time and material costs associated with calibration of SDTs.
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
|---|---|
| Дата: | 2011 |
| Автори: | Ivashchenko, O.M., Shwarts, Yu.M., Shwarts, M.M., Kopko, D.P., Sypko, M.I. |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2011
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/117784 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Optimized calibration of cryogenic silicon thermodiodes / O.M. Ivashchenko, Yu.M. Shwarts, M.M. Shwarts, D.P. Kopko, M.I. Sypko // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2011. — Т. 14, № 4. — С. 399-402. — Бібліогр.: 4 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
Optimized calibration of cryogenic silicon thermodiodes
за авторством: O. M. Ivashchenko, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: O. M. Ivashchenko, та інші
Опубліковано: (2011)
Smoothing cubic spline approximation of silicon diode temperature sensors thermometric characteristics
за авторством: Ivashchenko, O.M., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Ivashchenko, O.M., та інші
Опубліковано: (2010)
Smoothing cubic spline approximation of silicon diode temperature sensors thermometric characteristics
за авторством: O. M. Ivashchenko, та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: O. M. Ivashchenko, та інші
Опубліковано: (2010)
New evidence of the hopping nature of the excess tunnel current in heavily doped silicon - diodes at cryogenic temperatures
за авторством: Borblik, V. L., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Borblik, V. L., та інші
Опубліковано: (2017)
New evidence of the hopping nature of the excess tunnel current in heavily doped silicon p-n diodes at cryogenic temperatures
за авторством: V. L. Borblik, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: V. L. Borblik, та інші
Опубліковано: (2017)
Negative magnetoresistance of heavily doped silicon p-n junction
за авторством: Borblik, V.L., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Borblik, V.L., та інші
Опубліковано: (2011)
Non-ohmic Mott conductivity and thermometric characteristics of heavily doped silicon structures
за авторством: Shwarts, Yu.M., та інші
Опубліковано: (2000)
за авторством: Shwarts, Yu.M., та інші
Опубліковано: (2000)
Peculiarities of injection phenomena in heavily doped silicon structures and development of radiation-resistant diode temperature sensors
за авторством: Shwarts, Yu.M., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Shwarts, Yu.M., та інші
Опубліковано: (2003)
Effect of magnetic field on hysteretic characteristics of silicon diodes under conditions of low-temperature impurity breakdown
за авторством: Aleinikov, A.B., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Aleinikov, A.B., та інші
Опубліковано: (2012)
Revealing the hopping mechanism of conduction in heavily doped silicon diodes
за авторством: Borblik, V. L., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Borblik, V. L., та інші
Опубліковано: (2005)
A new method of extraction of a p-n diode series resistance from I-V characteristics and its application to analysis of low-temperature conduction of the diode base
за авторством: Borblik, V.L., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Borblik, V.L., та інші
Опубліковано: (2009)
Characteristics of diode temperature sensors which exhibit Mott conduction in low temperature region
за авторством: Borblik, V.L., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Borblik, V.L., та інші
Опубліковано: (2007)
Negative magnetoresistance of heavily doped silicon p-n junction
за авторством: V. L. Borblik, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: V. L. Borblik, та інші
Опубліковано: (2011)
Исследование термометрических характеристик GaP-диодов p+–n-типа
за авторством: Krasnov, V. A., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Krasnov, V. A., та інші
Опубліковано: (2008)
Effect of magnetic field on hysteretic characteristics of silicon diodes under conditions of low-temperature impurity breakdown
за авторством: A. B. Aleinikov, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: A. B. Aleinikov, та інші
Опубліковано: (2012)
Cryogenic synthesis of nanodimensional magetite
за авторством: Gorbyk, P.P., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Gorbyk, P.P., та інші
Опубліковано: (2007)
Features frequency conductivity of silicon sensor cryogenic temperatures
за авторством: A. A. Druzhinin, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: A. A. Druzhinin, та інші
Опубліковано: (2016)
Effect of nonuniform doping profile on thermometric performance of diode temperature sensors
за авторством: Sokolov, V.N., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Sokolov, V.N., та інші
Опубліковано: (2002)
Piezoresistive properties of boron-doped silicon whiskers at cryogenic temperatures
за авторством: Druzhinin, A.A., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Druzhinin, A.A., та інші
Опубліковано: (2004)
Nanocrystalline Ge films created by thermal vacuum deposition on GaAs substrates: structural and electric properties
за авторством: Borblik, V.L., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Borblik, V.L., та інші
Опубліковано: (2014)
Self-consistent method for optimization of parameters of diode temperature sensors
за авторством: Kulish, N.R., та інші
Опубліковано: (1999)
за авторством: Kulish, N.R., та інші
Опубліковано: (1999)
Calibration bench for heat flux sensors
за авторством: T. Frцhlich, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: T. Frцhlich, та інші
Опубліковано: (2015)
Calibrating and Graduating of Multi-Sensor Gas Analyzer
за авторством: V. M. Budnyk, та інші
Опубліковано: (2022)
за авторством: V. M. Budnyk, та інші
Опубліковано: (2022)
About manifestation of the piezojunction effect in diode temperature sensors
за авторством: Borblik, V.L., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Borblik, V.L., та інші
Опубліковано: (2003)
Effect of mechanical stress on operation of diode temperature sensors
за авторством: Borblik, V.L., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Borblik, V.L., та інші
Опубліковано: (2002)
Calibration of X-ray space telescopes
за авторством: Shchagin, A.V., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Shchagin, A.V., та інші
Опубліковано: (2004)
Cryogenic electrolytes
за авторством: Nazin, S., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Nazin, S., та інші
Опубліковано: (2013)
Cryogenic electrolytes
за авторством: S. Nazin, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: S. Nazin, та інші
Опубліковано: (2013)
Mass-spectrometer diagnostics complex with cryogenic nitrogen trap
за авторством: Tsybenko, S.A., та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Tsybenko, S.A., та інші
Опубліковано: (2019)
Digital seismic recorders and their calibration
за авторством: Shcherbina, S. V.
Опубліковано: (2011)
за авторством: Shcherbina, S. V.
Опубліковано: (2011)
Digital seismic stations and their calibration
за авторством: S. V. Shcherbina
Опубліковано: (2011)
за авторством: S. V. Shcherbina
Опубліковано: (2011)
AERONOMIC RADIO SPECTROMETRY WITH CALIBRATION BY SIGNALS FROM VIRTUAL SOURCES
за авторством: Korolev, A. M., та інші
Опубліковано: (2023)
за авторством: Korolev, A. M., та інші
Опубліковано: (2023)
Deformation-induced effects in indium antimonide microstructures at cryogenic temperatures for sensor applications
за авторством: Druzhinin, A.O., та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Druzhinin, A.O., та інші
Опубліковано: (2019)
Optical Techniques of Calibration and Alignment of Radiotelescope Sections
за авторством: Vasilchuk, B. V., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Vasilchuk, B. V., та інші
Опубліковано: (2013)
Cryogenic Equipment in Minimally Invasive Surgery
за авторством: M. O. Chyzh
Опубліковано: (2018)
за авторством: M. O. Chyzh
Опубліковано: (2018)
Aeronomic radio spectrometry with calibration by signals from virtual sources
за авторством: O. M. Korolov, та інші
Опубліковано: (2022)
за авторством: O. M. Korolov, та інші
Опубліковано: (2022)
Improvement of fracture resistance of calibration channel of waterjet devices
за авторством: O. F. Salenko, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: O. F. Salenko, та інші
Опубліковано: (2014)
Analysis of the silicon solar cells efficiency. Type of doping and level optimization
за авторством: Sachenko, A.V., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Sachenko, A.V., та інші
Опубліковано: (2016)
On the reduction in the problem of in-flight geometric calibration
за авторством: A. I. Tkachenko
Опубліковано: (2017)
за авторством: A. I. Tkachenko
Опубліковано: (2017)
Luminescence of molecular nitrogen in cryogenic plasmas
за авторством: R. E. Boltnev, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: R. E. Boltnev, та інші
Опубліковано: (2019)
Схожі ресурси
-
Optimized calibration of cryogenic silicon thermodiodes
за авторством: O. M. Ivashchenko, та інші
Опубліковано: (2011) -
Smoothing cubic spline approximation of silicon diode temperature sensors thermometric characteristics
за авторством: Ivashchenko, O.M., та інші
Опубліковано: (2010) -
Smoothing cubic spline approximation of silicon diode temperature sensors thermometric characteristics
за авторством: O. M. Ivashchenko, та інші
Опубліковано: (2010) -
New evidence of the hopping nature of the excess tunnel current in heavily doped silicon - diodes at cryogenic temperatures
за авторством: Borblik, V. L., та інші
Опубліковано: (2017) -
New evidence of the hopping nature of the excess tunnel current in heavily doped silicon p-n diodes at cryogenic temperatures
за авторством: V. L. Borblik, та інші
Опубліковано: (2017)