Energy band gap and electrical conductivity of Cd₁₋xMnxTe alloys with different manganese content
The optical and electrical properties of single Cd₁₋xMnxTe (x = 0.07 - 0.40) crystals with p-type conduction and resistivity 10⁴– 10⁸ Ohm⋅cm have been studied. The band gaps of the samples and their temperature dependences have been determined. The electrical conductivity of this material and i...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
|---|---|
| Дата: | 2011 |
| Автори: | Kosyachenko, L.A., Rarenko, I.M., Aoki, T., Sklyarchuk, V.M., Maslyanchuk, O.L., Yurtsenyuk, N.S., Zakharuk, Z.І. |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2011
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/117789 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Energy band gap and electrical conductivity of Cd₁₋xMnxTe alloys with different manganese content / .A. Kosyachenko, I.M. Rarenko, T. Aoki, V.M. Sklyarchuk, O.L. Maslyanchuk, N.S. Yurtsenyuk, Z.І. Zakharuk // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2011. — Т. 14, № 4. — С. 421-426. — Бібліогр.: 16 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
Energy band gap and electrical conductivity of Cd1-xMnxTe alloys with different manganese content
за авторством: L. A. Kosyachenko, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: L. A. Kosyachenko, та інші
Опубліковано: (2011)
Characterization of Hg₁₋xMnxTe single crystals and Hg₁₋xMnxTe -based photodiodes
за авторством: Kosyachenko, L.A., та інші
Опубліковано: (1999)
за авторством: Kosyachenko, L.A., та інші
Опубліковано: (1999)
State of Cd₁₋xZnxTe and Cd₁₋xMnxTe surface depending on treatment type
за авторством: Dremlyuzhenko, S.G., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Dremlyuzhenko, S.G., та інші
Опубліковано: (2004)
Электрофизические свойства полумагнитных твердых растворов Hg₁₋xMnxTe
за авторством: Несмелова, И.М., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Несмелова, И.М., та інші
Опубліковано: (2004)
Strong effect of magnetic field on the edge luminescence line width in diluted magnetic narrow-gap Hg₁₋xMnxTe
за авторством: Mazur, Yu.I.
Опубліковано: (1998)
за авторством: Mazur, Yu.I.
Опубліковано: (1998)
Active region of CdTe X-/γ-ray detector with Schottky diode
за авторством: Kosyachenko, L.A., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Kosyachenko, L.A., та інші
Опубліковано: (2005)
Формирование наноструктур на поверхности кристаллов Cd₁₋xMnxTe при импульсном лазерном облучении
за авторством: Байдуллаева, А., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Байдуллаева, А., та інші
Опубліковано: (2008)
Thermoelectric figure of merit of Hg1-xMnxS, Hg1-x-uMnxFeyS and Hg1-xMnxTe1-zSz crystals
за авторством: P. D. Marianchuk, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: P. D. Marianchuk, та інші
Опубліковано: (2012)
The influence of irradiation by electrons and γ-quanta on photoelectrical and optical properties of epitaxial Pb₁₋xMnxTe film
за авторством: Abbasov, Sh.M., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Abbasov, Sh.M., та інші
Опубліковано: (2007)
Studies of CdHgTe as a material for x- and γ-ray detectors
за авторством: Kosyachenko, L.A., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Kosyachenko, L.A., та інші
Опубліковано: (2003)
Investigation of the direct/indirect exciton transition in the double quantum well system based on Cd₁₋yMgyTe/ Cd₁₋xMnxTe in applied magnetic field
за авторством: Lev, S.B., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Lev, S.B., та інші
Опубліковано: (2007)
Chemical treatment of Cd1-xMnxTe single crystals with H2O2-HI-citric acid aqueous solutions
за авторством: R. O. Denysyuk
Опубліковано: (2014)
за авторством: R. O. Denysyuk
Опубліковано: (2014)
Band structure of [100] surface of Cd₁₋x Mn x Te diluted magnetic semiconductor
за авторством: Melnichuk, S.V., та інші
Опубліковано: (2000)
за авторством: Melnichuk, S.V., та інші
Опубліковано: (2000)
Spectral distribution of photoelectric quantum yield of thin-film Au-CdTe diode structure
за авторством: Grushko, E.V., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Grushko, E.V., та інші
Опубліковано: (2007)
Characterization of CdTe+Mn crystals depending on doping procedure
за авторством: Nikoniuk, E.S., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Nikoniuk, E.S., та інші
Опубліковано: (2003)
Physical properties and band structure of crystals (3HgTe)1–x(Al2Te3)x, doped with manganese
за авторством: P. D. Marjanchuk, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: P. D. Marjanchuk, та інші
Опубліковано: (2014)
High-efficiency cadmium telluride detectors of X- and γ-radiation
за авторством: O. L. Maslyanchuk, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: O. L. Maslyanchuk, та інші
Опубліковано: (2014)
Compensation of hole conductivity in CdTe crystals doped with Cr
за авторством: Nikonyuk, E.S., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Nikonyuk, E.S., та інші
Опубліковано: (2007)
Surface and interface bands of the CdTe–HgTe–CdTe heterostructure: Evidence of metallicity
за авторством: I. N. Yakovkin
Опубліковано: (2021)
за авторством: I. N. Yakovkin
Опубліковано: (2021)
Surface and interface bands of the CdTe–HgTe–CdTe heterostructure: Evidence of metallicity
за авторством: I. N. Yakovkin
Опубліковано: (2021)
за авторством: I. N. Yakovkin
Опубліковано: (2021)
Technological conditions effect on structural perfection of Cd₁₋ₓMnₓTe crystals
за авторством: Shafranyuk, V., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Shafranyuk, V., та інші
Опубліковано: (2017)
Galvanomagnetic phenomena in HgMnTe and HgCdMnTe single crystals
за авторством: Ostapov, S.E., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Ostapov, S.E., та інші
Опубліковано: (2004)
Electron relaxation and mobility in the inverted band quantum well CdTe/Hg₁₋xCdxTe/CdTe
за авторством: Melezhik, Ye.O., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Melezhik, Ye.O., та інші
Опубліковано: (2014)
Electron relaxation and mobility in the inverted band quantum well CdTe/Hg1-xCdxTe/CdTe
за авторством: E. O. Melezhik, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: E. O. Melezhik, та інші
Опубліковано: (2014)
Structural changes in molten CdTe
за авторством: Shcherbak, L., та інші
Опубліковано: (2000)
за авторством: Shcherbak, L., та інші
Опубліковано: (2000)
Chemical treatment of Cd₁₋х MnxTe single crystals with H₂O₂–HI–citric acid aqueous solutions
за авторством: Denysyuk, R.O.
Опубліковано: (2014)
за авторством: Denysyuk, R.O.
Опубліковано: (2014)
The behavior of superconducting gaps in a two-band model of HTSC
за авторством: Konsin, P., та інші
Опубліковано: (1996)
за авторством: Konsin, P., та інші
Опубліковано: (1996)
On the origin of 300 K near-band-edge luminescence in CdTe
за авторством: Glinchuk, K.D., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Glinchuk, K.D., та інші
Опубліковано: (2003)
Simulation of the electronic states in the band gap for ZnS: Cu, Cl crystallophosphors
за авторством: Savchenko, N.D., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Savchenko, N.D., та інші
Опубліковано: (2004)
Self-purification effect in CdTe:Gd crystals
за авторством: Nikonyuk, E.S., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Nikonyuk, E.S., та інші
Опубліковано: (2008)
Influence of the effective mass of the state density on the temperature dependence of the band gap in solid solutions p-Bi2-xSbxTe3-ySey
за авторством: G. Guljamov, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: G. Guljamov, та інші
Опубліковано: (2013)
Effect of annealing on activation of native acceptors in narrow-gap p-HgCdTe crystals
за авторством: Bogoboyashchiy, V.V.
Опубліковано: (1999)
за авторством: Bogoboyashchiy, V.V.
Опубліковано: (1999)
Photoluminescence excitation spectroscopy in narrow - gap Hg₁₋x₋yCd xMnyTe
за авторством: Mazur, Yu. I.
Опубліковано: (1999)
за авторством: Mazur, Yu. I.
Опубліковано: (1999)
Ion separation in a plasma mass filter based on the band gap filter principle
за авторством: Ilichova, V.O.
Опубліковано: (2019)
за авторством: Ilichova, V.O.
Опубліковано: (2019)
Investigation of band gap width in mixed ZnSxSe1–x crystals
за авторством: O. G. Trubaeva, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: O. G. Trubaeva, та інші
Опубліковано: (2018)
Peculiarities of optical absorption near-edge in irradiated GaP:Te
за авторством: Konoreva, O., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Konoreva, O., та інші
Опубліковано: (2010)
The optical absorption spectra and band gap energies investigation for highly ordered thin films of dihydrodibenzotetraazaannulene
за авторством: V. H. Udovytskyi
Опубліковано: (2009)
за авторством: V. H. Udovytskyi
Опубліковано: (2009)
Magnetovolume anomalies in Ce₂Fe₁₇₋xMnx
за авторством: Prokhnenko, O., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Prokhnenko, O., та інші
Опубліковано: (2001)
Temperature induced shift of electronic band structure in Fe(Se,Te)
за авторством: Yu. V. Pustovit, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Yu. V. Pustovit, та інші
Опубліковано: (2019)
Energy band gap and the refractive index for polyaniline thin films of polyaniline in thin films on polyethylene surface
за авторством: Yu. Stetsiv, та інші
Опубліковано: (2022)
за авторством: Yu. Stetsiv, та інші
Опубліковано: (2022)
Схожі ресурси
-
Energy band gap and electrical conductivity of Cd1-xMnxTe alloys with different manganese content
за авторством: L. A. Kosyachenko, та інші
Опубліковано: (2011) -
Characterization of Hg₁₋xMnxTe single crystals and Hg₁₋xMnxTe -based photodiodes
за авторством: Kosyachenko, L.A., та інші
Опубліковано: (1999) -
State of Cd₁₋xZnxTe and Cd₁₋xMnxTe surface depending on treatment type
за авторством: Dremlyuzhenko, S.G., та інші
Опубліковано: (2004) -
Электрофизические свойства полумагнитных твердых растворов Hg₁₋xMnxTe
за авторством: Несмелова, И.М., та інші
Опубліковано: (2004) -
Strong effect of magnetic field on the edge luminescence line width in diluted magnetic narrow-gap Hg₁₋xMnxTe
за авторством: Mazur, Yu.I.
Опубліковано: (1998)