Зображення обкладинки

Influence of small miscuts on self-ordered growth of Ge nanoislands

Using high-resolution X-ray diffraction (HRXRD), we have investigated lateral ordering the nanoislands formed from Ge wetting layer of various thicknesses deposited on a strained Si₁₋xGex sublayer. We observed that the high lateral ordering degree is initiated by ordered modulation of non-uniform...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :	Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Дата:	2011
Автори:	Gudymenko, O.Yo., Kladko, V.P., Yefanov, O.M., Slobodian, M.V., Polischuk, Yu.S., Krasilnik, Z.F., Lobanov, D.V., Novikov, А.А.
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2011
Онлайн доступ:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/117796
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Influence of small miscuts on self-ordered growth of Ge nanoislands / O.Yo. Gudymenko, V.P. Kladko, O.M. Yefanov, M.V. Slobodian, Yu.S.Polischuk, Z.F. Krasilnik, D.V. Lobanov, А.А. Novikov // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2011. — Т. 14, № 4. — С. 389-392. — Бібліогр.: 18 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Influence of small miscuts on self-ordered growth of Ge nanoislands
за авторством: Yo. Gudymenko, та інші
Опубліковано: (2011)

Recombination of charge carriers in heterostructures with Ge nanoislands grown on Si(100)
за авторством: S. V. Kondratenko
Опубліковано: (2015)

Recombination of charge carriers in heterostructures with Ge nanoislands grown on Si(100)
за авторством: Kondratenko, S.V.
Опубліковано: (2015)

Modeling of X-ray rocking curves for layers after two-stage ion-implantation
за авторством: Liubchenko, O.I., та інші
Опубліковано: (2017)

The miscut angle influence on the future LHC crystal based collimation system
за авторством: Tikhomirov, V.V., та інші
Опубліковано: (2012)

SERS of Rhodamine 6G on substrates with laterally ordered and random gold nanoislands
за авторством: V. O. Yukhymchuk, та інші
Опубліковано: (2012)

SERS of Rhodamine 6G on substrates with laterally ordered and random gold nanoislands
за авторством: Yukhymchuk, V.O., та інші
Опубліковано: (2012)

Structural changes in Cz-Si single crystals irradiated with high-energy electrons from data of high-resolution X-ray diffractometry
за авторством: Fodchuk, І.М., та інші
Опубліковано: (2010)

Features of structural changes in mosaic Ge:Sb according to X-ray diffractometry and electron backscatter diffraction data
за авторством: Borcha, M.D., та інші
Опубліковано: (2019)

Modeling of X-ray rocking curves for layers after two-stage ion-implantation
за авторством: O. I. Liubchenko, та інші
Опубліковано: (2017)

Anisotropy of elastic deformations in multilayer (In,Ga)As/GaAs structures with quantum wires: X-ray diffractometry study
за авторством: Strelchuk, V.V., та інші
Опубліковано: (2005)

Features of structural changes in mosaic Ge:Sb according to X-ray diffractometry and electron backscatter diffraction data
за авторством: M. D. Borcha, та інші
Опубліковано: (2019)

Oxygen ion-beam modification of vanadium oxide films for reaching a high value of the resistance temperature coefficient
за авторством: Sabov, T.M., та інші
Опубліковано: (2017)

Features of formation and functioning of phytoplankton of small reservoirs
за авторством: Shelyuk, Yu.S.
Опубліковано: (2022)

Influence of microwave radiation on relaxation processes in silicon carbide
за авторством: Bacherikov, Yu.Yu., та інші
Опубліковано: (2020)

Structural changes in Cz-Si single crystals irradiated with high-energy electrons from data of high-resolution X-ray diffractometry
за авторством: I. M. Fodchuk, та інші
Опубліковано: (2010)

Morphology and optical properties of tetragonal Ge nanoclusters grown on chemically oxidized Si(100) surfaces
за авторством: V. S. Lysenko, та інші
Опубліковано: (2012)

Quantum Hall effect in p-Ge/Ge₁₋xSix heterostructures with low hole mobility
за авторством: Arapov, Yu.G., та інші
Опубліковано: (2007)

Structure of the dimeric adsorption complex Ge on the face of Si(001)
за авторством: O. I. Tkachuk, та інші
Опубліковано: (2013)

Influence of deposition rate and substrate temperature on structure and optical features of NiO thin film
за авторством: Oberemok, O.S., та інші
Опубліковано: (2016)

Influence of interaction in the GeO—GeO2 and Ge—GeO2(SnO2) systems on optical properties of composites
за авторством: V. F. Zinchenko, та інші
Опубліковано: (2013)

Transformation of addimers &gt;Ge=Ge&lt;, &gt;Ge=Si&lt; AND &gt;Si=Si&lt; on the relaxed side of Si (001) (4 Ч 2)
за авторством: M. I. Terebinska, та інші
Опубліковано: (2021)

Glass formation region and X-ray analysis of the glassy alloys in AgGaSe₂+GeS₂<=>AgGaS₂+GeSe₂ system
за авторством: Halyan, V.V., та інші
Опубліковано: (2009)

Relaxation of photovoltage in ITO-Ge-Si heterojunction with Ge nanostructured thin films
за авторством: S. A. Iliash, та інші
Опубліковано: (2017)

Relaxation of photovoltage in ITO-Ge-Si heterojunction with Ge nanostructured thin films
за авторством: Iliash, S.A., та інші
Опубліковано: (2017)

Вплив взаємодії у системах GeO-GeO₂ та Ge-GeO₂(SnO₂) на оптичні властивості композитів
за авторством: Зінченко, В.Ф., та інші
Опубліковано: (2013)

Investigation of the optical and acoustical phonon modes in Si₁₋xGex QD SLs
за авторством: Dzhagan, V.N., та інші
Опубліковано: (2003)

The spatial separation of electron-hole pairs in Si/Ge heterostructures
за авторством: V. S. Lysenko, та інші
Опубліковано: (2015)

The spatial separation of electron-hole pairs in Si/Ge heterostructures
за авторством: Lysenko, V.S., та інші
Опубліковано: (2015)

Effect of electron-beam treatment of sensor glass substrates for SPR devices on their metrological characteristics
за авторством: Vashchenko, V.A., та інші
Опубліковано: (2019)

The structure of glassy HgS–GeS₂
за авторством: Halyan, V.V., та інші
Опубліковано: (2005)

Electronic structure of Ag₈GeS₆
за авторством: Bletskan, D.I., та інші
Опубліковано: (2017)

Optical properties of Ge-As-S thin films
за авторством: Tolmachov, I.D., та інші
Опубліковано: (2009)

Small-time limit behavior of the probability that a Lévy process stays positive
за авторством: Knopova, V.P.
Опубліковано: (2016)

The impact of heat treatment on the magnetic sensitivity of irradiated by electrons single crystals n-Ge
за авторством: Luniov, S.V., та інші
Опубліковано: (2019)

Reflectionless propagation of electromagnetic waves in inhomogeneous chiral plasma with small scale
за авторством: Poverennui, M.V., та інші
Опубліковано: (2013)

Morphology and optical properties of tetragonal Ge nanoclusters grown on chemically oxidized Si(100) surfaces
за авторством: V. S. Lysenko, та інші
Опубліковано: (2012)

Magnetotenso- and tensomagnetoresistance of n-Ge
за авторством: P. I. Baranskyi, та інші
Опубліковано: (2016)

Incoherent microwave-induced resistive states of small Josephson junctions
за авторством: Koval, Y., та інші
Опубліковано: (2010)

Electronic structure of Ag8GeS6
за авторством: D. I. Bletskan, та інші
Опубліковано: (2017)