Buchumschlag

Influence of small miscuts on self-ordered growth of Ge nanoislands

Using high-resolution X-ray diffraction (HRXRD), we have investigated lateral ordering the nanoislands formed from Ge wetting layer of various thicknesses deposited on a strained Si₁₋xGex sublayer. We observed that the high lateral ordering degree is initiated by ordered m...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Datum:	2011
ISSN:	1560-8034
Hauptverfasser:	Gudymenko, O.Yo., Kladko, V.P., Yefanov, O.M., Slobodian, M.V., Polischuk, Yu.S., Krasilnik, Z.F., Lobanov, D.V., Novikov, А.А.
Format:	Artikel
Sprache:	Englisch
Veröffentlicht:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2011
Online Zugang:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/117796
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:	Influence of small miscuts on self-ordered growth of Ge nanoislands / O.Yo. Gudymenko, V.P. Kladko, O.M. Yefanov, M.V. Slobodian, Yu.S.Polischuk, Z.F. Krasilnik, D.V. Lobanov, А.А. Novikov // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2011. — Т. 14, № 4. — С. 389-392. — Бібліогр.: 18 назв. — англ.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Ähnliche Einträge

Influence of small miscuts on self-ordered growth of Ge nanoislands
von: Yo. Gudymenko, et al.
Veröffentlicht: (2011)

Особливості зародження та упорядкування GeSi наноострівців у багатошарових структурах, сформованих на Si та Si1-xGex буферних шарах
von: Yukhymchuk, V.O., et al.
Veröffentlicht: (2022)

Recombination of charge carriers in heterostructures with Ge nanoislands grown on Si(100)
von: S. V. Kondratenko
Veröffentlicht: (2015)

Recombination of charge carriers in heterostructures with Ge nanoislands grown on Si(100)
von: Kondratenko, S.V.
Veröffentlicht: (2015)

Structure and electrical resistance of the passivating ZnSe layer on Ge
von: Maslov, V.P., et al.
Veröffentlicht: (2021)

The miscut angle influence on the future LHC crystal based collimation system
von: Tikhomirov, V.V., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Modeling of X-ray rocking curves for layers after two-stage ion-implantation
von: Liubchenko, O.I., et al.
Veröffentlicht: (2017)

SERS of Rhodamine 6G on substrates with laterally ordered and random gold nanoislands
von: V. O. Yukhymchuk, et al.
Veröffentlicht: (2012)

SERS of Rhodamine 6G on substrates with laterally ordered and random gold nanoislands
von: Yukhymchuk, V.O., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Optical and acoustical phonon modes in superlattices with SiGe QDs
von: Yukhymchuk, V.O., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Structural changes in Cz-Si single crystals irradiated with high-energy electrons from data of high-resolution X-ray diffractometry
von: Fodchuk, І.М., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Features of structural changes in mosaic Ge:Sb according to X-ray diffractometry and electron backscatter diffraction data
von: Borcha, M.D., et al.
Veröffentlicht: (2019)

Modeling of X-ray rocking curves for layers after two-stage ion-implantation
von: O. I. Liubchenko, et al.
Veröffentlicht: (2017)

Features of structural changes in mosaic Ge:Sb according to X-ray diffractometry and electron backscatter diffraction data
von: M. D. Borcha, et al.
Veröffentlicht: (2019)

Features of formation and functioning of phytoplankton of small reservoirs
von: Shelyuk, Yu.S.
Veröffentlicht: (2022)

Structural changes in Cz-Si single crystals irradiated with high-energy electrons from data of high-resolution X-ray diffractometry
von: I. M. Fodchuk, et al.
Veröffentlicht: (2010)

Anisotropy of elastic deformations in multilayer (In,Ga)As/GaAs structures with quantum wires: X-ray diffractometry study
von: Strelchuk, V.V., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Morphology and optical properties of tetragonal Ge nanoclusters grown on chemically oxidized Si(100) surfaces
von: V. S. Lysenko, et al.
Veröffentlicht: (2012)

Морфологія та оптичні властивості нанокластерів Ge на окисленій поверхні Si(001)
von: Lysenko, V.S., et al.
Veröffentlicht: (2021)

Quantum Hall effect in p-Ge/Ge₁₋xSix heterostructures with low hole mobility
von: Arapov, Yu.G., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Structure of the dimeric adsorption complex Ge on the face of Si(001)
von: O. I. Tkachuk, et al.
Veröffentlicht: (2013)

Influence of interaction in the GeO—GeO2 and Ge—GeO2(SnO2) systems on optical properties of composites
von: V. F. Zinchenko, et al.
Veröffentlicht: (2013)

Transformation of addimers &gt;Ge=Ge&lt;, &gt;Ge=Si&lt; AND &gt;Si=Si&lt; on the relaxed side of Si (001) (4 Ч 2)
von: M. I. Terebinska, et al.
Veröffentlicht: (2021)

Influence of deposition rate and substrate temperature on structure and optical features of NiO thin film
von: Oberemok, O.S., et al.
Veröffentlicht: (2016)

Структура димерних адсорбційних комплексів Ge на грані Si(001)
von: Tkachuk, O. I., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Influence of microwave radiation on relaxation processes in silicon carbide
von: Bacherikov, Yu.Yu., et al.
Veröffentlicht: (2020)

Relaxation of photovoltage in ITO-Ge-Si heterojunction with Ge nanostructured thin films
von: S. A. Iliash, et al.
Veröffentlicht: (2017)

Oxygen ion-beam modification of vanadium oxide films for reaching a high value of the resistance temperature coefficient
von: Sabov, T.M., et al.
Veröffentlicht: (2017)

Relaxation of photovoltage in ITO-Ge-Si heterojunction with Ge nanostructured thin films
von: Iliash, S.A., et al.
Veröffentlicht: (2017)

Investigation of the optical and acoustical phonon modes in Si₁₋xGex QD SLs
von: Dzhagan, V.N., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Formation of silicon nanoclusters in buried ultra-thin oxide layers
von: Oberemok, O.S., et al.
Veröffentlicht: (2011)

The spatial separation of electron-hole pairs in Si/Ge heterostructures
von: V. S. Lysenko, et al.
Veröffentlicht: (2015)

Структура чистих Si−Si, Ge−Ge та змішаних аддимерів Si−Ge на поверхні Si(001)
von: Afanasieva, T.V., et al.
Veröffentlicht: (2022)

Вплив взаємодії у системах GeO-GeO₂ та Ge-GeO₂(SnO₂) на оптичні властивості композитів
von: Зінченко, В.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Glass formation region and X-ray analysis of the glassy alloys in AgGaSe₂+GeS₂<=>AgGaS₂+GeSe₂ system
von: Halyan, V.V., et al.
Veröffentlicht: (2009)

The spatial separation of electron-hole pairs in Si/Ge heterostructures
von: Lysenko, V.S., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Electronic structure of Ag₈GeS₆
von: Bletskan, D.I., et al.
Veröffentlicht: (2017)

The structure of glassy HgS–GeS₂
von: Halyan, V.V., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Просторовий розподіл електрон-діркових пар в Si/Ge гетероструктурах
von: Lysenko, V. S., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Study of photorefractive effect in crystals Pb₅Ge₃O₁₁:Cu and Pb₅Ge₃O₁₁
von: Gnatovsky, O., et al.
Veröffentlicht: (2001)