Зображення обкладинки

Spin-dependent current in silicon p-n junction diodes

We have used electrically detected spin-dependent paramagnetic resonance to investigate the non-equilibrium conductivity in a silicon diode. In order to create paramagnetic centers, we used diode with a polished surface (that includes p-n junction). The dependence of relat...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :	Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Дата:	2010
Автори:	Tretyak, O.V., Kozonushchenko, O.I., Krivokhizha, K.V., Revenko, A.S.
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2010
Онлайн доступ:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/117808
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Spin-dependent current in silicon p-n junction diodes/O.V. Tretyak, O.I. Kozonushchenko, K.V. Krivokhizha, A.S. Revenko // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2010. — Т. 13, № 1. — С. 95-97. — Бібліогр.: 10 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Spin-dependent current in silicon p-n junction diodes
за авторством: O. V. Tretyak, та інші
Опубліковано: (2010)

Spin and current variations in Josephson junctions
за авторством: Shnirman, A., та інші
Опубліковано: (2004)

Negative magnetoresistance of heavily doped silicon p-n junction
за авторством: V. L. Borblik, та інші
Опубліковано: (2011)

Negative magnetoresistance of heavily doped silicon p-n junction
за авторством: Borblik, V.L., та інші
Опубліковано: (2011)

Modeling of thermal processes ohigh-frequency silicon p-i-n-diode
за авторством: A. V. Karimov, та інші
Опубліковано: (2014)

Volt-ampere characteristic and induced current in the external circuit of avalanche-generator diodes on the basis of the back displaced abrupt p–n-junctions
за авторством: K. A. Lukin, та інші
Опубліковано: (2015)

Concerning the depletion width of a radial p-n junction and its influence on electrical properties of the diode
за авторством: V. L. Borblik
Опубліковано: (2017)

Charge and spin currents in the ballistic SNS Josephson junction between p-wave superconductors
за авторством: Rashedi, G., та інші
Опубліковано: (2010)

New evidence of the hopping nature of the excess tunnel current in heavily doped silicon p-n diodes at cryogenic temperatures
за авторством: V. L. Borblik, та інші
Опубліковано: (2017)

Physical properties of sensor structures on the basis of silicon p−n junction with interdigitated back contacts
за авторством: O. V. Kozynets, та інші
Опубліковано: (2012)

Physical properties of sensor structures on the basis of silicon p−n junction with interdigitated back contacts
за авторством: O. V. Kozynets, та інші
Опубліковано: (2012)

New approach to the efficiency increase problem for multi-junction silicon photovoltaic converters with vertical diode cells
за авторством: Kopach, V.R., та інші
Опубліковано: (2008)

Microwave detectors based on the spin-torque diode effect
за авторством: Prokopenko, O.V., та інші
Опубліковано: (2015)

Nonlinear current resonance in the spin-torque diode with a planar magnetization
за авторством: N. E. Kulagin, та інші
Опубліковано: (2017)

Properties of junction diodes under conditions of bisotropic strains
за авторством: Borblik, V.L.
Опубліковано: (2009)

Gunn Diode with Tunnel p++-n++-cathode
за авторством: Arkusha, Yu. V., та інші
Опубліковано: (2013)

Analytic theory for the current-voltage characteristic of a nanowire radial p-i-n diode
за авторством: Borblik, V.L.
Опубліковано: (2021)

Impact of traps on current-voltage characteristic of n+-n-n+ diode
за авторством: P. M. Kruglenko
Опубліковано: (2017)

Electrostatics of the nanowire radial p-i-n diode
за авторством: V. L. Borblik
Опубліковано: (2019)

Physical properties of silicon sensor structures with photoelectric transformation on the basis of &quot;deep&quot; p–n-junction
за авторством: O. V. Kozynets, та інші
Опубліковано: (2017)

Effect of internal electrical field on compositional dependence of p-n junction depth in ion milled p-CdxHg₁₋xTe
за авторством: Izhnin, I.I., та інші
Опубліковано: (2005)

Grain Boundary Junctions in Polycrystalline Silicon Films
за авторством: O. T. Bohorosh, та інші
Опубліковано: (2013)

Microwave detectors based on the spin-torque diode effect
за авторством: O. V. Prokopenko, та інші
Опубліковано: (2015)

Physical properties of silicon sensor structures with photoelectric transformation on the basis of &quot;deep&quot; p–n-junction
за авторством: A. V. Kozinetz, та інші
Опубліковано: (2017)

Contacts for silicon IMPATT and pick-off diodes
за авторством: Boltovets, N.S., та інші
Опубліковано: (2000)

Low doses effect in GaP light-emitting diodes
за авторством: Hontaruk, O.M., та інші
Опубліковано: (2016)

Current instabilities in resonant tunnelling diodes based on GaN/AlN heterojunctions
за авторством: Belyaev, A.E., та інші
Опубліковано: (2004)

Millimeter wave p—i—n-diode switching controlled devices
за авторством: N. F. Karushkin, та інші
Опубліковано: (2016)

Temperature dependence of the energy resolution and leakage current of the planar silicone detectors
за авторством: Deiev, O.S., та інші
Опубліковано: (2013)

Be-ion-implanted p-n InSb diode for infrared applications. Modeling, fabrication, and characterization
за авторством: Korotyeyev, V.V., та інші
Опубліковано: (2018)

New evidence of the hopping nature of the excess tunnel current in heavily doped silicon - diodes at cryogenic temperatures
за авторством: Borblik, V. L., та інші
Опубліковано: (2017)

Features of current-voltage characteristics inherent to GaP light-emitting diodes with quantum wells
за авторством: Konoreva, O., та інші
Опубліковано: (2006)

Carrier transport mechanisms in InSb diffusion p-n junctions
за авторством: A. Sukach, та інші
Опубліковано: (2014)

Carrier transport mechanisms in InSb diffusion p-n junctions
за авторством: Sukach, A., та інші
Опубліковано: (2014)

Concerning the depletion width of a radial - junction and its influence on electrical properties of the diode
за авторством: Borblik, V.L.
Опубліковано: (2017)

Kinetics of current formation in molecular diode
за авторством: E. G. Petrov, та інші
Опубліковано: (2012)

The perfect spin injection in silicene FS/NS junction
за авторством: Tian, H.-Y., та інші
Опубліковано: (2017)

Photoconverters with microrelief p-n-junction on a basis of p AlxGa₁₋x-p GaAs-n GaAs-n⁺ GaAs heterojunction
за авторством: Karimov, A.V., та інші
Опубліковано: (2005)

Anomalous temperature dependence of the stationary Josephson tunnel current in junctions between d-wave superconductors
за авторством: A. M. Gabovich, та інші
Опубліковано: (2014)

Anomalous temperature dependence of the stationary Josephson tunnel current in junctions between d-wave superconductors
за авторством: Gabovich, A.M., та інші
Опубліковано: (2014)