Vlaskina, S., Vlaskin, V., Podlasov, S., Rodionov, V., & Svechnikov, G. (2007). Boron, aluminum, nitrogen, oxygen impurities in silicon carbide. Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics.
Chicago-Zitierstil (17. Ausg.)Vlaskina, S.I, V.I Vlaskin, S.A Podlasov, V.E Rodionov, und G.S Svechnikov. "Boron, Aluminum, Nitrogen, Oxygen Impurities in Silicon Carbide." Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics 2007.
MLA-Zitierstil (8. Ausg.)Vlaskina, S.I, et al. "Boron, Aluminum, Nitrogen, Oxygen Impurities in Silicon Carbide." Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2007.
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