APA (7th ed.) Citation

Vlaskina, S., Vlaskin, V., Podlasov, S., Rodionov, V., & Svechnikov, G. (2007). Boron, aluminum, nitrogen, oxygen impurities in silicon carbide. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України.

Chicago Style (17th ed.) Citation

Vlaskina, S.I, V.I Vlaskin, S.A Podlasov, V.E Rodionov, and G.S Svechnikov. Boron, Aluminum, Nitrogen, Oxygen Impurities in Silicon Carbide. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, 2007.

MLA (8th ed.) Citation

Vlaskina, S.I, et al. Boron, Aluminum, Nitrogen, Oxygen Impurities in Silicon Carbide. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, 2007.