Стиль цитування APA (7-ме видання)

Vlaskina, S., Vlaskin, V., Podlasov, S., Rodionov, V., & Svechnikov, G. (2007). Boron, aluminum, nitrogen, oxygen impurities in silicon carbide. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України.

Чикаго стиль цитування (17-те видання)

Vlaskina, S.I, V.I Vlaskin, S.A Podlasov, V.E Rodionov, та G.S Svechnikov. Boron, Aluminum, Nitrogen, Oxygen Impurities in Silicon Carbide. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, 2007.

Стиль цитування MLA (8-ме видання)

Vlaskina, S.I, et al. Boron, Aluminum, Nitrogen, Oxygen Impurities in Silicon Carbide. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, 2007.