Зображення обкладинки

Boron, aluminum, nitrogen, oxygen impurities in silicon carbide

Diffusion of boron, aluminum, and oxygen was conducted at temperatures 1600 – 1700°C. Very pure original n-SiC crystal (6H-SiC) specially grown by the Lely method annealed in oxygen during 2 h at 1700 °C, in argon during 2 h at 1700 °C, with aluminum and silicon oxide powder during 2 h, and with...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :	Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Дата:	2007
Автори:	Vlaskina, S.I., Vlaskin, V.I., Podlasov, S.A., Rodionov, V.E., Svechnikov, G.S.
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2007
Онлайн доступ:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/117865
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Boron, aluminum, nitrogen, oxygen impurities in silicon carbide / S.I. Vlaskina, V.I. Vlaskin, S.A. Podlasov, V.E. Rodionov, G.S. Svechnikov // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2007. — Т. 10, № 2. — С. 21-25. — Бібліогр.: 24 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Nanograin boundaries and silicon carbide photoluminescence
за авторством: Vlaskina, S.I., та інші
Опубліковано: (2017)

Nanocrystalline silicon carbide films for solar cells
за авторством: Vlaskina, S.I., та інші
Опубліковано: (2016)

Nanostructures in lightly doped silicon carbide crystals with polytypic defects
за авторством: Vlaskina, S.I., та інші
Опубліковано: (2014)

3C-6H transformation in heated cubic silicon carbide 3C-SiC
за авторством: Vlaskina, S.I., та інші
Опубліковано: (2011)

8H-, 10H-, 14H-SiC formation in 6H-3C silicon carbide phase transitions
за авторством: Vlaskina, S.I., та інші
Опубліковано: (2013)

Silicon carbide phase transition in as-grown 3C-6H polytypes junction
за авторством: Vlaskina, S.I., та інші
Опубліковано: (2013)

Silicon carbide defects and luminescence centers in current heated 6H-SiC
за авторством: Lee, S.W., та інші
Опубліковано: (2010)

Nanograin boundaries and silicon carbide photoluminescence
за авторством: S. I. Vlaskina, та інші
Опубліковано: (2017)

Nanocrystalline silicon carbide films for solar cells
за авторством: S. I. Vlaskina, та інші
Опубліковано: (2016)

Analyzing silicon for the content of oxygen, nitrogen and hydrogen impurities
за авторством: R. V. Kozin, та інші
Опубліковано: (2024)

Nanostructures in lightly doped silicon carbide crystals with polytypic defects
за авторством: S. I. Vlaskina, та інші
Опубліковано: (2014)

Silicon carbide LED
за авторством: Vlaskina, S.I.
Опубліковано: (2002)

Influence of boron doping on the photosensitivity of cubic silicon carbide
за авторством: V. N. Rodionov, та інші
Опубліковано: (2019)

Influence of boron doping on the photosensitivity of cubic silicon carbide
за авторством: Rodionov, V.N., та інші
Опубліковано: (2019)

External impacts on SiC nanostructures in pure and lightly doped silicon carbide crystals
за авторством: S. I. Vlaskina, та інші
Опубліковано: (2015)

Silicon carbide defects and luminescence centers in current heated 6H-SiC
за авторством: S. W. Lee, та інші
Опубліковано: (2010)

3C-6H transformation in heated cubic silicon carbide 3C-SiC
за авторством: S. I. Vlaskina, та інші
Опубліковано: (2011)

Silicon carbide phase transition in as-grown 3C-6H polytypes junction
за авторством: S. I. Vlaskina, та інші
Опубліковано: (2013)

8H-, 10H-, 14H-SiC formation in 6H-3C silicon carbide phase transitions
за авторством: S. I. Vlaskina, та інші
Опубліковано: (2013)

Boron impurity effect on the structural, elastic, and electronic properties of titanium carbide
за авторством: I. V. Plyushchay, та інші
Опубліковано: (2020)

Boron impurity effect on the structural, elastic, and electronic properties of titanium carbide
за авторством: I. V. Pliushchai, та інші
Опубліковано: (2020)

Effect of sintering temperature and applied pressure on the properties of boron carbide- silicon carbide composites
за авторством: Ya. Z. Aygьzer, та інші
Опубліковано: (2021)

Structure of photoluminescence DL-spectra and phase transformation in lightly doped SiC crystals and films
за авторством: Vlaskina, S.I., та інші
Опубліковано: (2015)

Flexible electroluminescent panels
за авторством: Vlaskin, V.I., та інші
Опубліковано: (2007)

Structure of photoluminescence DL-spectra and phase transformation in lightly doped SiC crystals and films
за авторством: Vlaskina, S.I., та інші
Опубліковано: (2015)

Production and properties of hot-pressed materials based on silicon carbide with additions of boron and titanium carbides
за авторством: V. V. Ivzhenko, та інші
Опубліковано: (2016)

Microfluctuations of oxygen impurity concentration as a reason of accelerated oxygen diffusion in silicon
за авторством: Neimash, V.B., та інші
Опубліковано: (2000)

Changing the performance of diamond finishing of ceramic balls of boron carbide and silicon nitride
за авторством: S. V. Sokhan, та інші
Опубліковано: (2021)

Reinforcement of material based on the cubic boron nitride by the help of silicon carbide whiskers
за авторством: Yu. Yu. Rumiantseva, та інші
Опубліковано: (2018)

Dynamics of thermoluminescence spectra of impurity– helium condensates containing stabilized nitrogen and oxygen atoms
за авторством: Khmelenko, V.V., та інші
Опубліковано: (2012)

Dynamics of thermoluminescence spectra of impurity–helium condensates containing stabilized nitrogen and oxygen atoms
за авторством: V. V. Khmelenko, та інші
Опубліковано: (2012)

Sintering and properties of materials based on silicon, boron and titanium carbides obtained by electrospark sintering
за авторством: V. V. Ivzhenko, та інші
Опубліковано: (2021)

Peculiarities of phase transformations in SiC crystals and thin films with in-grown original defects
за авторством: Vlaskina, S.I., та інші
Опубліковано: (2014)

Ab Initio Calculation of Magnetic Interaction Between Edge Dislocation and Oxygen Impurity in Silicon
за авторством: I. V. Pliushchai, та інші
Опубліковано: (2014)

Low-temperature synthesis of boron carbide ceramics
за авторством: Ye. V. Solodkyi, та інші
Опубліковано: (2018)

Ab initio calculation of the equilibrium positions and electronic spectra of oxygen and carbon impurities in silicon
за авторством: T. V. Horkavenko, та інші
Опубліковано: (2016)

Electroarc synthesis and cleaning from carbon impurities of cubic silicon carbide in the air atmosphere
за авторством: Ja. Pak, та інші
Опубліковано: (2018)

Electrical resistivity of pressureless sintered aluminum nitride based composite with addition of nanosized silicon carbide
за авторством: I. P. Fesenko, та інші
Опубліковано: (2017)

Behavior of oxygen and nitrogen in the melt during oxygen-converter heat
за авторством: S. I. Semykin, та інші
Опубліковано: (2017)

Initiation of a plastic flow in boron carbide at nanoindentation
за авторством: S. N. Dub, та інші
Опубліковано: (2015)