Зображення обкладинки

High-temperature configurations of dimers in Si (001) surface layers

Molecular Dynamics (MD) simulation of Si (001) surface layers was performed. In the modified algorithm of MD the potential is corrected on each step of calculation. The corrections account the re-hybridization of chemical bonds in relaxation processes. It was found that the high-temperature relaxati...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :	Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Дата:	2003
Автори:	Kiv, A.E., Maksymova, T.I., Moiseenko, N.V., Soloviev, V.N.
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2003
Онлайн доступ:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/117867
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	High-temperature configurations of dimers in Si (001) surface layers / A.E. Kiv, T.I. Maksymova, N.V. Moiseenko, V.N. Soloviev // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2003. — Т. 6, № 1. — С. 14-18. — Бібліогр.: 13 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Microstructure of the relaxed (001) Si surface
за авторством: Kiv, A.E., та інші
Опубліковано: (2000)

Structure of the dimeric adsorption complex Ge on the face of Si(001)
за авторством: O. I. Tkachuk, та інші
Опубліковано: (2013)

Study of the interaction of atoms of the IV- and V-th groups with Si(001) and Ge(001) surfaces
за авторством: T. V. Afanasieva
Опубліковано: (2015)

Study of the interaction of atoms of the IV- and V-th groups with Si(001) and Ge(001) surfaces
за авторством: T. V. Afanasieva
Опубліковано: (2015)

Intrinsic nanostructures on the (001) surface of strontium titanate at low temperatures
за авторством: V. O. Hamalii, та інші
Опубліковано: (2020)

Surface stresses at the initial steps of the GexSi1-x/Si(001) surface oxidation
за авторством: O. A. Hrynchuk, та інші
Опубліковано: (2014)

Surface stresses at the initial steps of the GexSi1-x/Si(001) surface oxidation
за авторством: A. A. Grynchuk, та інші
Опубліковано: (2014)

Adsorption of molecular oxygen onto Si1-xGex/Si(001) surface
за авторством: A. A. Greenchuk, та інші
Опубліковано: (2012)

Adsorption of molecular oxygen onto Si1-xGex/Si(001) surface
за авторством: O. A. Hrynchuk, та інші
Опубліковано: (2012)

Temperature dependences of surface magnetoelastic constants of ultrathin Fe/GaAs (001) films
за авторством: Żuberek, R., та інші
Опубліковано: (2012)

Surface and electron structure of the 6H-SiC(0001)-(3×3) surface and ultrathin Ag films on Si(111) and Si(001)
за авторством: Gasparov, V.A.
Опубліковано: (2011)

Interaction of molecular oxygen with Si(001) surface covered with a chromium or titanium monolayer
за авторством: I. P. Koval, та інші
Опубліковано: (2015)

Interaction of molecular oxygen with Si(001) surface covered with a chromium or titanium monolayer
за авторством: I. P. Koval, та інші
Опубліковано: (2015)

Surface and electron structure of the 6H-SiC(0001)-(3Ч3) surface and ultrathin Ag films on Si(111) and Si(001)
за авторством: V. A. Gasparov
Опубліковано: (2011)

Low temperature structural transformations on the (001) surface of SrTiO3 single crystals
за авторством: N. V. Krainyukova, та інші
Опубліковано: (2020)

Scanning tunneling microscopy investigation of the Si(001)-c(8 Ч 8) nanostructured surface
за авторством: A. Goriachko, та інші
Опубліковано: (2015)

Scanning tunneling microscopy investigation of the Si(001)-c(8 Ч 8) nanostructured surface
за авторством: A. Goriachko, та інші
Опубліковано: (2015)

Piezoelectric effect in p -Si/SiGe/(001)Si modulation doped heterostructures
за авторством: Dugaev, V.K., та інші
Опубліковано: (2000)

Topography of Si epitaxial monolayers obtained on Si (001) substrate by computer simulations
за авторством: Pyziak, L., та інші
Опубліковано: (2003)

Morphology and optical constants of ge nanocrystalline films deposited on Si(001)
за авторством: Yu. M. Kozyriev, та інші
Опубліковано: (2016)

About the dimer helium
за авторством: A. M. Pavlov
Опубліковано: (2009)

Deformations of Dimer Models
за авторством: Higashitani, Akihiro, та інші
Опубліковано: (2022)

Functionalization of diamantane dimers
за авторством: P. A. Gunchenko, та інші
Опубліковано: (2020)

Defects and radiation-enhanced defect reactions in ZnSe/(001)GaAs MBE layers
за авторством: Semenova, G.N., та інші
Опубліковано: (2002)

Electrical properties of semiconductor structures with Si nanoclusters in SiO₂ grown by high temperature annealing technology of SiOx layer, X<2
за авторством: Bunak, S.V., та інші
Опубліковано: (2010)

Formation and thermal stability of NiSi phase in Ni (30 nm)/Pt (2 nm; 6 nm)/Siep. (50 nm)/Si (001) thin film systems
за авторством: Makogon, Iu.N., та інші
Опубліковано: (2013)

Quantum chemical calculations on adsorption of o2 molecules on the anatase (001) surface
за авторством: O. V. Smirnova, та інші
Опубліковано: (2016)

Shear-induced metallization on (001) and (111) surfaces of diamond during hardness tests
за авторством: S. M. Dub, та інші
Опубліковано: (2021)

Complex destruction of near-surface silicon layers of Si-SiO₂ structure
за авторством: Yatsunskiy, I.R., та інші
Опубліковано: (2010)

Layering O+(E3) as configuration spase while modeling body
за авторством: S. I. Ljashko, та інші
Опубліковано: (2018)

Electrical properties of semiconductor structures with Si nanoclusters in SiO2 grown by high temperature annealing technology of SiOX layer, X&lt;2
за авторством: S. V. Bunak, та інші
Опубліковано: (2010)

Temperature dependence of contact resistance of Au−Ti−Pd2Si−n⁺ -Si ohmic contacts
за авторством: Belyaev, A.E., та інші
Опубліковано: (2010)

Molecular isomerization in n-propanol dimers
за авторством: I. Doroshenko, та інші
Опубліковано: (2020)

Molecular isomerization in n-propanol dimers
за авторством: I. Doroshenko, та інші
Опубліковано: (2020)

Spectroscopy of yttrium dimers in argon matrices
за авторством: Fang, Li, та інші
Опубліковано: (2000)

Diffusive Phase Formation in the Nanosize Layer-by-Layer Film Compositions of Pt(15 nm)/Fe(15 nm) and (Pt(7.5 nm)/Fe(7.5 nm))2 on a SiO2(100 nm)/Si(001) Substrate
за авторством: Yu. N. Makohon, та інші
Опубліковано: (2014)

Структура і властивості первинних поверхневих утворень германію на грані Si(001): квантовохімічні дослідження
за авторством: Tkachuk, O. I., та інші
Опубліковано: (2014)

Complex destruction of near-surface silicon layers of Si-SiO2 structure
за авторством: I. R. Yatsunskiy, та інші
Опубліковано: (2010)

Phase transformations of n-layer graphenes into diamond at high pressures and temperatures
за авторством: A. A. Shulzhenko, та інші
Опубліковано: (2017)

Diffusion barrier layer for high-temperature protective coatings
за авторством: Ju. Jakovchuk, та інші
Опубліковано: (2016)