Buchumschlag

Overheating effect and hole-phonon interaction in SiGe heterostructures

The effect of the charge carriers overheating in a two-dimensional (2D) hole gas in a Si1–xGex quantum well, where x = 0.13; 0.36; 0.8, 0.95, has been realized. The Shubnikov–de Haas (SdH) oscillation amplitude was used as a «thermometer» to measure the temperature of overheated ho...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Физика низких температур
Datum:	2008
Hauptverfasser:	Berkutov, I.B., Andrievskii, V.V., Komnik, Yu.F., Myronov, M., Mironov, O.A.
Format:	Artikel
Sprache:	Englisch
Veröffentlicht:	Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2008
Schlagworte:	Низкоразмерные и неупорядоченные системы
Online Zugang:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/117882
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:	Overheating effect and hole-phonon interaction in SiGe heterostructures / I.B. Berkutov, V.V. Andrievskii, Yu.F. Komnik, M. Myronov, O.A. Mironov // Физика низких температур. — 2008. — Т. 34, № 11. — С. 1192-1196. — Бібліогр.: 14 назв. — англ.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Ähnliche Einträge

Эффекты слабой локализации и взаимодействия носителей заряда в двумерном дырочном газе в германиевой квантовой яме в гетероструктуре SiGe/Ge/SiGe
von: Беркутов, И.Б., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Magnetotransport studies of SiGe-based p-type heterostructures: problems of the effective mass determination
von: Berkutov, I.B., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Температурная зависимость времени электрон-фононного рассеяния носителей заряда в p-Si/SiGe гетеропереходах
von: Беркутов, И.Б., et al.
Veröffentlicht: (2000)

Magnetotransport studies of SiGe-based p-type heterostructures: problems of the effective mass determination
von: I. B. Berkutov, et al.
Veröffentlicht: (2012)

Piezoelectric effect in p -Si/SiGe/(001)Si modulation doped heterostructures
von: Dugaev, V.K., et al.
Veröffentlicht: (2000)

The overheating effects in germanium quantum well with two subbands occupied
von: Berkutov, I.B., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Effect of dislocations in relaxed MBE SiGe layers on the electrical behavior of Si/SiGe heterostructures
von: Horvath, Zs.J., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Properties of SiGe/Si heterostructures fabricated by ion implantation technique
von: Gomeniuk, Y.V., et al.
Veröffentlicht: (1999)

Молекулярная эпитаксия и электронные свойства гетеросистем Ge/Si с квантовыми точками
von: Двуреченский, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Thermoelectric amplification of phonons in graphene
von: Dompreh, K.A., et al.
Veröffentlicht: (2016)

Elastic strains in SiGe heterostructures with non-uniform quantum dots
von: V. V. Kuryliuk
Veröffentlicht: (2013)

Elastic strains in SiGe heterostructures with non-uniform quantum dots
von: V. V. Kuryliuk
Veröffentlicht: (2013)

The overheating effects in germanium quantum well with two subbands occupied
von: I. B. Berkutov, et al.
Veröffentlicht: (2018)

Квантовая интерференция и спин-орбитальные эффекты в гетероструктуре с 2D дырочным газом в квантовой яме Si₀,₂Ge₀,₈
von: Андриевский, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Quantum phonon transport in 3D metal–dielectric point polycontacts with strong lattice distortions
von: Feher, A., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Lateral drift of photo-generated charge carriers in the p-SiGe/Si heterostructures with quantum wells
von: Yu. M. Gudenko, et al.
Veröffentlicht: (2011)

Lateral drift of photo-generated charge carriers in the p-SiGe/Si heterostructures with quantum wells
von: Gudenko1, Yu.M., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Interference effects in the Si–Ge heterostructures with quantum wells of different width
von: I. B. Berkutov, et al.
Veröffentlicht: (2016)

The spatial separation of electron-hole pairs in Si/Ge heterostructures
von: Lysenko, V.S., et al.
Veröffentlicht: (2015)

The spatial separation of electron-hole pairs in Si/Ge heterostructures
von: V. S. Lysenko, et al.
Veröffentlicht: (2015)

Исследование процессов ориентационного упорядочения в кристаллах NiSiF₆.6H₂O, NiSiF₆.6D₂O и ZnSiF₆.6H₂O методом комбинационного рассеяния света
von: Еременко, В.В., et al.
Veröffentlicht: (1997)

Квантовые эффекты в дырочных Si/SiGe гетеропереходах
von: Комник, Ю.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2000)

Seebeck’s effect in p-SiGe whisker samples
von: Dolgolenko, A.P., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Электроакустическая конверсия в модуляционно-легированных гетероструктурах SiGe/Si
von: Хижный, В.И.
Veröffentlicht: (2008)

Linear, diatomic crystal: single-electron states and large-radius excitons
von: Adamyan, V.M., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Interaction of discrete breathers with thermal fluctuations
von: Eleftheriou, M., et al.
Veröffentlicht: (2008)

The effect of proton ordering in thermal conductivity of clathrate tetrahydrofuran hydrate
von: Krivchikov, A.I., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Influence of freezing down to 77.15 K on structure and antioxidant power of some proteins
von: Rozanova, S.L., et al.
Veröffentlicht: (2017)

Hyperfine-interaction-driven Aharonov-Bohm effect in mesoscopic rings
von: Vagner, I.D., et al.
Veröffentlicht: (1997)

The effect of the noncentral impurity-matrix interaction upon the thermal expansion and polyamorphism of solid CO–C₆₀ solutions at low temperatures
von: Dolbin, A.V., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Seebeck&#039;s effect in p-SiGe whisker samples
von: A. P. Dolgolenko, et al.
Veröffentlicht: (2011)

SiGe HBT low noise amplifiers for ultra-wideband systems
von: V. P. Popov, et al.
Veröffentlicht: (2013)

Малошумящие усилители на основе SiGe-НВТ для сверхширокополосных систем
von: Попов, В.П., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Малошумящие усилители на основе SiGe-HBT для сверхширокополосных систем
von: Popov, V. P., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Photoelectric properties of SiGe films covered with amorphous- and polycrystalline-silicon layers
von: V. Shmid, et al.
Veröffentlicht: (2019)

Photoelectric properties of SiGe films covered with amorphous- and polycrystalline-silicon layers
von: V. Shmid, et al.
Veröffentlicht: (2019)

Quantum Hall effect in p-Ge/Ge₁₋xSix heterostructures with low hole mobility
von: Arapov, Yu.G., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Dynamics of formation of soliton conductivity in a 2D-array of linear chains containing commensurate charge density wave near the contact with a normal metal
von: Pershin, Y.V., et al.
Veröffentlicht: (1999)

Бозе-флуктуации и парамагнитная восприимчивость нормального 2D металла с притяжением между носителями: спиновая щель?
von: Локтев, В.М., et al.
Veröffentlicht: (1997)

Влияние размерного эффекта в спектре энергии экситонов кластеров инертных элементов на релаксацию экситонов
von: Верховцева, Э.Т., et al.
Veröffentlicht: (2006)