Influence of traps in gate oxide-Si film transition layers on FD MOSFET's characteristics at cryogenic emperatures
The results of experiments on the influence of recharging the electron traps in
 a Si-SiO₂ transition layer on the low-temperature characteristics of fully depleted silicon
 in insulator MOSFET devices are presented. It is shown that the low-dose gammaradiation
 improves elec...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
|---|---|
| Дата: | 2007 |
| Автори: | Lysenko, V.S., Tyagulsky, I.P., Osiyuk, I.N., Nazarov, A.N. |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2007
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/117890 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Influence of traps in gate oxide-Si film transition layers on FD MOSFET's characteristics at cryogenic emperatures / V.S. Lysenko, I.P. Tyagulsky, I.N. Osiyuk, A.N. Nazarov // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2007. — Т. 10, № 2. — С. 34-39. — Бібліогр.: 7 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
Effect of oxide-semiconductor interface traps on low-temperature operation of MOSFETs
за авторством: Lysenko, V.S., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Lysenko, V.S., та інші
Опубліковано: (2001)
Characterization of charge trapping processes in fully-depleted UNIBOND SOI MOSFET subjected to γ-irradiation
за авторством: Houk, Y., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Houk, Y., та інші
Опубліковано: (2006)
Impact of sidewall spacer on gate leakage behavior of nano-scale MOSFETs
за авторством: A. K. Rana, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: A. K. Rana, та інші
Опубліковано: (2011)
Impact of sidewall spacer on gate leakage behavior of nano-scale MOSFETs
за авторством: Rana, A.K., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Rana, A.K., та інші
Опубліковано: (2011)
Modification of electroluminescence and charge trapping in germanium implanted metal-oxide-silicon light-emitting diodes with plasma treatment
за авторством: Nazarov, A.N., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Nazarov, A.N., та інші
Опубліковано: (2005)
Effect of the charge state of traps on the transport current in the SiC/Si heterostructure
за авторством: Lysenko, V.S., та інші
Опубліковано: (2000)
за авторством: Lysenko, V.S., та інші
Опубліковано: (2000)
High-temperature characteristics of zone-melting recrystallized silicon-on-insulator MOSFETs
за авторством: Lysenko, V.S., та інші
Опубліковано: (1998)
за авторством: Lysenko, V.S., та інші
Опубліковано: (1998)
Mass-spectrometer diagnostics complex with cryogenic nitrogen trap
за авторством: Tsybenko, S.A., та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Tsybenko, S.A., та інші
Опубліковано: (2019)
Revision of interface coupling in ultra-thin body silicon-on-insulator MOSFETs
за авторством: T. Rudenko, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: T. Rudenko, та інші
Опубліковано: (2013)
Revision of interface coupling in ultra-thin body silicon-on-insulator MOSFETs
за авторством: Rudenko, T., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Rudenko, T., та інші
Опубліковано: (2013)
EXAFS studies of the trapping site structure for molecules isolated in cryogenic matrices
за авторством: Roubin, P., та інші
Опубліковано: (2000)
за авторством: Roubin, P., та інші
Опубліковано: (2000)
Features of exciton dynamics in molecular nanoclusters (J-aggre-gates): exciton self-trapping
за авторством: Ju. V. Maljukin, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Ju. V. Maljukin, та інші
Опубліковано: (2016)
Transition conduction types of electrons in cryogenic media
за авторством: S. Nazin, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: S. Nazin, та інші
Опубліковано: (2011)
Transition conduction types of electrons in cryogenic media
за авторством: Nazin, S., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Nazin, S., та інші
Опубліковано: (2011)
ПОРІВНЯЛЬНИЙ АНАЛІЗ ДИНАМІЧНИХ ХАРАКТЕРИСТИК SI-MOSFET, SIC-MOSFET ТА SI-IGBT ТРАНЗИСТОРІВ
за авторством: Ковбаса, С.М., та інші
Опубліковано: (2025)
за авторством: Ковбаса, С.М., та інші
Опубліковано: (2025)
RF wall conditioning at the Uragan-2M with use of high vacuum cryogenic trap
за авторством: Korovin, V.B., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Korovin, V.B., та інші
Опубліковано: (2015)
An analytical accumulation mode SOI pMOSFET model for high-temperature analog applications
за авторством: Houk, Yu., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Houk, Yu., та інші
Опубліковано: (2006)
Surface mounting of unpackaged power MOSFET
за авторством: D. L. Anufriev, та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: D. L. Anufriev, та інші
Опубліковано: (2006)
USING MOSFET-TRANSISTORS IN SOLAR PANELS
за авторством: Bondarenko, D.
Опубліковано: (2022)
за авторством: Bondarenko, D.
Опубліковано: (2022)
Photoluminescent properties of oxidized stochiometric and carbon-rich amorphous Si₁₋xCx:H films
за авторством: Vasin, A.V., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Vasin, A.V., та інші
Опубліковано: (2015)
Phase transition in vanadium oxide films formed by multistep deposition
за авторством: Kladko, V.P., та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: Kladko, V.P., та інші
Опубліковано: (2021)
Reactions induced by low energy electrons in cryogenic films
за авторством: Bass, Andrew D., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Bass, Andrew D., та інші
Опубліковано: (2003)
Theoretical study of “trapping sites” in cryogenic rare gas solids doped with β-dicarbonyl molecules
за авторством: Rojas-Lorenzo, G., та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Rojas-Lorenzo, G., та інші
Опубліковано: (2019)
On the nature of ionic liquid gating of Nd₂CuO₄ thin films
за авторством: Atesci, Hasan, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Atesci, Hasan, та інші
Опубліковано: (2017)
FD-method for an eigenvalue problem with nonlinear potential
за авторством: Gavrilyuk, I. P., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Gavrilyuk, I. P., та інші
Опубліковано: (2007)
Поверхностный монтаж мощных бескорпусных MOSFET-транзисторов
за авторством: Anufriev, D. L., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Anufriev, D. L., та інші
Опубліковано: (2006)
Cryogenic resistance thermometers based on Ge–InP films
за авторством: V. F. Mitin, та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: V. F. Mitin, та інші
Опубліковано: (2020)
Semi-quantitative model of the gating of KcsA ion channel. 1. Geometry and energetics of the gating
за авторством: Kharkyanen, V.N., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Kharkyanen, V.N., та інші
Опубліковано: (2009)
Modified optical OR and AND gates
за авторством: Srinivasulu, Avireni
Опубліковано: (2002)
за авторством: Srinivasulu, Avireni
Опубліковано: (2002)
FD-method for a nonlinear eigenvalue problem with discontinuous eigenfunctions
за авторством: Makarov, V.L., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Makarov, V.L., та інші
Опубліковано: (2007)
Hydrogen plasma treatment of silicon thin-film structures and nanostructured layers
за авторством: Nazarov, A.N., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Nazarov, A.N., та інші
Опубліковано: (2008)
The FD-method for an eigenvalue problem with multiple eigenvalues of the basic problem
за авторством: V. L. Makarov, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: V. L. Makarov, та інші
Опубліковано: (2014)
Trap-assisted conductivity in anodic oxide on InSb
за авторством: G. V. Beketov, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: G. V. Beketov, та інші
Опубліковано: (2017)
Trap-assisted conductivity in anodic oxide on InSb
за авторством: Beketov, G.V., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Beketov, G.V., та інші
Опубліковано: (2017)
FD-method for solving the nonlinear Klein–Gordon equation
за авторством: Dragunov, D.V., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Dragunov, D.V., та інші
Опубліковано: (2012)
FD-method for solving the nonlinear Klein - Gordon equation
за авторством: Dragunov, D. V., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Dragunov, D. V., та інші
Опубліковано: (2012)
Pecularities of filling a mold for large steel casting in a storied gating system with a direct gate
за авторством: A. V. Dudchenko, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: A. V. Dudchenko, та інші
Опубліковано: (2013)
A superconvergence of an FD-method for a spectral problem in the Banach space
за авторством: V. L. Makarov, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: V. L. Makarov, та інші
Опубліковано: (2015)
Semi-quantitative model of the gating of KcsA ion channel. 2. Dynamic self-organization model of the gating
за авторством: Kharkyanen, V.N., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Kharkyanen, V.N., та інші
Опубліковано: (2009)
Specific features of the thermoluminescence kinetics of shallow traps in anion-defective single crystals of aluminum oxide
за авторством: Kortov, V.S., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Kortov, V.S., та інші
Опубліковано: (2005)
Схожі ресурси
-
Effect of oxide-semiconductor interface traps on low-temperature operation of MOSFETs
за авторством: Lysenko, V.S., та інші
Опубліковано: (2001) -
Characterization of charge trapping processes in fully-depleted UNIBOND SOI MOSFET subjected to γ-irradiation
за авторством: Houk, Y., та інші
Опубліковано: (2006) -
Impact of sidewall spacer on gate leakage behavior of nano-scale MOSFETs
за авторством: A. K. Rana, та інші
Опубліковано: (2011) -
Impact of sidewall spacer on gate leakage behavior of nano-scale MOSFETs
за авторством: Rana, A.K., та інші
Опубліковано: (2011) -
Modification of electroluminescence and charge trapping in germanium implanted metal-oxide-silicon light-emitting diodes with plasma treatment
за авторством: Nazarov, A.N., та інші
Опубліковано: (2005)