Begun, E., Bratus’, O., Evtukh, A., Kaganovich, E., & Manoilov, E. (2007). Charge characteristics of the MOS structures with oxide films containing Si nanocrystals. Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics.
Чикаго стиль цитування (17-те видання)Begun, E.V, O.L Bratus’, A.A Evtukh, E.B Kaganovich, та E.G Manoilov. "Charge Characteristics of the MOS Structures with Oxide Films Containing Si Nanocrystals." Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics 2007.
Стиль цитування MLA (8-ме видання)Begun, E.V, et al. "Charge Characteristics of the MOS Structures with Oxide Films Containing Si Nanocrystals." Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2007.
Попередження: стилі цитування не завжди правильні на всі 100%.