Неустойчивость поверхности жидкого водорода и гелия
Обсуждаются результаты проведенных исследований неустойчивости на заряженной и нейтральной
 поверхностях жидкого водорода и гелия. Заряженная поверхность жидкости теряет устойчивость в электрическом поле, когда его напряженность достигает критического значения, а нейтральная поверхность&...
Saved in:
| Published in: | Физика низких температур |
|---|---|
| Date: | 2012 |
| ISSN: | 0132-6414 |
| Main Authors: | , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2012
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/117909 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Неустойчивость поверхности жидкого водорода и
 гелия / Л.В. Абдурахимов, А.А. Левченко, Л.П. Межов-Деглин, И.М. Халатников // Физика низких температур. — 2012. — Т. 38, № 11. — С. 1284–1299. — Бібліогр.: 35 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Summary: | Обсуждаются результаты проведенных исследований неустойчивости на заряженной и нейтральной
поверхностях жидкого водорода и гелия. Заряженная поверхность жидкости теряет устойчивость в электрическом поле, когда его напряженность достигает критического значения, а нейтральная поверхность
становится неустойчивой, когда скорость потока жидкости под поверхностью достигает некоторого критического значения. В обоих случаях на поверхность действует дополнительное давление, которое и отвечает за развитие неустойчивости.
Обговорюються результати проведених досліджень нестійкості на зарядженій і нейтральній поверхнях рідкого водню та гелію. Заряджена поверхня рідини втрачає стійкість в електричному полі, коли його напруженість досягає критичного значення, а нейтральна поверхня стає нестійкою, коли швидкість
потоку рідини під поверхнею досягає деякого критичного значення. У обох випадках на поверхню діє
додатковий тиск, який і відповідає за розвиток нестійкості.
|
|---|---|
| ISSN: | 0132-6414 |