Buchumschlag

Radiation hardness of AlAs/GaAs-based resonant tunneling diodes

The total dose effects of ⁶⁰Co γ-radiation on the electrical properties of double-barrier Resonant Tunneling Diodes have been studied. The devices manifest enhanced radiation hardness and conserve their operating parameters up to doses of 2×10⁹ rad. It is shown that all changes in the current-volta...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Datum:	1999
Hauptverfasser:	Belyaev, A.A., Belyaev, A.E., Konakova, R.V., Vitusevich, S.A., Milenin, V.V., Soloviev, E.A., Kravchenko, L.N., Figielski, T., Wosinski, T., Makosa, A.
Format:	Artikel
Sprache:	Englisch
Veröffentlicht:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 1999
Online Zugang:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/117928
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:	Radiation hardness of AlAs/GaAs-based resonant tunneling diodes/ A.A. Belyaev, A.E. Belyaev, R.V. Konakova, S.A. Vitusevich, V.V. Milenin, E.A. Soloviev, L.N. Kravchenko, T. Figielski, T. Wosinski, A. Makosa// Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 1999. — Т. 2, № 1. — С. 98-101. — Бібліогр.: 19 назв. — англ.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

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