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Resistance thermometers based on the germanium films

The latest achievements in the field of development of resistance thermometers based on the germanium films on gallium arsenide are presented and summarized. Basic models of Ge film thermometers, which cover the temperature range from 0.02 to 500 K, are considered. Characteristics of the thermometer...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Datum:	1999
1. Verfasser:	Mitin, V.F.
Format:	Artikel
Sprache:	Englisch
Veröffentlicht:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 1999
Online Zugang:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/117931
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Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:	Resistance thermometers based on the germanium films / Mitin V.F. // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 1999. — Т. 2, № 1. — С. 115-123. — Бібліогр.: 17 назв. — англ.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

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