Electro-physical properties of γ-exposed crystals of silicon and germanium
The paper represents a review of research data upon changing electrophysical properties of n-Si and n-Ge when radiation defects arise under action of different γ-irradiation doses. Analyzed are consequences of arising deep levels of radiation defects in the forbidden band of silicon and germanium, w...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
|---|---|
| Дата: | 1999 |
| Автор: | Dotsenko, Yu. P. |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
1999
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/117933 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Electro-physical properties of γ-exposed crystals of silicon and germanium / Yu.P. Dotsenko // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 1999. — Т. 2, № 1. — С. 47-55. — Бібліогр.: 63 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
Features of tensoresistance in single crystals of germanium and silicon with different dopants
за авторством: P. I. Baranskii, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: P. I. Baranskii, та інші
Опубліковано: (2016)
Features of tensoresistance in single crystals of germanium and silicon with different dopants
за авторством: Baranskii, P.I., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Baranskii, P.I., та інші
Опубліковано: (2016)
Configuration transitions of divacancies in silicon and germanium
за авторством: A. P. Dolgolenko
Опубліковано: (2013)
за авторством: A. P. Dolgolenko
Опубліковано: (2013)
Electron tunneling in the germanium/silicon heterostructure with germanium quantum dots: theory
за авторством: S. I. Pokutnyi, та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: S. I. Pokutnyi, та інші
Опубліковано: (2021)
The radiation hardness of pulled silicon doped with germanium
за авторством: Dolgolenko, A.P., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Dolgolenko, A.P., та інші
Опубліковано: (2007)
Studying electro-physical characteristics of detecting elements on the ohmic side of silicon microstrip detector
за авторством: Maslov, N.I., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Maslov, N.I., та інші
Опубліковано: (2005)
Dependence of the anisotropy parameter of drag thermo-emf on the impurity concentration in the n-type germanium and silicon crystals
за авторством: G. P. Gaidar, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: G. P. Gaidar, та інші
Опубліковано: (2017)
Dependence of the anisotropy parameter of drag thermo-emf on the impurity concentration in the n-type germanium and silicon crystals
за авторством: Gaidar, G.P., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Gaidar, G.P., та інші
Опубліковано: (2017)
Physical modeling of electro-vortex flows in ESR
за авторством: Ju. P. Ivochkin, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Ju. P. Ivochkin, та інші
Опубліковано: (2013)
Structure relaxation in thin filamentary germanium crystals
за авторством: Ermakov, A.P., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Ermakov, A.P., та інші
Опубліковано: (2004)
Estimation of electro-physical parameters of electric discharge for electro-technological device of neutralization of sulfur dioxide
за авторством: A. V. Pereverzev, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: A. V. Pereverzev, та інші
Опубліковано: (2015)
Electro-optical effects in 2D macroporous silicon structures with nanocoatings
за авторством: L. A. Karachevtseva, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: L. A. Karachevtseva, та інші
Опубліковано: (2015)
Electro-optical effects in 2D macroporous silicon structures with nanocoatings
за авторством: Karachevtseva, L.A., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Karachevtseva, L.A., та інші
Опубліковано: (2015)
Effect of ultrasound irradiation on the electro-physical properties of the structure of Al-Al₂O₃-CdTe
за авторством: Uteniyazov, A.K., та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Uteniyazov, A.K., та інші
Опубліковано: (2019)
Apparatus for studying electro-physical properties of materials at low temperatures under external magnetic fields
за авторством: Bovda, O.M., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Bovda, O.M., та інші
Опубліковано: (2014)
On the theory of the binding energy of exciton quasimolecules in germanium/silicon double quantum dots
за авторством: S. I. Pokutnyi, та інші
Опубліковано: (2022)
за авторством: S. I. Pokutnyi, та інші
Опубліковано: (2022)
High-frequency electromagnetic radiation of germanium crystals in magnetic fields
за авторством: G. V. Milenin, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: G. V. Milenin, та інші
Опубліковано: (2017)
High-frequency electromagnetic radiation of germanium crystals in magnetic fields
за авторством: Milenin, G.V., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Milenin, G.V., та інші
Опубліковано: (2017)
Impact of γ-irradiation on dielectric and electric properties of TlInS₂ crystals
за авторством: Sardarly, R.M., та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Sardarly, R.M., та інші
Опубліковано: (2019)
Dielectric and electro-optical properties of solutions of chemically modified fullerene S60 in nematic liquid crystal
за авторством: V. E. Vovk, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: V. E. Vovk, та інші
Опубліковано: (2011)
Influence of mutual drag of light and heavy holes on conductivity of p-silicon and p-germanium
за авторством: I. I. Boiko
Опубліковано: (2011)
за авторством: I. I. Boiko
Опубліковано: (2011)
Optical parameters of nanocomposite films of porous aluminium oxide with quantum dots of silicon or germanium
за авторством: Ju. V. Ushenin, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Ju. V. Ushenin, та інші
Опубліковано: (2013)
Influence of mutual drag of light and heavy holes on conductivity of p-silicon and p-germanium
за авторством: Boiko, I.I.
Опубліковано: (2011)
за авторством: Boiko, I.I.
Опубліковано: (2011)
Dielectric and electro-optical properties of solutions of chemically modified fullerene С60 in nematic liquid crystal
за авторством: Vovk, V.E., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Vovk, V.E., та інші
Опубліковано: (2011)
Effect of Physical Properties of Material on Thermomagnetoelastic Behavior of Flexible Conical Shell with Orthotropic Electro-Conductivity and Joule Heat
за авторством: L. V. Molchenko, та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: L. V. Molchenko, та інші
Опубліковано: (2020)
Subcooling during crystallization of a Ge-Au eutectic on an amorphous germanium substrate
за авторством: R. V. Sukhov, та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: R. V. Sukhov, та інші
Опубліковано: (2010)
Germanium quantum well with two subbands occupied: kinetic properties
за авторством: I. B. Berkutov, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: I. B. Berkutov, та інші
Опубліковано: (2017)
Electro-optical Characteristics of a Liquid Crystal Lens with Polymer Network
за авторством: Bielykh, S.P., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Bielykh, S.P., та інші
Опубліковано: (2010)
Effect of ultrasound treatment on the electro-physical properties of the structure of Al-Al2O3-p-CdTe
за авторством: A. K. Uteniyazov, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: A. K. Uteniyazov, та інші
Опубліковано: (2019)
Germanium quantum well with two subbands occupied: kinetic properties
за авторством: Berkutov, I.B., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Berkutov, I.B., та інші
Опубліковано: (2017)
Influence of mutual drag of light and heavy holes on magnetoresistivity and Hall-effect of p-silicon and p-germanium
за авторством: I. I. Boiko
Опубліковано: (2011)
за авторством: I. I. Boiko
Опубліковано: (2011)
Influence of mutual drag of light and heavy holes on magnetoresistivity and Hall-effect of p-silicon and p-germanium
за авторством: Boiko, I.I.
Опубліковано: (2011)
за авторством: Boiko, I.I.
Опубліковано: (2011)
Optical and photoelectrical properties of lamellar gallium sulfide single crystals irradiated by γ-quanta
за авторством: Madatov, R.S., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Madatov, R.S., та інші
Опубліковано: (2006)
Influence of Ge isovalent impurity and thermoannealings on the electrophysical properties of silicon crystals
за авторством: H. P. Haidar, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: H. P. Haidar, та інші
Опубліковано: (2016)
Modification of electroluminescence and charge trapping in germanium implanted metal-oxide-silicon light-emitting diodes with plasma treatment
за авторством: Nazarov, A.N., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Nazarov, A.N., та інші
Опубліковано: (2005)
Physical properties of layered FeIn₂Se₄ single crystals
за авторством: Boledzyuk, V.B., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Boledzyuk, V.B., та інші
Опубліковано: (2016)
Low temperature characteristics of germanium whiskers
за авторством: Druzhinin, A.A., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Druzhinin, A.A., та інші
Опубліковано: (2014)
An influence of gamma-irradiation and ²³⁸U fragments on single-crystal silicon properties
за авторством: Dovbnya, A.N., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Dovbnya, A.N., та інші
Опубліковано: (2006)
Electro-conductive properties of cadmium octanoate composites with CdS nanoparticles
за авторством: D. S. Zhulay, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: D. S. Zhulay, та інші
Опубліковано: (2014)
Polymeric systems based 8-hydroxyquinoline and their electro-optical properties
за авторством: I. A. Savchenko, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: I. A. Savchenko, та інші
Опубліковано: (2011)
Схожі ресурси
-
Features of tensoresistance in single crystals of germanium and silicon with different dopants
за авторством: P. I. Baranskii, та інші
Опубліковано: (2016) -
Features of tensoresistance in single crystals of germanium and silicon with different dopants
за авторством: Baranskii, P.I., та інші
Опубліковано: (2016) -
Configuration transitions of divacancies in silicon and germanium
за авторством: A. P. Dolgolenko
Опубліковано: (2013) -
Electron tunneling in the germanium/silicon heterostructure with germanium quantum dots: theory
за авторством: S. I. Pokutnyi, та інші
Опубліковано: (2021) -
The radiation hardness of pulled silicon doped with germanium
за авторством: Dolgolenko, A.P., та інші
Опубліковано: (2007)