APA (7th ed.) Citation

Datsenko, L., Auleytner, J., Misiuk, A., Klad'ko, V., Machulin, V., Bak-Misiuk, J., . . . Choinski, J. (1999). Structure perfection variations of Si crystals grown by Czochralski or floating zone methods after implantation of oxygen or neon atoms followed by annealing. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України.

Chicago Style (17th ed.) Citation

Datsenko, L.I, et al. Structure Perfection Variations of Si Crystals Grown by Czochralski or Floating Zone Methods After Implantation of Oxygen or Neon Atoms Followed by Annealing. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, 1999.

MLA (8th ed.) Citation

Datsenko, L.I, et al. Structure Perfection Variations of Si Crystals Grown by Czochralski or Floating Zone Methods After Implantation of Oxygen or Neon Atoms Followed by Annealing. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, 1999.