Bogoboyashchiy, V. (1999). Effect of annealing on activation of native acceptors in narrow-gap p-HgCdTe crystals. Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics.
Чикаго стиль цитування (17-те видання)Bogoboyashchiy, V.V. "Effect of Annealing on Activation of Native Acceptors in Narrow-gap P-HgCdTe Crystals." Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics 1999.
Стиль цитування MLA (8-ме видання)Bogoboyashchiy, V.V. "Effect of Annealing on Activation of Native Acceptors in Narrow-gap P-HgCdTe Crystals." Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 1999.
Попередження: стилі цитування не завжди правильні на всі 100%.