Bogoboyashchiy, V. (1999). Effect of annealing on activation of native acceptors in narrow-gap p-HgCdTe crystals. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України.
Chicago Style (17th ed.) CitationBogoboyashchiy, V.V. Effect of Annealing on Activation of Native Acceptors in Narrow-gap P-HgCdTe Crystals. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, 1999.
MLA (8th ed.) CitationBogoboyashchiy, V.V. Effect of Annealing on Activation of Native Acceptors in Narrow-gap P-HgCdTe Crystals. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, 1999.
Warning: These citations may not always be 100% accurate.