Buchumschlag

Effect of annealing on activation of native acceptors in narrow-gap p-HgCdTe crystals

Hall effect, resistivity and p-n-junction characteristics were investigated on high pure and perfect p-type Hg₁₋xCdxTe crystals (x ~ 0.2) versus temperature, doping, and a way of heat treatment. It was shown, that activation energy of extrinsic acceptors does not depend on conditions of the crystal...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Datum:	1999
1. Verfasser:	Bogoboyashchiy, V.V.
Format:	Artikel
Sprache:	Englisch
Veröffentlicht:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 1999
Online Zugang:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/117935
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Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:	Effect of annealing on activation of native acceptors in narrow-gap p-HgCdTe crystals / V.V. Bogoboyashchiy // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 1999. — Т. 2, № 1. — С. 62-69. — Бібліогр.: 14 назв. — англ.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

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