Зображення обкладинки

Influence of pulse thermal annealing on photoelectrical properties of locally grown polycrystalline silicon films

The possibility of forming polycrystalline silicon films by pulse thermal annealing has been investigated using measurement of a photo-e.m.f., dark and light voltage-current characteristics. Investigated samples were resistors of rectangular form with the dimensions 400x40 µm² and had contact areas...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :	Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Дата:	1999
Автори:	Mamikonova, V.M., Kasimov, F.D., Kemerchev, G.P.
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 1999
Онлайн доступ:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/117936
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Influence of pulse thermal annealing on photoelectrical properties of locally grown polycrystalline silicon films / V.M. Mamikonova, F.D. Kasimov, G.P. Kemerchev // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 1999. — Т. 2, № 1. — С. 70-75. — Бібліогр.: 7 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

The negatronic elements on the basis of local polycrystalline silicon films
за авторством: F. D. Kasimov, та інші
Опубліковано: (2002)

Photoelectric properties of SiGe films covered with amorphous- and polycrystalline-silicon layers
за авторством: V. Shmid, та інші
Опубліковано: (2019)

Photoelectric properties of SiGe films covered with amorphous- and polycrystalline-silicon layers
за авторством: V. Shmid, та інші
Опубліковано: (2019)

Surface reconstruction of polycrystalline gold films under the influence of thermal annealing
за авторством: E. V. Kostjukevich, та інші
Опубліковано: (2013)

Effect of thermal annealing on electrical and photoelectrical properties of n-InSb
за авторством: S. V. Stariy, та інші
Опубліковано: (2017)

Effect of thermal annealing on electrical and photoelectrical properties of n-InSb
за авторством: Stariy, S.V., та інші
Опубліковано: (2017)

Grain Boundary Junctions in Polycrystalline Silicon Films
за авторством: O. T. Bohorosh, та інші
Опубліковано: (2013)

Photoelectrical properties of nanoporous silicon
за авторством: A. I. Luchenko, та інші
Опубліковано: (2012)

Analysis of changes in optical characteristics of polycrystalline gold films under the influence of low-temperature annealing
за авторством: E. V. Kostjukevich, та інші
Опубліковано: (2015)

Phase transitions in thermally annealed films of Alq3
за авторством: G. Baldacchini, та інші
Опубліковано: (2012)

Photoelectric properties of metal-porous silicon-silicon planar heterostructures
за авторством: Brodovoi, A.V., та інші
Опубліковано: (2002)

Electrical and photoelectrical properties of iodine modified porous silicon on silicon substrates
за авторством: I. B. Olenych
Опубліковано: (2012)

Biochemical passivation of metal surfaces for sensor application: reactive annealing of polycrystalline gold films in hydrogen sulfide atmosphere
за авторством: Snopok, B. A., та інші
Опубліковано: (2000)

Photoelectrical characteristics of two-dimensional macroporous silicon structures
за авторством: Karachevtseva, L.A., та інші
Опубліковано: (2004)

Structural properties, photoelectric and photoluminescent characteristics of nanostructured silicon
за авторством: A. I. Luchenko, та інші
Опубліковано: (2012)

Structural properties, photoelectric and photoluminescent characteristics of nanostructured silicon
за авторством: Luchenko, A.I., та інші
Опубліковано: (2012)

Scanning Acoustic Microscopy of Annealing Effects for Aluminium Thin Film Deposited on Silicon Substrate
за авторством: Chafia Atailia, та інші
Опубліковано: (2018)

Theoretical evaluation of the temperature field distribution in the silicon periodic nanostructures during thermal annealing
за авторством: O. O. Havryliuk, та інші
Опубліковано: (2017)

Influence of the annealing of silicon crystals at 1200 °C on the Hall effect and magnetoresistance
за авторством: Baranskyy, P.I., та інші
Опубліковано: (2002)

The influence of non-uniform deformation on photoelectric properties of crystalline silicon
за авторством: Vakulenko, O.V., та інші
Опубліковано: (2000)

Optical and structural studies of phase transformations and composition fluctuations at annealing of Zn₁₋xCdxO films grown by dc magnetron sputtering
за авторством: Kolomys, O., та інші
Опубліковано: (2014)

The impact of low temperature thermal annealing on optical properties of thin composite films
за авторством: Gorbov, I. V., та інші
Опубліковано: (2014)

Mechanical strain in the structure of array of silicon nanowires grown on a silicon substrate
за авторством: A. I. Klimovskaya, та інші
Опубліковано: (2019)

Mechanical strain in the structure of an array of silicon nanowires grown on a silicon substrate
за авторством: Klimovskaya, A.I., та інші
Опубліковано: (2019)

The kinetic of point defect transformation during the annealing process in electron-irradiated silicon
за авторством: Gaidar, G.P., та інші
Опубліковано: (2011)

Optical and structural studies of phase transformations and composition fluctuations at annealing of Zn1-xCdxO films grown by dc magnetron sputtering
за авторством: O. Kolomys, та інші
Опубліковано: (2014)

Hydrogen gettering in annealed oxygen-implanted silicon
за авторством: A. Misiuk, та інші
Опубліковано: (2010)

The growth of Sb₂S₃ crystals with bend lattice during amorphous films annealing and condensation
за авторством: Bagmut, A.G., та інші
Опубліковано: (2005)

Research of the influence of siliconizing on the structure and properties of hot-pressed polycrystalline silicon carbide
за авторством: V. V. Ivzhenko, та інші
Опубліковано: (2018)

Transformation of SiOx films into nanocomposite SiO2(Si) films under thermal and laser annealing
за авторством: O. V. Steblova, та інші
Опубліковано: (2014)

Influence of high temperature annealing on the structure and the intrinsic absorption edge of thin-film silicon doped with tin
за авторством: R. M. Rudenko, та інші
Опубліковано: (2013)

Influence of high temperature annealing on the structure and the intrinsic absorption edge of thin-film silicon doped with tin
за авторством: R. M. Rudenko, та інші
Опубліковано: (2013)

Electrical properties intergranular boundaries in the volume of polycrystalline silicon
за авторством: L. O. Olimov, та інші
Опубліковано: (2013)

Optical and photoelectrical properties of the tetrathiotetracene-fullerene (TTTC₆₀) film heterostructures
за авторством: Gorishny, M.P., та інші
Опубліковано: (2008)

Thin dysprosium oxide films formed by rapid thermal annealing on porous SiC substrates
за авторством: Yu. Yu. Bacherikov, та інші
Опубліковано: (2018)

Thin dysprosium oxide films formed by rapid thermal annealing on porous SiC substrates
за авторством: Bacherikov, Yu.Yu., та інші
Опубліковано: (2018)

Schottky contact degradation at thermal annealing
за авторством: E. F. Venger, та інші
Опубліковано: (2012)

Photoluminescence studies of CdTe polycrystalline films
за авторством: V. V. Tetyorkin, та інші
Опубліковано: (2012)

Photoluminescence studies of CdTe polycrystalline films
за авторством: Tetyorkin, V.V., та інші
Опубліковано: (2012)

Modification of photoelectric and electrical properties of III-V semiconductors by pulsed laser irradiation
за авторством: Gnatyuk, V.A., та інші
Опубліковано: (2000)