Avramenko, S., Kiselev, V., Valakh, M., & Visotski, V. (1999). Investigation of structural perfection of SiC ingots grown by a sublimation method. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України.
Chicago Style (17th ed.) CitationAvramenko, S.F, V.S Kiselev, M.Ya Valakh, and V.G Visotski. Investigation of Structural Perfection of SiC Ingots Grown by a Sublimation Method. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, 1999.
MLA (8th ed.) CitationAvramenko, S.F, et al. Investigation of Structural Perfection of SiC Ingots Grown by a Sublimation Method. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, 1999.
Warning: These citations may not always be 100% accurate.