Зображення обкладинки

Investigation of structural perfection of SiC ingots grown by a sublimation method

Monocrystalline SiC ingots were grown by a modified Lely method using 6H-SiC seed crystals with (0001) base plane. The crystal growth was carried out in the temperature range 2200-2500 ⁰C at Ar pressure from 2 to 40 mbar. The rate of growth varied between 0.3 and 1.5 mm/hour in the C-axis direction....

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :	Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Дата:	1999
Автори:	Avramenko, S.F., Kiselev, V.S., Valakh, M.Ya., Visotski, V.G.
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 1999
Онлайн доступ:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/117937
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Investigation of structural perfection of SiC ingots grown by a sublimation method / S.F. Avramenko, V.S. Kiselev, M.Ya. Valakh, V.G. Visotski // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 1999. — Т. 2, № 1. — С. 76-79. — Бібліогр.: 11 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Study of postimplantation annealing of SiC
за авторством: Avramenko, S.F., та інші
Опубліковано: (2001)

Peculiarities of phase transformations in SiC crystals and thin films with in-grown original defects
за авторством: Vlaskina, S.I., та інші
Опубліковано: (2014)

Peculiarities of phase transformations of SiC crystals and thin films with in-grown original defects
за авторством: S. I. Vlaskina, та інші
Опубліковано: (2014)

Investigation of SiC films obtained on a porous-Si/Si substrate
за авторством: V. V. Kidalov, та інші
Опубліковано: (2024)

Simple method for SiC nanowires fabrication
за авторством: Kiselov, V.S., та інші
Опубліковано: (2011)

Biomorphic SiC from peas and beans
за авторством: Kiselov, V.S., та інші
Опубліковано: (2012)

Effect of Si infiltration method on the properties of biomorphous SiC
за авторством: Kiselov, V.S., та інші
Опубліковано: (2009)

Effect of macrostructure on the thermoelectric properties of biomorphous SiC/Si ceramics
за авторством: Kiselov, V.S., та інші
Опубліковано: (2009)

The effect of size of the SiC inclusions in the AlN–SiC composite structure on its electrophysical properties
за авторством: T. B. Serbeniuk, та інші
Опубліковано: (2016)

Effect of Si Infiltration Method on the Biomorphous SiC Microstructure Properties
за авторством: Kiselov, V.S., та інші
Опубліковано: (2009)

Effect of the charge state of traps on the transport current in the SiC/Si heterostructure
за авторством: Lysenko, V.S., та інші
Опубліковано: (2000)

Вплив розміру включень SiC у структурі AlN–SiC на електрофізичні властивості композиту
за авторством: Сербенюк, Т.Б., та інші
Опубліковано: (2016)

Atomic and electronic structure of a-SiC
за авторством: Ivashchenko, V.I., та інші
Опубліковано: (2002)

Biomorphic SiC from peas and beans
за авторством: V. S. Kiselov, та інші
Опубліковано: (2012)

Simple method for SiC nanowires fabrication
за авторством: V. S. Kiselov, та інші
Опубліковано: (2011)

Фотоэлектрические свойства гетеропереходов n-SiC/n-Si
за авторством: Семенов, А.В., та інші
Опубліковано: (2012)

Photovoltaic effect in p–SiC/p–Si heterojunction
за авторством: Kozlovskyi, A.A., та інші
Опубліковано: (2013)

Фотоэлектрические свойства гетеропереходов n-SiC/n-Si
за авторством: Semenov, A. V., та інші
Опубліковано: (2012)

Structure and phase composition of ZrB2-SiC-AlN plasma coatings on the surfae of C/C-SiC composite materials
за авторством: Ju. S. Borisov, та інші
Опубліковано: (2019)

Mechanism of 6H-3C transformation in SiC
за авторством: Vlaskina, S.I.
Опубліковано: (2002)

Дослідження плівок SiC, отриманих на підкладинці porous-Si/Si
за авторством: Kidalov, V. V., та інші
Опубліковано: (2024)

Structure perfection of large-size KDP crystals grown by various techniques
за авторством: Puzikov, V.M., та інші
Опубліковано: (2008)

Comparison of properties inherent to thin titanium oxide films formed by rapid thermal annealing on SiC and porous SiC substrates
за авторством: Yu. Yu. Bacherikov, та інші
Опубліковано: (2018)

Comparison of properties inherent to thin titanium oxide films formed by rapid thermal annealing on SiC and porous SiC substrates
за авторством: Bacherikov, Yu.Yu., та інші
Опубліковано: (2018)

Kirchhoff and electron curvature indexes for SiC nanoclusters
за авторством: Luzanov, A.V.
Опубліковано: (2017)

Частичная квазибинарная эвтектика в системе B₄C−SiC
за авторством: Закарян, Д.А.
Опубліковано: (2015)

Partial quasibinary eutectic in the system B4C−SiC
за авторством: D. A. Zakarjan
Опубліковано: (2015)

Перспективы использования SiC/SiC-композитов в термоядерных реакторах (по анализу Международных Баз Данных INIS, MSCI, INSPEC)
за авторством: Войценя, В.С., та інші
Опубліковано: (2007)

Structure perfection of sapphire single crystals grown by HOC method in reducing atmosphere
за авторством: Tkachenko, V.F., та інші
Опубліковано: (2011)

Determination of optical parameters of films of PVA/TiO2/SiC and PVA/MgO/SiC nanocomposites for optoelectronics and UV-detectors
за авторством: H. Ahmed, та інші
Опубліковано: (2020)

Determination of optical parameters of films of PVA/TiO2/SiC and PVA/MgO/SiC nanocomposites for optoelectronics and UV-detectors
за авторством: H. Ahmed, та інші
Опубліковано: (2020)

Microstructure and thermal conductivity of silicon infiltrated SiC-material
за авторством: V. H. Kulych, та інші
Опубліковано: (2023)

Corrosion stability of SiC-based ceramics in hydrothermal conditions
за авторством: K. V. Lobach, та інші
Опубліковано: (2019)

Ion plasma deposition and optical properties of SiC films
за авторством: Semenov, A.V., та інші
Опубліковано: (2005)

Structure perfection variations of Si crystals grown by Czochralski or floating zone methods after implantation of oxygen or neon atoms followed by annealing
за авторством: Datsenko, L.I., та інші
Опубліковано: (1999)

Graphene layers fabricated from the Ni/a-SiC bilayer precursor
за авторством: Nazarov, A.N., та інші
Опубліковано: (2013)

Effect of microwave radiation on optical transmission spectra in SiO₂/SiC structures
за авторством: Bacherikov, Yu.Yu., та інші
Опубліковано: (2002)

Formation of β-SiC on por-Si/mono-Si surface according to Stranski - Krastanow mechanism
за авторством: Y. O. Suchikova, та інші
Опубліковано: (2022)

Формування ?-SiC на поверхні por-Si/mono-Si за механізмом Странського – Крастанова
за авторством: Suchikova, Y. O., та інші
Опубліковано: (2022)

Теплопроводность керамики AlN–SiC, полученной свободным спеканием
за авторством: Прихна, Т.А., та інші
Опубліковано: (2008)