Зображення обкладинки

Investigations of physical mechanisms of metal-insulator transition in highly strained n-Si and n-Ge crystals

Analysis of experimental results on transport phenomena is presented for highly uniaxially strained silicon and germanium crystals heavily doped by shallow donors. Possible mechanisms of the strain induced metal-insulator (MI) transition determined by peculiarities of the c-band energy spectrum tran...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :	Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Дата:	2003
Автори:	Budzulyak, S.I., Ermakov, V.M., Kyjak, B.R., Kolomoets, V.V., Machulin, V.F., Novoselets, M.K., Panasjuk, L.I., Sus', B.B., Venger, E.F.
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2003
Онлайн доступ:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/117939
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Investigations of physical mechanisms of metal-insulator transition in highly strained n-Si and n-Ge crystals / S.I. Budzulyak, V.M. Ermakov, B.R. Kyjak, V.V. Kolomoets, V.F. Machulin, M.K. Novoselets, L.I. Panasjuk, B.B. Sus', E.F. Venger // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2003. — Т. 6, № 1. — С. 37-40. — Бібліогр.: 16 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Interface model of low temperature plasticity in high uniaxially strained monocrystalline semiconductors
за авторством: Venger, Ye.F., та інші
Опубліковано: (2000)

Thermodonor activation energy and mechanisms of tensoeffects in transmutation-doped y-irradiated silicon
за авторством: Dotsenko, Yu.P., та інші
Опубліковано: (2003)

Magnetotenso- and tensomagnetoresistance of n-Ge
за авторством: P. I. Baranskyi, та інші
Опубліковано: (2016)

Contribution of f- and g- transitions to electron intervalley scattering of n-S at temperatures 300 to 450 K
за авторством: Ermakov, V.M., та інші
Опубліковано: (2012)

Contribution of f- and g- transitions to electron intervalley scattering of n-Si at temperatures 300 to 450 K
за авторством: V. M. Ermakov, та інші
Опубліковано: (2012)

X-ray diffraction study of deformation state in InGaN/GaN multilayered structures
за авторством: Kladko, V.P., та інші
Опубліковано: (2010)

The method of shear modulus determination for n-Ge and n-Si single crystals
за авторством: V. I. Shvabiuk, та інші
Опубліковано: (2017)

Кремнієві р-МОН та n-МОН транзистори з одновісно деформованими каналами у нанотехнології електронних приладів
за авторством: Gorin, A.E., та інші
Опубліковано: (2022)

Modernized equipment for plasmachemical etching of insulation of p-n transition of photoelectric converters
за авторством: Fedorovich, O.A., та інші
Опубліковано: (2007)

Магнітотензо- і тензомагнітоопір n-Ge
за авторством: Баранський, П.І., та інші
Опубліковано: (2016)

Peculiariries of thermoannealing in n-Si and n-Ge crystals with oxygen impurity
за авторством: P. I. Baranskii, та інші
Опубліковано: (2012)

Peculiarities of thermoannealing in n-Si and n-Ge crystals with oxygen impurity
за авторством: Baranskii, P.I., та інші
Опубліковано: (2012)

Insulator–quantum Hall transition in n-InGaAs/GaAs heterostructures
за авторством: A. P. Savelev, та інші
Опубліковано: (2017)

On the methodology of tensoresistance determination for n-Ge and n-Si in the crystallographic directions 〈110〉
за авторством: H. P. Haidar
Опубліковано: (2019)

Спектроскопические свойства гетероядерных Ln (III)—Ge (IV) комплексов с этилендиамин-N,N,N’,N’-тетрауксусной и диэтилентриамин-N,N,N’,N’,N’’-пентауксусной кислотами
за авторством: Смола, С.С., та інші
Опубліковано: (2009)

Spectral photosensitivity of diffused Ge-p–i–n photodiods
за авторством: A. V. Fedorenko
Опубліковано: (2020)

The features of magnetoresistance of n-Si doped with phosphorus from the melt and by nuclear transmutation
за авторством: Baranskii, P.I., та інші
Опубліковано: (2000)

X-ray diffraction study of deformation state in InGaN/GaN multilayered structures
за авторством: V. P. Kladko, та інші
Опубліковано: (2010)

The features of phonon component of linear dichroism in uniaxially strained silicon crystals
за авторством: Serdega, B.K., та інші
Опубліковано: (2003)

Dynamical behavior of rational difference equation $x_{n+1}=\dfrac{x_{n-13}}{\pm1\pm x_{n-1}x_{n-3}x_{n-5}x_{n-7}x_{n-9} x_{n-11}x_{n-13}}$
за авторством: Şimşek, D., та інші
Опубліковано: (2024)

Mechanisms of electron scattering in uniaxially deformed n-Ge‹Sb, Au› single crystals
за авторством: Luniov, S.V., та інші
Опубліковано: (2019)

Cryogenic resistance thermometers based on Ge–InP films
за авторством: V. F. Mitin, та інші
Опубліковано: (2020)

Пам’яті Михайла Павловича Лисиці (15.01.1921−10.01.2012)
за авторством: Machulin, V.F.
Опубліковано: (2012)

Пам’яті Євгена Андрійовича Салькова
за авторством: Machulin, V.F.
Опубліковано: (2022)

V-та Українська наукова конференція з фізики напівпровідників
за авторством: Machulin, V.F.
Опубліковано: (2022)

Experimental evidence of invariability in the shape of n‑Ge isoenergetic ellipsoids influenced by strong uniaxial elastic strains
за авторством: H. P. Haidar, та інші
Опубліковано: (2017)

Determination of the activation energy of A-center in the uniaxially deformed n-Ge single crystals
за авторством: S. V. Lunov, та інші
Опубліковано: (2017)

p-n junctions obtained in (Ge₂)x(GaAs)₁₋x varizone solid solutions by liquid phase epitaxy
за авторством: Sapaev, B., та інші
Опубліковано: (2005)

Radiation defects parameters determination in n-Ge single crystals irradiated by high-energy electrons
за авторством: S. V. Lunov, та інші
Опубліковано: (2016)

Thermoelasticity in Ge due to nonuniform distribution of doping impurity studied by light polarization modulation technique
за авторством: Serdega, B.K., та інші
Опубліковано: (1999)

Оn possibility of external magnetic field application for electrical insulation of electrodes
за авторством: Shulika, O.N.
Опубліковано: (2018)

Ð’Ð¿Ð»Ð¸Ð² Ð·Ð°Ð³Ð°Ð»ÑŒÐ½Ð¾Ñ— ÐºÑ€Ñ–Ð¾ÑÑ‚Ð¸Ð¼ÑƒÐ»ÑÑ†Ñ–Ñ— (â€“120Â°Ð¡) Ð½Ð° Ñ‚Ñ€Ð°Ð½ÑÑ„Ð¾Ñ€Ð¼Ð°Ñ†Ñ–ÑŽ ÐµÑ€Ð¸Ñ‚Ñ€Ð¾Ñ†Ð¸Ñ‚Ñ–Ð² ÐºÑ€Ð¾Ð²Ñ– Ð¼Ð¾Ð»Ð¾Ð´Ð¸Ñ… Ñ‰ÑƒÑ€Ñ–Ð²
за авторством: Lomako, Victoria V., та інші
Опубліковано: (2018)

Wardium ponticum sp. n. (Cestoda, Cyclophyllidea, Hymenolepidoidea), a Parasite of Pratincole (Glareola pratincola) from the Black Sea Coas
за авторством: Kornyushin, V.V., та інші
Опубліковано: (2012)

CÐ¿Ð¾ÑÑ–Ð± Ð¾Ñ‡Ð¸Ñ‰ÐµÐ½Ð½Ñ ÑÐ¸Ñ€Ð¾Ð²Ð°Ñ‚ÐºÐ¸ ÐºÑ€Ð¾Ð²Ñ– Ð²ÐµÐ»Ð¸ÐºÐ¾Ñ— Ñ€Ð¾Ð³Ð°Ñ‚Ð¾Ñ— Ñ…ÑƒÐ´Ð¾Ð±Ð¸ Ð²Ñ–Ð´ Î³-Ð³Ð»Ð¾Ð±ÑƒÐ»Ñ–Ð½Ñ–Ð² Ñ‚Ð° Ñ—Ñ— Ð²Ð¸ÐºÐ¾Ñ€Ð¸ÑÑ‚Ð°Ð½Ð½Ñ Ð² Ð±Ñ–Ð¾Ñ‚ÐµÑ…Ð½Ð¾Ð»Ð¾Ð³Ñ–Ñ— ÐºÑƒÐ»ÑŒÑ‚ÑƒÑ€ ÐºÐ»Ñ–Ñ‚Ð¸Ð½
за авторством: Lavrik, O. A., та інші
Опубліковано: (2005)

Спектральна фоточутливість дифузійних Ge-p-i-n-фотодіодів
за авторством: Fedorenko, Artem
Опубліковано: (2020)

Anisotropy of electron phonon drag thermoEMF in n-Ge
за авторством: P. I. Baranskii, та інші
Опубліковано: (2012)

Ð”ÐµÑÑ‚Ñ€ÑƒÐºÑ‚Ð¸Ð²Ð½Ð¾-Ñ€ÐµÐ¿Ð°Ñ€Ð°Ñ‚Ð¸Ð²Ð½Ñ– Ð¿Ñ€Ð¾Ñ†ÐµÑÐ¸ Ñƒ ÑˆÐºÑ–Ñ€Ñ– Ñ‰ÑƒÑ€Ñ–Ð² Ð¿Ñ–ÑÐ»Ñ Ð¾Ð¿Ñ–ÐºÑƒ Ð·Ð° Ð¿Ñ€Ð¸ÑÑƒÑ‚Ð½Ð¾ÑÑ‚Ñ– Ð±Ñ–Ð¾Ñ€ÐµÐ³ÑƒÐ»ÑÑ‚Ð¾Ñ€Ñ–Ð² ÑÑ‚Ð¾Ð²Ð±ÑƒÑ€Ð¾Ð²Ð¸Ñ… Ñ– Ð¿Ñ€Ð¾Ð³ÐµÐ½Ñ–Ñ‚Ð¾Ñ€Ð½Ð¸Ñ… ÐºÐ»Ñ–Ñ‚Ð¸Ð½
за авторством: Cherkashina, Daria V., та інші
Опубліковано: (2018)

ÐžÐ¿Ñ‹Ñ‚ Ñ…Ñ€Ð°Ð½ÐµÐ½Ð¸Ñ Ð°ÑÐ¿Ð¾Ñ€Ð¾Ð³ÐµÐ½Ð½Ñ‹Ñ… Ð°Ð½Ð°ÑÑ€Ð¾Ð±Ð½Ñ‹Ñ… Ð±Ð°ÐºÑ‚ÐµÑ€Ð¸Ð¹ Ð¿Ñ€Ð¸ Ñ‚ÐµÐ¼Ð¿ÐµÑ€Ð°Ñ‚ÑƒÑ€Ðµ Ð¶Ð¸Ð´ÐºÐ¾Ð³Ð¾ Ð°Ð·Ð¾Ñ‚Ð°
за авторством: Vysekantsev, I. P., та інші
Опубліковано: (2005)

Some peculiarities of thermopower anisotropy in undeformed and elastically deformed n – Si and n – Ge single crystals
за авторством: G. P. Gaidar, та інші
Опубліковано: (2015)

До методології визначення тензоопору n-Ge та n-Si у кристалографічних напрямках 〈110〉
за авторством: Гайдар, Г.П.
Опубліковано: (2019)