Investigations of physical mechanisms of metal-insulator transition in highly strained n-Si and n-Ge crystals
Analysis of experimental results on transport phenomena is presented for highly uniaxially strained silicon and germanium crystals heavily doped by shallow donors. Possible mechanisms of the strain induced metal-insulator (MI) transition determined by peculiarities of the c-band energy spectrum tran...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
|---|---|
| Дата: | 2003 |
| Автори: | , , , , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2003
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/117939 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Investigations of physical mechanisms of metal-insulator transition in highly strained n-Si and n-Ge crystals / S.I. Budzulyak, V.M. Ermakov, B.R. Kyjak, V.V. Kolomoets, V.F. Machulin, M.K. Novoselets, L.I. Panasjuk, B.B. Sus', E.F. Venger // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2003. — Т. 6, № 1. — С. 37-40. — Бібліогр.: 16 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
Interface model of low temperature plasticity in high uniaxially strained monocrystalline semiconductors
за авторством: Venger, Ye.F., та інші
Опубліковано: (2000)
за авторством: Venger, Ye.F., та інші
Опубліковано: (2000)
Contribution of f- and g- transitions to electron intervalley scattering of n-S at temperatures 300 to 450 K
за авторством: Ermakov, V.M., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Ermakov, V.M., та інші
Опубліковано: (2012)
Magnetotenso- and tensomagnetoresistance of n-Ge
за авторством: P. I. Baranskyi, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: P. I. Baranskyi, та інші
Опубліковано: (2016)
Contribution of f- and g- transitions to electron intervalley scattering of n-Si at temperatures 300 to 450 K
за авторством: V. M. Ermakov, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: V. M. Ermakov, та інші
Опубліковано: (2012)
The method of shear modulus determination for n-Ge and n-Si single crystals
за авторством: V. I. Shvabiuk, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: V. I. Shvabiuk, та інші
Опубліковано: (2017)
X-ray diffraction study of deformation state in InGaN/GaN multilayered structures
за авторством: Kladko, V.P., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Kladko, V.P., та інші
Опубліковано: (2010)
Modernized equipment for plasmachemical etching of insulation of p-n transition of photoelectric converters
за авторством: Fedorovich, O.A., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Fedorovich, O.A., та інші
Опубліковано: (2007)
Peculiariries of thermoannealing in n-Si and n-Ge crystals with oxygen impurity
за авторством: P. I. Baranskii, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: P. I. Baranskii, та інші
Опубліковано: (2012)
Peculiarities of thermoannealing in n-Si and n-Ge crystals with oxygen impurity
за авторством: Baranskii, P.I., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Baranskii, P.I., та інші
Опубліковано: (2012)
Insulator–quantum Hall transition in n-InGaAs/GaAs heterostructures
за авторством: A. P. Savelev, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: A. P. Savelev, та інші
Опубліковано: (2017)
On the methodology of tensoresistance determination for n-Ge and n-Si in the crystallographic directions 〈110〉
за авторством: H. P. Haidar
Опубліковано: (2019)
за авторством: H. P. Haidar
Опубліковано: (2019)
Spectral photosensitivity of diffused Ge-p–i–n photodiods
за авторством: A. V. Fedorenko
Опубліковано: (2020)
за авторством: A. V. Fedorenko
Опубліковано: (2020)
Cryogenic resistance thermometers based on Ge–InP films
за авторством: V. F. Mitin, та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: V. F. Mitin, та інші
Опубліковано: (2020)
Thermoelasticity in Ge due to nonuniform distribution of doping impurity studied by light polarization modulation technique
за авторством: Serdega, B.K., та інші
Опубліковано: (1999)
за авторством: Serdega, B.K., та інші
Опубліковано: (1999)
X-ray diffraction study of deformation state in InGaN/GaN multilayered structures
за авторством: V. P. Kladko, та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: V. P. Kladko, та інші
Опубліковано: (2010)
Mechanisms of electron scattering in uniaxially deformed n-Ge‹Sb, Au› single crystals
за авторством: Luniov, S.V., та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Luniov, S.V., та інші
Опубліковано: (2019)
Determination of the activation energy of A-center in the uniaxially deformed n-Ge single crystals
за авторством: S. V. Lunov, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: S. V. Lunov, та інші
Опубліковано: (2017)
p-n junctions obtained in (Ge₂)x(GaAs)₁₋x varizone solid solutions by liquid phase epitaxy
за авторством: Sapaev, B., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Sapaev, B., та інші
Опубліковано: (2005)
Radiation defects parameters determination in n-Ge single crystals irradiated by high-energy electrons
за авторством: S. V. Lunov, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: S. V. Lunov, та інші
Опубліковано: (2016)
Dynamical behavior of rational difference equation $x_{n+1}=\dfrac{x_{n-13}}{\pm1\pm x_{n-1}x_{n-3}x_{n-5}x_{n-7}x_{n-9} x_{n-11}x_{n-13}}$
за авторством: Şimşek, D., та інші
Опубліковано: (2024)
за авторством: Şimşek, D., та інші
Опубліковано: (2024)
Спектральна фоточутливість дифузійних Ge-p-i-n-фотодіодів
за авторством: Fedorenko, Artem
Опубліковано: (2020)
за авторством: Fedorenko, Artem
Опубліковано: (2020)
Anisotropy of electron phonon drag thermoEMF in n-Ge
за авторством: P. I. Baranskii, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: P. I. Baranskii, та інші
Опубліковано: (2012)
Оn possibility of external magnetic field application for electrical insulation of electrodes
за авторством: Shulika, O.N.
Опубліковано: (2018)
за авторством: Shulika, O.N.
Опубліковано: (2018)
Some peculiarities of thermopower anisotropy in undeformed and elastically deformed n – Si and n – Ge single crystals
за авторством: G. P. Gaidar, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: G. P. Gaidar, та інші
Опубліковано: (2015)
Changes in Hall parameters after γ-irradiation (⁶⁰Со) of n-Ge
за авторством: Gaidar, G.P.
Опубліковано: (2011)
за авторством: Gaidar, G.P.
Опубліковано: (2011)
Changes in Hall parameters after -irradiation (60So) of n-Ge
за авторством: G. P. Gaidar
Опубліковано: (2011)
за авторством: G. P. Gaidar
Опубліковано: (2011)
The impact of heat treatment on the magnetic sensitivity of irradiated by electrons single crystals n-Ge
за авторством: Luniov, S.V., та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Luniov, S.V., та інші
Опубліковано: (2019)
Вплив загальної кріоÑтимулÑції (–120°С) на транÑформацію еритроцитів крові молодих щурів
за авторством: Lomako, Victoria V., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Lomako, Victoria V., та інші
Опубліковано: (2018)
Fabrication, properties and application of Ge-on-GaAs thin nanoheterogeneous films
за авторством: E. F. Venger, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: E. F. Venger, та інші
Опубліковано: (2014)
CпоÑіб Ð¾Ñ‡Ð¸Ñ‰ÐµÐ½Ð½Ñ Ñироватки крові великої рогатої худоби від γ-глобулінів та Ñ—Ñ— викориÑÑ‚Ð°Ð½Ð½Ñ Ð² біотехнології культур клітин
за авторством: Lavrik, O. A., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Lavrik, O. A., та інші
Опубліковано: (2005)
Опыт Ñ…Ñ€Ð°Ð½ÐµÐ½Ð¸Ñ Ð°Ñпорогенных анаÑробных бактерий при температуре жидкого азота
за авторством: Vysekantsev, I. P., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Vysekantsev, I. P., та інші
Опубліковано: (2005)
ДеÑтруктивно-репаративні процеÑи у шкірі щурів піÑÐ»Ñ Ð¾Ð¿Ñ–ÐºÑƒ за приÑутноÑÑ‚Ñ– біорегулÑторів Ñтовбурових Ñ– прогеніторних клітин
за авторством: Cherkashina, Daria V., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Cherkashina, Daria V., та інші
Опубліковано: (2018)
ЗдатніÑÑ‚ÑŒ різних за віком еритроцитів до киÑлород-транÑпортної функції та зміна Ñ—Ñ… жорÑткоÑÑ‚Ñ– у процеÑÑ– гіпотермічного зберіганнÑ
за авторством: Mykhailova, Olga O., та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Mykhailova, Olga O., та інші
Опубліковано: (2019)
Модифицирующее влиÑние амфипатичеÑких Ñоединений на чувÑтвительноÑÑ‚ÑŒ Ñритроцитов к изменению оÑмотичеÑких и температурных уÑловий Ñреды
за авторством: Abualasal, F., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Abualasal, F., та інші
Опубліковано: (2003)
ПроникніÑÑ‚ÑŒ мембран ентероцитів миші Ð´Ð»Ñ Ð²Ð¾Ð´Ð¸ та кріопротекторів
за авторством: Ogurtsova, Viktoriia V., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Ogurtsova, Viktoriia V., та інші
Опубліковано: (2017)
Морфофункциональные характериÑтики криоконÑервированной органотипичеÑкой культуры Ñеменников новорожденных пороÑÑÑ‚ поÑле кÑенотранÑплантации
за авторством: Pakhomov, A. V., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Pakhomov, A. V., та інші
Опубліковано: (2005)
Вплив зниженої температури Ñ– кріопротекторів на ÑхожіÑÑ‚ÑŒ та енергію пророÑÑ‚Ð°Ð½Ð½Ñ Ð½Ð°ÑÑ–Ð½Ð½Ñ Ñої
за авторством: Shevchenko, N. O., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Shevchenko, N. O., та інші
Опубліковано: (2002)
Проблеми та перÑпективи викориÑÑ‚Ð°Ð½Ð½Ñ Ñтовбурових клітин Ñ…Ñ€Ñщової тканини
за авторством: Chaikovsky, Yuri B., та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Chaikovsky, Yuri B., та інші
Опубліковано: (2019)
Вплив Ð·Ð°Ð¼Ð¾Ñ€Ð¾Ð¶ÑƒÐ²Ð°Ð½Ð½Ñ Ð½Ð°ÑÑ–Ð½Ð½Ñ Ñої за дії кріопротекторів на енергію пророÑÑ‚Ð°Ð½Ð½Ñ Ñ– ÑхожіÑÑ‚ÑŒ
за авторством: Shevchenko, N. O., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Shevchenko, N. O., та інші
Опубліковано: (2003)
Зміна оÑмотичної крихкоÑÑ‚Ñ– та індекÑу ÑферичноÑÑ‚Ñ– еритроцитів щурів різного віку піÑÐ»Ñ Ñ…Ð¾Ð»Ð¾Ð´Ð¾Ð²Ð¸Ñ… впливів
за авторством: Ostras, Daniil A., та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Ostras, Daniil A., та інші
Опубліковано: (2019)