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Determination of surface parameters of solids by methods of X-ray total external reflection

The series of GaAs and SiO₂ samples with the specially prepared one- and two-dimensional surface reliefs have been investigated by the methods of integral and differential curve total external reflection of X-rays. The direct and inverse problem was solved, taking into consideration data obtained by...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Datum:	2003
Hauptverfasser:	Balovsyak, S.V., Fodchuk, I.M., Lytvyn, P.M.
Format:	Artikel
Sprache:	Englisch
Veröffentlicht:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2003
Online Zugang:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/117940
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Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:	Determination of surface parameters of solids by methods of X-ray total external reflection / S.V. Balovsyak, I.M. Fodchuk, P.M. Lytvyn // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2003. — Т. 6, № 1. — С. 41-46. — Бібліогр.: 9 назв. — англ.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

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