Krukovsky, S., Zayachuk, D., Rybak, O., & Mryhin, I. (2003). High-resistance low-doped GaAs and AlGaAs layers obtained by LPE. Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics.
Чикаго стиль цитування (17-те видання)Krukovsky, S.I, D.M Zayachuk, O.V Rybak, та I.O Mryhin. "High-resistance Low-doped GaAs and AlGaAs Layers Obtained by LPE." Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics 2003.
Стиль цитування MLA (8-ме видання)Krukovsky, S.I, et al. "High-resistance Low-doped GaAs and AlGaAs Layers Obtained by LPE." Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2003.
Попередження: стилі цитування не завжди правильні на всі 100%.