Стиль цитування APA (7-ме видання)

Krukovsky, S., Zayachuk, D., Rybak, O., & Mryhin, I. (2003). High-resistance low-doped GaAs and AlGaAs layers obtained by LPE. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України.

Чикаго стиль цитування (17-те видання)

Krukovsky, S.I, D.M Zayachuk, O.V Rybak, та I.O Mryhin. High-resistance Low-doped GaAs and AlGaAs Layers Obtained by LPE. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, 2003.

Стиль цитування MLA (8-ме видання)

Krukovsky, S.I, et al. High-resistance Low-doped GaAs and AlGaAs Layers Obtained by LPE. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, 2003.