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Electrical activity of misfit dislocations in GaAs-based heterostructures

Electrical properties of lattice-mismatch induced defects in GaAs/InGaAs and GaAs/GaAsSb heterostructures have been studied by means of electron-beam induced current (EBIC) in a scanning electron microscope and deep-level transient spectroscopy (DLTS). DLTS measurements, carried out with p-n junctio...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Datum:2003
1. Verfasser: Wosinski, T.
Format: Artikel
Sprache:Englisch
Veröffentlicht: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2003
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/117944
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Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Electrical activity of misfit dislocations in GaAs-based heterostructures / T. Wosinski // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2003. — Т. 6, № 1. — С. 58-61. — Бібліогр.: 12 назв. — англ.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

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