The way of photonic crystal formation in A³B³ and A²B⁶ semiconductors
It is shown that under influence of irreversible gigantic modification in monocrystalline A³B³ and A²B⁶ semiconductors, local areas with the highly changed refractive index are created. It was shown that a complex refraction index of CdS, CdTe and GaAs semiconductor samples after their modification...
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| Veröffentlicht in: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
|---|---|
| Datum: | 2003 |
| Hauptverfasser: | Kamuz, A.M., Oleksenko, P.Ph., Kamuz, O.A., Kamuz, V.G. |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Englisch |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2003
|
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/117957 |
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| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | The way of photonic crystal formation in A³B³ and A²B⁶ semiconductors / A.M. Kamuz, P.Ph. Oleksenko, O.A. Kamuz, V.G. Kamuz // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2003. — Т. 6, № 1. — С. 86-90. — Бібліогр.: 6 назв. — англ. |
Institution
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