Origin of surface layer on common substrates for functional material films probed by ellipsometry
A multiple angle ellipsometric method is used to investigate thin film layers on common substrates (gadolinium gallium garnet-GGG, sapphire-Al₂O₃, and glass ceramic sitall) for functional material films. The method evaluates fundamental optical constants and thicknesses of the layers. Dielectric fun...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
|---|---|
| Дата: | 2003 |
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2003
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/117962 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Origin of surface layer on common substrates for functional material films probed by ellipsometry / A.I. Belyaeva, A.A. Galuza, A.D. Kudlenko // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2003. — Т. 6, № 1. — С. 81-85. — Бібліогр.: 8 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineБудьте першим, хто залишить коментар!